Продукція > SIH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIHFR430ATR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR430ATRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR430ATRL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR430ATRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR430ATRR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR430ATRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR430ATRR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9010-E3Vishay SiliconixSiHFR9010-E3 IRFR9010PBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9014-E3Vishay SiliconixSiHFR9014-E3 IRFR9014PBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9014-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9014-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9014-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9014NT-E3
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9014TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9014TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9020-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9020T-E3Vishay SiliconixSiHFR9020T-E3 IRFR9020TRPBF MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9020TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9020TRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9024-E3Vishay SiliconixSiHFR9024-E3 IRFR9024PBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9024-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2175+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 2175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9024-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9024NT-E3
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9024T-E3Vishay SiliconixSiHFR9024T-E3 IRFR9024TRPBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9024TL-E3Vishay SiliconixSiHFR9024TL-E3 IRFR9024TRLPBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9024TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9024TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9024TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.13 грн
10+50.18 грн
100+33.12 грн
500+24.19 грн
1000+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9024TR-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9024TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9024TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9110-E3Vishay SiliconixSiHFR9110-E3 IRFR9110PBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9110T-E3Vishay SiliconixSiHFR9110T-E3 IRFR9110TRPBF MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9110TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9110TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9120-E3Vishay SiliconixSiHFR9120-E3 IRFR9120PBF P-CH. 100V 6.6A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9120-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.05 грн
10+44.84 грн
100+29.42 грн
500+21.39 грн
1000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9120-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 7251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9120-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9120TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9120TRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9210-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9210TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9214-E3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9214-E3Vishay SiliconixSiHFR9214-E3 IRFR9214PBF P-CH. 250V 2.7A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9214-GE3VishayТранзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -1,7А; Idm: -11А; 50Вт Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9214T-E3Vishay SiliconixSiHFR9214T-E3 IRFR9214TRPBF P-CH. 250V 2.7A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9220
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9220-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9220-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.82 грн
10+48.55 грн
100+32.01 грн
500+23.35 грн
1000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9220TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9310-E3Vishay SiliconixSiHFR9310-E3 IRFR9310PBF P-CH. 400V 1.8A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.74 грн
10+46.85 грн
100+30.83 грн
500+22.46 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9310T-E3Vishay SiliconixSiHFR9310T-E3 IRFR9310TRPBF P-CH. 400V 1.8A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.17 грн
10+93.32 грн
100+63.53 грн
500+47.65 грн
1000+46.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TR-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TRL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.90 грн
10+50.55 грн
100+33.27 грн
500+24.25 грн
1000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TRR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.28 грн
10+47.66 грн
100+31.39 грн
500+22.87 грн
1000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TRR-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TRR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFRC20T-E3Vishay SiliconixSiHFRC20T-E3 IRFRC20TRPBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFRC20TL-E3Vishay SiliconixSiHFRC20TL-E3 IRFRC20TRLPBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFRC20TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFRC20TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.90 грн
10+53.07 грн
100+35.11 грн
500+25.71 грн
1000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFRC20TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 3869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFS11N50AVishay SiliconixSiHFS11N50A 500 В 11 А (TO-263) N-CH U=500V I=11A R=0,52Oм D2PAK=TO-263 Транзистори
на замовлення 135 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+116.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFS11N50A-E3Vishay SiliconixSiHFS11N50A-E3 IRFS11N50APBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS11N50A-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS11N50A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS11N50A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS11N50ATRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS11N50ATRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFS9N60A-E3Vishay SiliconixSiHFS9N60A-E3 IRFS9N60APBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS9N60A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds TO-263 D2PAK
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS9N60A-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS9N60A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS9N60ATRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS9N60ATRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFSL9N60A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFSL9N60A-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU014-E3Vishay SiliconixSiHFU014-E3 IRFU014PBF IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU014-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU020-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU024-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU024-GE3Vishay SiliconixDescription: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU120-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU120-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU1N60A-E3Vishay SiliconixSiHFU1N60A-E3 IRFU1N60APBF IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU1N60A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU1N60A-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]