Продукція > CSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD18504Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18504Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5300 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 77W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18504Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18504Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 6902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18504Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18504Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 20 V | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18504Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18504Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm Dimensions: 5x6mm Kind of package: reel; tape Case: VSONP8 On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 77W Gate charge: 7.7nC Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 50A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18504Q5AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18504Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18504Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 20 V | на замовлення 3489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18504Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18504Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1850 A 595-CSD18504Q5A | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18504Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 20 V | на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18509Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18509Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18509Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18509Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 40V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18509Q5BT | на замовлення 3667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18509Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18509Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V | на замовлення 4533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18509Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON Транзистори | на замовлення 15 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18509Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18509Q5BG4 | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET sin | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18509Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18509Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18509Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V | на замовлення 11250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18509Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 195W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18509Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18509Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18509Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 5250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18509Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18509Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 40V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1850 A 595-CSD18509Q5B | на замовлення 593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18509Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Mounting: SMD Power dissipation: 195W Gate charge: 15nC Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Dimensions: 5x6mm Kind of package: reel; tape Case: VSON-CLIP8 On-state resistance: 1mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18509Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 195W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18509Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18509Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V | на замовлення 11286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18509Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD1851-1 | C&K | Littelfuse | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18510KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V | на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18510KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510KCS | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si | на замовлення 660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510KCS Код товару: 204826
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD18510KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510KTT | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18510KTTT | на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18510KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510KTTT | Texas Instruments | MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595-CSD18510KTT | на замовлення 427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18510KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510KTTT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 274A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18510KTTT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 119nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A | на замовлення 62 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18510KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510KTTT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 274A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18510Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18510Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18510Q5B Код товару: 196757
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD18510Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18510Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18510Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510Q5BT | на замовлення 8558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18510Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18510Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 790 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18510Q5B | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18510Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 790 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 790ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18510Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V | на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18510Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 194A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 194A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 194A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V | на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18511KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KCS | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 194A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KTT | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18511KTTT | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 194A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V | на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18511KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta), 194A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18511KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta), 194A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V | на замовлення 403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18511KTTT | Texas Instruments | MOSFET 40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 2.6 mOhm 2-DDPAK/TO-263 -55 to 175 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 10 V | на замовлення 30169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18511Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 10 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|