Продукція > FQP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQPF5P10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5P10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P10ON SemiconductorFQPF5P10
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 3645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.4 A, 1.1 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+53.23 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20FAIRCHILDTrans MOSFET P-CH 200V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+53.23 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20onsemiMOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+53.23 грн
1000+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20RDTUonsemiMOSFETs PCH 500V 2A MOSFET
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20RDTUonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 2.15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
536+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 536 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+56.06 грн
1000+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
536+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 536 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 6.3 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 6.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630onsemiMOSFETs 200V N-Channel QFET
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+89.44 грн
500+80.50 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF65N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF65N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF65N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF65N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6M90CFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N15ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 5A TO220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N25Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 250V 4A TO220F
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 802 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N25ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 4A TO220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N25FAIRCHILDFQPF6N25
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
842+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 842 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CFAIRCHILDFQPF6N40C
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
1000+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CFAIRCHILDFQPF6N40C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
1000+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CFAIRCHILDFQPF6N40C
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N40C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CFFAIRCHILDFQPF6N40CF
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
1000+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CFONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N40CF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
680+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CTONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N40CT - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N50FAIRCHILDFQPF6N50
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
на замовлення 5884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N50FAIRCHILDFQPF6N50
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
1000+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N50CFairchild SemiconductorDescription: 3.6A, 500V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+76.69 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N50CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N50C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 509 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60onsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60
Код товару: 48047
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60ON SemiconductorFQPF6N60
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.26 грн
500+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60CFAIRCHILDFQPF6N60C
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.11 грн
500+88.30 грн
1000+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60CONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60ConsemiMOSFETs N-CH/600V/6A/QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
на замовлення 5632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+76.69 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60CFAIRCHILDFQPF6N60C
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.11 грн
500+88.30 грн
1000+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60C_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N70Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+101.23 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N70ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N70 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N70onsemiDescription: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80onsemi / FairchildMOSFETs 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 12350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+133.18 грн
1000+123.76 грн
10000+105.97 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80C
Код товару: 116791
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+250.82 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.64 грн
72+198.95 грн
105+134.83 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80ConsemiMOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CTONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 22A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CTonsemiMOSFETs 800V N-Ch Adv Q-FET C-Series
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80TonsemiMOSFETs N-CH/800V/6A/QFET
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80TFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.18 грн
500+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80TonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80TONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N80T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80TFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.18 грн
500+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80TFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.18 грн
500+120.22 грн
1000+110.55 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80TFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.18 грн
500+120.22 грн
1000+110.55 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90FAIRCHIL09+ SOP
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 3.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90CONS/FAIМОП-транзистор 900V N-Ch Q-FET advance C-Series Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90CON-SemiconductorN-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+110.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90ConsemiMOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90C
Код товару: 167479
Додати до обраних Обраний товар
ON SEMICONDUCTORТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,3 Ом
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90C.ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N90C. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 2.3 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90CTONS/FAIMOSFET N-CH 900V 6A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6P25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6P25 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6P25FAIRCHILDFQPF6P25
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
500+112.10 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6P25FAIRCHILDFQPF6P25
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6P25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 4.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+65.57 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6P25FAIRCHILDFQPF6P25
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
500+112.10 грн
1000+103.38 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N08
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+212.72 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 10988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.90 грн
500+154.40 грн
1000+141.44 грн
10000+121.61 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.