Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD18504KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.44 грн
50+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.32 грн
2000+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTexas InstrumentsMOSFETs 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.32 грн
2000+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; TO220-3
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 115W
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.64 грн
10+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18504KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 6917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+132.10 грн
157+90.27 грн
223+63.57 грн
500+52.44 грн
1000+43.05 грн
2500+38.24 грн
5000+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 50A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18504Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5300 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+154.04 грн
10+99.09 грн
25+96.54 грн
100+64.80 грн
250+59.70 грн
500+47.34 грн
1000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18504Q5AT
на замовлення 8141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.09 грн
147+96.54 грн
211+67.20 грн
250+64.47 грн
500+49.32 грн
1000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 20 V
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
10+80.16 грн
100+53.81 грн
500+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18504Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5300 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 6902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.10 грн
10+90.27 грн
100+63.57 грн
500+52.44 грн
1000+43.05 грн
2500+38.24 грн
5000+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 9,8mOhm; 75A; 77W; -55°C ~ 150°C; CSD18504Q5AT CSD18504Q5A TCSD18504q5a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.29 грн
5000+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 50A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Dimensions: 5x6mm
Kind of package: reel; tape
Case: VSONP8
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 77W
Gate charge: 7.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.90 грн
10+117.07 грн
100+80.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+73.14 грн
500+64.40 грн
750+61.32 грн
1250+54.31 грн
1750+52.39 грн
2500+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATTexas InstrumentsMOSFETs 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1850 A 595-CSD18504Q5A
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 40V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18509Q5BT
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.95 грн
10+140.92 грн
100+97.50 грн
500+74.08 грн
1000+71.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 100A 8VSON Транзистори
на замовлення 15 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+308.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BG4Texas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET sin
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+116.73 грн
500+103.63 грн
750+99.15 грн
1250+88.34 грн
1750+85.55 грн
2500+82.83 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+144.03 грн
500+125.91 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+111.21 грн
500+104.05 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.88 грн
11+71.35 грн
25+68.12 грн
100+58.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+173.31 грн
500+154.35 грн
1000+135.31 грн
2500+122.38 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 40V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1850 A 595-CSD18509Q5B
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.09 грн
10+180.39 грн
100+126.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+146.32 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Dimensions: 5x6mm
Kind of package: reel; tape
Case: VSON-CLIP8
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 195W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1851-1C&KLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.44 грн
10+125.37 грн
50+95.77 грн
100+80.90 грн
500+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+75.52 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KCS
Код товару: 204826
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KCSTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18510KTTT
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.14 грн
10+138.58 грн
100+101.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+122.46 грн
100+101.71 грн
150+96.92 грн
250+89.95 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+272.75 грн
10+135.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 274A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.20 грн
10+117.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 274A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTTTexas InstrumentsMOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595-CSD18510KTT
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5B
Код товару: 196757
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.54 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+96.69 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510Q5BT
на замовлення 8558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
на замовлення 3417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.79 грн
10+127.18 грн
100+87.60 грн
500+66.33 грн
1000+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+141.15 грн
120+118.27 грн
121+117.21 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 790 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18510Q5B
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.34 грн
10+192.32 грн
100+135.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 790 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 790ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+125.28 грн
500+111.39 грн
750+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 194A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 188W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 194A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
50+69.12 грн
100+62.68 грн
500+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 194A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18511KCSTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]