Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFL110TRPBF-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - IRFL110TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 1.5A, SOT-223 tariffCode: 85412900 MSL: MSL 1 - Unlimited productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 4Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL110TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL110TRPBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL11N50A | IR | 07+ SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL17N20D | IR | 07+ SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL210 Код товару: 39139
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-223 Uds,V: 200 V Idd,A: 0,96 A Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFL210 | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFL210 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL210 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL210 | Siliconix | Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 960mA; 3,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL210 TIRFL210 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL210PBF | HEXFET N-CH 200V 0.96A 1.5Om SOT-223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFL210PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL210PBF | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRFL210TRPBF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL210PBF | IRFL210PBF Транзисторы HEXFET | на замовлення 91 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFL210TR | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFL210TRPBF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL210TR | на замовлення 42500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFL210TR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL210TRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V | на замовлення 7073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL210TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL210TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL210TRPBF | N-CH 200V 3.1 W SOT-223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFL210TRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL210TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL210TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL210TRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 200V 0.96 Amp | на замовлення 4548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL210TRPBF Код товару: 168728
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFL210TRPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223 Pulsed drain current: 7.7A Drain current: 0.6A Gate charge: 8.2nC On-state resistance: 1.5Ω Power dissipation: 3.1W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT223 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V | на замовлення 262 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL210TRPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFL210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 960 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 960mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 3.1W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL210TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL210TRPBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SOT223 200V .96A N-CH MOSFET | на замовлення 5617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL210TRPBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL210TRPBF-BE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223 Pulsed drain current: 7.7A Drain current: 0.6A Gate charge: 8.2nC On-state resistance: 1.5Ω Power dissipation: 3.1W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT223 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL210TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL210TRPBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL214 Код товару: 1077
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-223 Uds,V: 250 V Idd,A: 0,79 A Rds(on), Ohm: 2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL214 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL214 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL214PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL214PBF | VISHAY | на замовлення 15520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFL214TR | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFL214TRPBF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL214TR | IR | на замовлення 20800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFL214TR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL214TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL214TRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs SOT223 250V .79A N-CH MOSFET | на замовлення 1823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL214TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL214TRPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFL214TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 790 mA, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 790mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL214TRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL214TRPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFL214TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 790 mA, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 790mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL214TRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL214TRPBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 790 мА, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 B, Rds = 2 Oм @ 470 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL214TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL214TRPBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL214TRPBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SOT223 250V .79A N-CH MOSFET | на замовлення 2279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL214TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL2203 | 225p | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFL23N15D | IR | 07+ SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL23N20D | IR | 07+ SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL31N20D | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta) Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL31N20DPBF | IR | 07+ SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL3303 | IR | 07+ SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL33N15D | IR | 07+ SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL3803S | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFL38N20D | IR | 07+ SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4103 | IR | 07+ SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4105 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4105 Код товару: 32875
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-223 Uds,V: 55 V Idd,A: 3,7 A Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 660/35 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4105PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4105PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 23nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4105PBF | International Rectifier | SOT-223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4105TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4105TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4105TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223 Drain current: 3.7A Power dissipation: 2.1W Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Mounting: SMD Case: SOT223 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V | на замовлення 1485 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL4105TRPBF | International Rectifier | SOT-223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4105TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4105TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | на замовлення 483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL4105TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V | на замовлення 1911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL4105TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | на замовлення 483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL4105TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 3.7A 45mOhm 23nC | на замовлення 408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL4105TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL41N15D | IR | 07+ SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL42N20D | IR | 07+ SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4310 Код товару: 30167
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-223 Uds,V: 100 V Idd,A: 1,6 A Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 330/17 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFL4310 | International Rectifier | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 packa Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4310 | IR | SOT-223 | на замовлення 62500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4310PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4310PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,6 A, Ptot, Вт = 2,1, Тип монт. = smd, Rds = 200 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2...4, Pb-free,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL4310PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET200mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4310PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube | на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL4310TR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4310TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4310TR | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 2,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL4310 TIRFL4310 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC | на замовлення 10659 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL4310TRPBF Код товару: 53875
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-223 Uds,V: 100 V Idd,A: 1,6 A Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 330/25 Монтаж: SMD | у наявності: 25 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL4310TRPBF | Infineon | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 packa, pbf Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFL4310TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 1W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm | на замовлення 2504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|