Продукція > FQP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQPF5N50CFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N50CFTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 517 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CFTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CFTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CFTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CTTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N50CYDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.14 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.14ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 35036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 32951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+76.76 грн
512+69.10 грн
1000+63.72 грн
10000+54.78 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTUonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel QFET
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTUFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Packaging: Bulk
на замовлення 34463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+63.31 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60onsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60FSC
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 20650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+82.53 грн
500+74.28 грн
1000+68.50 грн
10000+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+82.53 грн
500+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N60C - MOSFET, N, TO-220F
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60C
Код товару: 131269
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+82.53 грн
500+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60ConsemiMOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CONS/FAIMOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60C.ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N60C. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.49 грн
10+94.29 грн
100+79.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CYDTUON SemiconductorFQPF5N60CYDTU
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
1000+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CYDTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+63.12 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N60CYDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+53.08 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60C_F105onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N80ON SemiconductorFQPF5N80
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+115.22 грн
500+103.70 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N80onsemi / FairchildMOSFETs 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N80
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N80_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N90FSCTO220F
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N90onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N90ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N90CFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P10Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 2.9A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 4443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P10
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P10ON SemiconductorFQPF5P10
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.25 грн
1000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5P10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
972+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P10ON SemiconductorFQPF5P10
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P10ON SemiconductorFQPF5P10
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.25 грн
1000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.4 A, 1.1 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+53.23 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20onsemi / FairchildMOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+53.23 грн
1000+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+53.23 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 3645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20RDTUonsemi / FairchildMOSFET PCH 500V 2A MOSFET
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20RDTUonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 2.15A TO220F
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
536+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 536 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 11245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+89.44 грн
500+80.50 грн
1000+74.24 грн
10000+63.83 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630onsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel QFET
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
536+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 536 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 6.3 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 6.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+89.44 грн
500+80.50 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630FSC09+ TO220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF65N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.38 грн
10+144.69 грн
100+129.24 грн
500+107.18 грн
1000+83.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF65N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF65N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF65N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6M90CFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N15ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 5A TO220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N25ON SemiconductorFQPF6N25
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
842+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 842 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N25Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 250V 4A TO220F
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 802 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N25ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 4A TO220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40C
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CFAIRCHILDFQPF6N40C
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
1000+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CFAIRCHILDFQPF6N40C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
1000+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CFAIRCHILDFQPF6N40C
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N40C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CFONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N40CF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CTONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N40CT - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
680+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N40CTON SemiconductorFQPF6N40CT
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.40 грн
500+71.46 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N50FAIRCHILDFQPF6N50
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
540+65.51 грн
1000+61.88 грн
Мінімальне замовлення: 540 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N50Fairchild
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A TO220F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
на замовлення 5884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N50CFAIRCHILDFQPF6N50C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.11 грн
500+88.30 грн
1000+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N50CFairchild SemiconductorDescription: 3.6A, 500V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
458+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N50CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N50C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
509+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 509 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+99.26 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60
Код товару: 48047
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60onsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60ON SemiconductorFQPF6N60
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.26 грн
500+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]