Продукція > TK1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK1330-NP/C/T
Код товару: 193531
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1330-NP/C/TLilliput Electronics (USA) Inc.Description: MONITOR 13.30" CAP 1920 X 1080
Packaging: Box
Interface: DVI, HDMI, VGA
Dot Pixels: 1920 x 1080
Diagonal Screen Size: 13.30" (337.82mm)
Touchscreen: Capacitive
Part Status: Active
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25741.66 грн
10+24134.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK1334.1
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A25DToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A25D,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+68.52 грн
250+65.77 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A25D,S5X(JToshibaTK13A25D,S5X(J
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 13A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.35 грн
10+139.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 13A 450V 45W 1350pF 0.46
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50DToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(Q)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(QM)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 13A 500V 45W 1800pF 0.40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.02 грн
50+129.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+408.98 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(STA4,X,M)ToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D,S5Q(JToshibaTK13A50D,S5Q(J
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D,S5Q(JToshibaTK13A50D,S5Q(J
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D,S5Q(JToshibaTK13A50D,S5Q(J
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+377.46 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50DA
Код товару: 166816
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50DA(STA4,Q,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50DA(STA4,Q,MToshibaMOSFETs N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A55DAToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A55DA(STA4,QM)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 12.5A TO220SIS
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A55DA(STA4,QM)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 12.5A 550V 45W 1800pF 0.48
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A60D
Код товару: 164153
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A60DToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch RDS 0.33 Ohm Yfs 6.5s 10uA 600V
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65DToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65D,S5Q(J)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65UToshibaMOSFETs Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(LS1CAN,QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(LS1CANOQMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(STA4,Q,M)
Код товару: 129591
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET RDS .32Ohm Yfs 8.0s VDS 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(STA4,X,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(STA4,X,S)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U,S4PHIQ(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U,S5SYEDQ(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13E25D,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13E25D,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13E25D,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.96 грн
10+129.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13H90A1
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK13H90A1 (Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13J65UToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13J65U(F)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 13A 650V 170W 950pF 0.38
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13J65U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13A TO-3PN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.99 грн
10+49.03 грн
100+38.15 грн
500+30.34 грн
1000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.13 грн
4000+44.47 грн
6000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 13A; 96W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 13A
Power dissipation: 96W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.86 грн
8+53.06 грн
25+47.26 грн
100+42.29 грн
500+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
у наявності 20 шт:
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.66 грн
4000+44.01 грн
6000+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25DRQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14023M (TC)Description: COLLEGE DORM TAPE KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1402A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1405800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1405800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 14P SIDE ENTRY 5MM PCB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14489MTLTOKOSOP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14521MTL
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14551VTLTOKO00+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14552VTOKO02+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14552VTL-1
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14570LTLTOKO
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14570LTL-GTOKO10+ SOT-23
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14571TOKO
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14581MTLTOKO1995
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14583VTLTOKO
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14588VTLTOKOTSSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14588VTL-GTOKOTSOP16
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14620MTL
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 14A 450V 45W 1800pF 0.34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 14A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A45DA(STA4,QM)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 13.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 6.8A, 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A45DA(STA4,QM)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 13.5A 450V 45W 1550pF 0.41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A55DToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 14A 550V 50W 2300pF 0.37
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 14A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W,S5XToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W,S5X(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 40W
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.94 грн
10+155.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]