Продукція > Si1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI1307DLSI02+ SOT-323
на замовлення 48999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307DL-T1VISHAYSOT23-3
на замовлення 5926 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307DL-T1-E3
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDLSI02+ SOT-23-6
на замовлення 39999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT323
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.28 грн
100+10.86 грн
500+7.59 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.65 грн
6000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT323 N-CH 30V 1.4A
на замовлення 46350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 8847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
12+25.36 грн
100+16.18 грн
500+11.45 грн
1000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-BE3.VISHAYDescription: VISHAY - SI1308EDL-T1-BE3. - MOSFET, N-CH, 30V, 1.4A, SC-70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 132mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 5387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+24.76 грн
50+18.01 грн
100+14.83 грн
500+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3MOSFET 30V 1.5A, SOT-323-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.132 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 60913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI13132CNQFN
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1315DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 900MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 400mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1315DL-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1315DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 900MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 400mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1315DL-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 8V .9A .4W
на замовлення 5365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-BE3VishayP-Channel 20 V MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT323 P-CH 20V 1.4A
на замовлення 89720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A/1.4A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V
на замовлення 5692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+21.81 грн
100+14.76 грн
500+11.27 грн
1000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1317DL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A/1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-3
на замовлення 46668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.99 грн
9000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1317DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.125 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 34825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 272 @ 10, Qg, нКл = 6,5, Rds = 150 мОм, Ugs(th) = 0,8 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -50...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A; 0.5W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 6.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
On-state resistance: 0.27Ω
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.64 грн
15+29.02 грн
17+25.24 грн
100+15.26 грн
500+10.90 грн
1000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V
на замовлення 64742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
12+26.27 грн
50+19.08 грн
100+15.72 грн
500+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1317DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.125 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 33885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI132C-03200Утримувач Sim картки з металевою кришкою, на заміну SI46C HOLDER
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10+69.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 N CHAN 60V
на замовлення 32017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.04 грн
100+21.98 грн
500+15.74 грн
1000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
на замовлення 25734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.04 грн
100+21.98 грн
500+15.74 грн
1000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC70-3
на замовлення 6245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.77 грн
6000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V Vds 20V Vgs SC70-3
на замовлення 21968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1344SILICONIX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI134C-03200Утримувач MicroSim картки з відкидною металевою кришкою, 6 контактів, на заміну SI35C HOLDER
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10+69.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI13512CT128
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI13531ACNU
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DCVISHAY
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-T1VISHAY
на замовлення 6838 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6
на замовлення 6432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6
на замовлення 6432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-TI2003
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401DY-T1
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1VISHAY
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.59 грн
100+18.95 грн
500+13.48 грн
1000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1401EDH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 12V, 4A, SC-70
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 P-CH 12V 4A
на замовлення 53926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si1401EDH-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 10V Vgs SC70-6
на замовлення 9860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 8374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+30.95 грн
100+19.89 грн
500+14.18 грн
1000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.27 грн
6000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1401EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 21865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1402DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1402DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1403BDL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 568mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+32.46 грн
100+20.95 грн
500+15.01 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-BE3VishayMOSFETs SC70 P CHAN 2.5V
на замовлення 29645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.83 грн
6000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC-70
на замовлення 32996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.