Продукція > STD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD11N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.60 грн
10+101.37 грн
50+76.88 грн
100+64.73 грн
500+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60M2-EPSTMN-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD11N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 500 mOhm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60M6STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+214.04 грн
103+137.66 грн
200+129.18 грн
500+95.47 грн
1000+87.56 грн
2000+64.33 грн
2500+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2STMN-Channel 650V 7A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 7A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.5nC
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 17nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.27 грн
10+148.03 грн
50+123.61 грн
100+102.22 грн
500+75.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.28 грн
10+111.93 грн
50+85.18 грн
100+71.85 грн
500+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+213.27 грн
115+123.61 грн
134+106.01 грн
500+81.59 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5
Код товару: 122180
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 500V
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM60NST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM60NSTMN-channel 600V - 0.37. - 10A - DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM60N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM60N-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600V, 10A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.53 грн
10+199.72 грн
100+141.76 грн
500+109.79 грн
1000+102.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM65NSTMicroelectronicsSTD11NM65N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.90 грн
10+159.35 грн
25+156.80 грн
100+148.84 грн
250+135.54 грн
500+127.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM65NSTMicroelectronicsSTD11NM65N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.90 грн
89+159.35 грн
91+156.80 грн
100+148.84 грн
250+135.54 грн
500+127.94 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM65NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.425Ohm 11A pwr MDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
на замовлення 4068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.77 грн
10+191.72 грн
100+135.57 грн
500+117.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11NM65NSTMicroelectronicsSTD11NM65N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD120N4F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD120N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 7567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD120N4F6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A S TripFET VI DeepGATE
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD120N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD120N4F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD120N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 7567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD120N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.71 грн
10+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD120N4LF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.71 грн
10+129.29 грн
50+98.74 грн
100+83.41 грн
500+67.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD120N4LF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD120N4LF6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep
на замовлення 5356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12100TRSMC Diode Solutions LLCDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 12A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1224N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1235F
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD123ASF
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD123SAUK09+
на замовлення 75018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD123S/123AUK09+
на замовлення 24018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD123SF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD123SJ
на замовлення 39200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD123UFAUKSOT323-123
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD123UFSOT323-
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD123UFSOT323-123AUK
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD127DT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High VTG fast switch NPN pwr transistor
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD127DT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 35 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12FN06L
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N05ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N05-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N05LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N05L-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N05T4
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N06STMicroelectronicsMOSFETs TO-251 N-CH 60V 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N06ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N06-TR
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N06LSTMicroelectronicsMOSFET TO-251 N-CH 60V 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N06LSTTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N06L-1STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N06L-TR
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N06T4
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N10LSTLL34
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N10L-TR
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N10LT4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N10T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH SPCL 100V DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50DM2STMN-CHANNEL 500 V, 0.35 OHM TYP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+105.97 грн
50+80.46 грн
100+67.78 грн
500+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.11 грн
10+98.05 грн
100+66.52 грн
500+49.76 грн
1000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.25 грн
10+98.02 грн
25+96.29 грн
100+71.06 грн
250+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50M2STMMOSFET N-CH 500V 10A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.