Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.13 грн
10+151.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+144.35 грн
500+126.19 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1851-1C&KLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+93.84 грн
100+88.44 грн
500+81.98 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.04 грн
50+93.96 грн
100+84.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KCS
Код товару: 204826
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KCSTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.82 грн
10+117.50 грн
100+86.29 грн
500+73.87 грн
1000+58.96 грн
5000+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18510KTTT
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.52 грн
10+132.58 грн
100+83.53 грн
500+75.94 грн
1000+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.25 грн
10+137.31 грн
100+100.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 119nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Pulsed drain current: 400A
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+270.26 грн
10+133.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 274A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.98 грн
10+116.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 274A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTexas InstrumentsMOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595-CSD18510KTT
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.11 грн
10+122.26 грн
50+106.31 грн
100+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+121.34 грн
100+100.78 грн
150+96.03 грн
250+89.12 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+95.05 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510Q5BT
на замовлення 8558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.18 грн
10+131.79 грн
100+80.77 грн
500+67.65 грн
1000+62.34 грн
2500+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+141.47 грн
120+118.53 грн
121+117.47 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.37 грн
10+125.04 грн
100+86.12 грн
500+65.21 грн
1000+62.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5B
Код товару: 196757
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18510Q5B
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.87 грн
10+163.54 грн
100+108.38 грн
500+77.32 грн
1000+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 790 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.45 грн
10+174.77 грн
100+121.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.56 грн
10+190.56 грн
100+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 790 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 790ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+124.13 грн
500+110.37 грн
750+105.70 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 194A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 188W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 194A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
50+68.49 грн
100+62.11 грн
500+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 194A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KCSTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.53 грн
10+72.16 грн
100+56.88 грн
500+46.46 грн
1000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KTTTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18511KTTT
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.83 грн
10+104.00 грн
100+64.13 грн
500+48.81 грн
1000+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 194A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
10+97.90 грн
100+77.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 194A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.81 грн
10+128.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KTTTTexas InstrumentsMOSFET 40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 2.6 mOhm 2-DDPAK/TO-263 -55 to 175
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+102.13 грн
100+88.63 грн
150+83.68 грн
250+73.30 грн
350+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18511Q5AT
на замовлення 8561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+75.82 грн
100+43.97 грн
500+34.66 грн
1000+31.62 грн
2500+28.30 грн
5000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 10 V
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.27 грн
10+71.35 грн
100+47.71 грн
500+35.24 грн
1000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511Q5ATTexas InstrumentsMOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18511Q5A
на замовлення 5087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.91 грн
10+104.79 грн
100+54.19 грн
500+46.87 грн
1000+42.59 грн
2500+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+43.95 грн
500+41.05 грн
750+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511Q5ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 104W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Dimensions: 5x6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 10 V
на замовлення 6033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+65.29 грн
100+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 159A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V
на замовлення 7370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.31 грн
10+105.08 грн
100+71.66 грн
500+53.83 грн
1000+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+125.09 грн
138+103.29 грн
139+102.26 грн
199+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.63 грн
5000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.09 грн
10+103.29 грн
25+102.26 грн
100+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 211A 8VSON Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5BT
на замовлення 3821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.91 грн
10+107.18 грн
100+64.13 грн
500+53.23 грн
1000+48.95 грн
2500+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+197.79 грн
104+137.35 грн
146+97.70 грн
500+75.20 грн
1000+65.15 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 139W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 139W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5B
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.01 грн
10+134.96 грн
100+73.18 грн
500+63.51 грн
1000+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.49 грн
10+131.62 грн
100+92.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+78.55 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18513Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18513Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
269+52.76 грн
272+52.23 грн
327+43.44 грн
330+41.46 грн
500+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18513Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18513Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 20 V
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.38 грн
10+73.22 грн
100+49.05 грн
500+36.29 грн
1000+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18513Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18513Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.55 грн
15+52.76 грн
25+52.23 грн
100+41.89 грн
250+38.39 грн
500+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18513Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18513Q5AT
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.25 грн
10+78.52 грн
100+40.73 грн
500+32.45 грн
1000+31.20 грн
2500+24.16 грн
5000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18513Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18513Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18513Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]