Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFH5306TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/44A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5306TRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 7.8nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5406TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0114 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 46
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0114
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 14.4mOhms 23nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TR2
Код товару: 99496
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 49 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,99 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10890/155
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TR2PBF
Код товару: 144113
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+80.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V SINGLE N-CH 1.2mOhms 155nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+69.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+69.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF
Код товару: 150522
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+112.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 45A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+83.99 грн
500+75.59 грн
1000+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+209.85 грн
103+137.78 грн
140+101.25 грн
500+79.70 грн
1000+67.59 грн
2000+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+83.99 грн
500+75.59 грн
1000+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+83.99 грн
500+75.59 грн
1000+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
на замовлення 7611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.65 грн
10+96.53 грн
50+72.85 грн
100+61.20 грн
500+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.85 грн
10+137.78 грн
100+101.25 грн
500+79.70 грн
1000+67.59 грн
2000+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TR2PBF
Код товару: 63217
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.20 грн
500+86.58 грн
1000+79.84 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 100A 1.4mOhm HEXFET 156W 134nC
на замовлення 4129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.20 грн
500+86.58 грн
1000+79.84 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+75.22 грн
190+74.46 грн
213+66.45 грн
250+55.55 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+62.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+92.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.31 грн
11+75.22 грн
25+74.46 грн
100+64.08 грн
250+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.20 грн
500+86.58 грн
1000+79.84 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.09 грн
10+73.82 грн
100+56.63 грн
500+46.99 грн
1000+43.66 грн
2000+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 13884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.20 грн
500+86.58 грн
1000+79.84 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesIRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.64 грн
10+121.44 грн
100+88.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesIRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesIRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+56.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesIRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
на замовлення 23970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBF
Код товару: 173649
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesIRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.31 грн
25+55.38 грн
100+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesIRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+182.64 грн
117+121.44 грн
161+88.11 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 25 V
на замовлення 8616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.58 грн
10+123.27 грн
50+94.06 грн
100+79.43 грн
500+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRInternational RectifierN-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.37 грн
10+89.90 грн
50+67.84 грн
100+56.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRPBFInfineon
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+224.83 грн
91+156.33 грн
127+111.43 грн
500+87.82 грн
1000+74.14 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 147A; 156W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 147A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN8
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.67 грн
10+157.61 грн
100+112.34 грн
500+88.53 грн
1000+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7107TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7107TRPBFInfineon / IRMOSFET 75V 75A 8.5mOhm 48nC Qg
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7107TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 14A/75A 8PQFN
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7110TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7110TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+677.47 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7110TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
474+74.56 грн
526+67.11 грн
1000+61.89 грн
Мінімальне замовлення: 474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7110TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7110TRPBFIRFH7110TRPBF Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7110TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 100V, 58A 13.5 mOhm, 58 nC Qg
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7110TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFH7110TRPBF - IRFH7110 100V SINGLE N-CHANNEL HEXFET P
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 535 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7182TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A/157A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7184TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 20A/128A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7184TRPBFInfineon / IRMOSFET TRENCH_MOSFETS
на замовлення 1076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7185TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 123A 5.2 mOhm Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7185TRPBF
Код товару: 110203
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7185TRPBFInfineonMOSFET N-CH 100V 19A QFN-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7185TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7185TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7187TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 18A/105A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7188TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7188TRPBFInfineon / IRMOSFET HEXFET 100V N CHANNEL
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7188TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7190ATRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 8-TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7190TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 15A/82A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7191TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]