Продукція > TK1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK12J60W,S1VE(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60WS1VQ(OToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQToshibaMOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=100W F=1MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.68 грн
10+117.52 грн
50+89.38 грн
100+75.35 грн
500+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12P50W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12P50W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50WRQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.09 грн
10+123.78 грн
50+94.48 грн
100+79.81 грн
500+64.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+217.03 грн
72+197.29 грн
78+183.01 грн
85+161.78 грн
100+135.26 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.03 грн
10+197.29 грн
25+183.01 грн
50+161.78 грн
100+135.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W.RVQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; 100W; DPAK
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.96 грн
10+158.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12Q60W,S1VQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12Q60W,S1VQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12Q60W,S1VQ(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12Q60W,S1VQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.63 грн
10+126.97 грн
25+114.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12Q60W,S1VQ(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; Idm: 46A; 100W; IPAK
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12Q60WS1VQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12V60W,LVQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 104W 890pF 11.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12V60W,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 4-Pin DFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12V60W,LVQ(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.265ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12V60WLVQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12W-004Fuji Electric CorporationElectromechanical Relay 6A SPST-NO/SPST-NC(45x50x61.5)mm Thermal Overload Relay
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3818.92 грн
5+3450.44 грн
10+3236.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12W-005Fuji Electric CorporationElectromechanical Relay 5A SPST-NO/SPST-NC(45x50x61.5)mm Socket Thermal Overload Relay
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12W-006Fuji Electric CorporationElectromechanical Relay 5A SPST-NO/SPST-NC(55x45x61.5)mm DIN Rail Thermal Overload Relay
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3818.92 грн
5+3450.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12W-1P7Fuji Electric CorporationElectromechanical Relay SPST-NO/SPST-NC(45x50x61.5)mm DIN Rail Thermal Overload Relay
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3753.31 грн
5+3511.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12W-P10Fuji Electric CorporationTK12W-P10
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3658.03 грн
5+3320.15 грн
10+3123.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12W-P24Fuji Electric CorporationElectromechanical Relay 5A DPDT(45x61.5)mm DIN Rail Thermal Overload Relay
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12W-P95Fuji Electric CorporationMini Contactors and Thermal Overload Relays
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3818.92 грн
5+3450.44 грн
10+3236.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12X60U(TE24L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TFP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12X60U(TE24L,Q)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1305800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1305800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 13P SIDE ENTRY 5MM PCB
Positions Per Level: 13
Mating Orientation: Horizontal with Board
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Wire Gauge: 12-22 AWG
Mounting Type: Through Hole
Color: Gray
Packaging: Bulk
Voltage: 250 V
Number of Levels: 1
Current: 15 A
Part Status: Active
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1312TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,both sides; 12m; black; 0.25mm2
Version: mono
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 12m
Insulation colour: black
Cable/adapter structure: both sides; Jack 6,3mm 2pin plug
Type of connection cable: Jack - Jack
Enclosure material: metal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1330-NP/C-ALilliput Electronics (USA) Inc.Description: MONITOR 13.30" NON-TOUCH
Packaging: Retail Package
Interface: AV, DVI, HDMI, VGA
Dot Pixels: 1920 x 1080
Diagonal Screen Size: 13.30" (337.82mm)
Touchscreen: Non-Touch
Part Status: Active
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17751.05 грн
5+16169.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK1330-NP/C/TLilliput Electronics (USA) Inc.Description: MONITOR 13.30" CAP 1920 X 1080
Packaging: Box
Interface: DVI, HDMI, VGA
Dot Pixels: 1920 x 1080
Diagonal Screen Size: 13.30" (337.82mm)
Touchscreen: Capacitive
Part Status: Active
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25975.62 грн
10+24353.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK1330-NP/C/T
Код товару: 193531
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1334.1
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A25DToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A25D,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+68.52 грн
250+65.77 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A25D,S5X(JToshibaTK13A25D,S5X(J
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 13A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
10+141.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 13A 450V 45W 1350pF 0.46
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50DToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(Q)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(QM)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+408.98 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 13A 500V 45W 1800pF 0.40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.06 грн
50+130.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(STA4,X,M)ToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D,S5Q(JToshibaTK13A50D,S5Q(J
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D,S5Q(JToshibaTK13A50D,S5Q(J
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+377.46 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D,S5Q(JToshibaTK13A50D,S5Q(J
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50DA
Код товару: 166816
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50DA(STA4,Q,MToshibaMOSFETs N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50DA(STA4,Q,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A55DAToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A55DA(STA4,QM)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 12.5A 550V 45W 1800pF 0.48
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A55DA(STA4,QM)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 12.5A TO220SIS
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A60DToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A60D
Код товару: 164153
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch RDS 0.33 Ohm Yfs 6.5s 10uA 600V
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65DToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65D,S5Q(J)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65UToshibaMOSFETs Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(LS1CAN,QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(LS1CANOQMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET RDS .32Ohm Yfs 8.0s VDS 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(STA4,Q,M)
Код товару: 129591
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(STA4,X,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(STA4,X,S)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U,S4PHIQ(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U,S5SYEDQ(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13E25D,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]