Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH5025TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 3.6 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 11421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 3788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.6 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 11421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5053TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V | на замовлення 6455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 24nC | на замовлення 2133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBFXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBFXUMA1 | Infineon Technologies | IRFH5053TRPBFXUMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5104TR2 Код товару: 99489
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Напруга сток-витік Uds, В: 40 В Струм стоку Idd, А: 24 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,5 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3120/53 Монтаж: SMD | у наявності: 1 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5104TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5104TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5104TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5104TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 53nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5106 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5106TR2 Код товару: 99490
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 21 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,6 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3090/50 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5106TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5106TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5110 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5110PbF (транзистор) Код товару: 83582
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||||
| IRFH5110TR2PBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5110TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 37A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3152 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5110TR2PBF транзистори Код товару: 103125
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3152 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 48nC | на замовлення 591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5204 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFH5204TR2 Код товару: 99491
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Напруга сток-витік Uds, В: 40 В Струм стоку Idd, А: 22 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,3 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2460/43 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5204TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 22A PQFN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5204TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 22A/100A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 105W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5206TR2 Код товару: 99492
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 89 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 6,7 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2490/40 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5206TR2PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 60V 87A 7mOhm 40nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5206TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5206TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 60V SINGLE N-CH 6.7mOhms 40nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5206TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 16A/89A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5207TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 43A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2474 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5207TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 13A/71A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2474 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5207TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9.6mOhms 39nC | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5210TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 11900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0149 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 104W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V | на замовлення 6938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0149 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 104W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC | на замовлення 4795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5215TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 27A 58mOhm 20nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5215TR2PBF (транзистор) Код товару: 84275
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Напруга сток-витік Uds, В: 150 В Струм стоку Idd, А: 17 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1350/21 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 20nC | на замовлення 3973 шт: термін постачання 211-220 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 2165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.058 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 1266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF(транзистор) Код товару: 84276
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFH5220 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5220TR2 Код товару: 99493
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Напруга сток-витік Uds, В: 200 В Струм стоку Idd, А: 20 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 99,9 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1380/20 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5220TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99.9mOhm @ 5.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5220TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 99.9mOhms 20nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5220TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99.9mOhm @ 5.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250D Код товару: 184524
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFH5250DTR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | International Rectifier | Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V | на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 7792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | International Rectifier | N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 7792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms 39nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 7792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 40A/100A 8PQFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 7792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|