Продукція > R60

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R605550000RadiallРозніми високочастотні (коаксіальні, RF)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R605550000RADIALLDescription: RADIALL - R605550000 - HF-/Koaxialsteckverbinder, Koaxial, Gerade Einbaubuchse mit Verschraubung, Gelötet, 50 ohm
tariffCode: 85366910
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Kontaktüberzug: Versilberte Kontakte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Berylliumkupfer
Steckverbinderausführung: Gerade Einbaubuchse mit Verschraubung
isCanonical: Y
Steckverbindermontage: Panelmontage
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Steckverbinder: Koaxial
Koaxialanschluss: Gelötet
Impedanz: 50ohm
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Frequenz, max.: 500MHz
Koaxialkabeltyp: -
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R605550020RadiallRF Connectors / Coaxial Connectors BR2 / BULKHEAD RECEPTACLE FRONT MOUNTING
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+702.08 грн
28+512.14 грн
50+454.43 грн
100+411.54 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 23A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 100 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.07 грн
10+216.93 грн
50+189.30 грн
100+169.63 грн
250+161.15 грн
500+156.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 165A N-CH MOSFET
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNXC7GROHMDescription: ROHM - R6055VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.071 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+484.96 грн
31+464.12 грн
50+446.44 грн
100+415.89 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6055VNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 55 A, 0.071 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+916.50 грн
25+868.98 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 600V 55A TO-247, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 100 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.18 грн
30+286.37 грн
120+240.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 650V 165A N-CH MOSFET
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNZC17Rohm SemiconductorDescription: 600V 23A TO-3PF, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 100 V
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.07 грн
10+327.35 грн
30+298.67 грн
120+256.26 грн
270+245.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+873.99 грн
23+637.16 грн
50+565.03 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs TO3P 650V 165A N-CH MOSFET
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNZC17ROHMDescription: ROHM - R6055VNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.071 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 99W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+603.90 грн
25+577.96 грн
50+555.93 грн
100+517.89 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R605600000RadiallRF Connectors / Coaxial Connectors BR2 / BULKHEAD RECEPTACLE FRONT MOUNTING PANEL SEALED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R605600000RADIALLDescription: RADIALL - R605600000 - HF-/Koaxialsteckverbinder, Koaxial, Gerade Einbaubuchse mit Verschraubung, Gelötet, 63 ohm
tariffCode: 85366930
rohsCompliant: Y-EX
Kontaktüberzug: Versilberte Kontakte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: -
Steckverbinderausführung: Gerade Einbaubuchse mit Verschraubung
Steckverbindermontage: Panelmontage
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Steckverbinder: Koaxial
Koaxialanschluss: Gelötet
Impedanz: 63ohm
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenz, max.: 500MHz
Koaxialkabeltyp: -
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R605600000Radiall USA, Inc.Description: BR2 / BULKHEAD RECEPTACLE FRONT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60600-1CREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 600A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60600-1STRBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60600-1STREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 600A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60600-3CREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 600A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R606004000RadiallRF Connectors / Coaxial Connectors BD2(M F) STR NA FLEX CL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6061XNJ3TBDCRohm SemiconductorDescription: 600V 61A DFN8080-5L, HIGH-SPEED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6061XNJ3TBDCRohm SemiconductorDescription: 600V 61A DFN8080-5L, HIGH-SPEED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6061XNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 26A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6061YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 26A, TO-220FM, Power MOSFET: R6061YNX is a power MOSFET with Low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6061YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6061YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.06 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6061YNXC7GRohm SemiconductorDescription: NCH 600V 26A, TO-220FM, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 100 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.39 грн
10+233.98 грн
50+183.08 грн
100+160.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6061YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET LOW ON-RESISTANCE
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6061YNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6061YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 568W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R606550000RadiallRF Connectors / Coaxial Connectors BD2(M F) NC SP STR BH RCPT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6070JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6070JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.045 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6070JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 770W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 100 V
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+617.65 грн
30+560.70 грн
120+267.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6070JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+954.54 грн
25+907.41 грн
50+863.06 грн
100+792.14 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6070JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 70A TO-247, PrestoMOS with integrated high-speed diode
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6070JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+660.03 грн
23+618.54 грн
50+609.11 грн
100+569.17 грн
200+516.91 грн
500+492.19 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6076ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 76A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6076ENZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+762.82 грн
25+727.60 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6076ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6076ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1096.79 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6076ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1124.77 грн
30+855.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6076ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1037.19 грн
15+980.62 грн
50+868.41 грн
100+767.39 грн
200+681.92 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6076ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6076KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 76A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6076KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 76A Power MOSFET. R6076KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6076KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1207.72 грн
120+1162.33 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6076KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6076KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.042 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6076KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+747.72 грн
20+720.38 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6076MNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 76A TO-247 Pwr MOSFET
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6076MNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6076MNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.42 грн
27+27.98 грн
28+26.55 грн
50+24.19 грн
100+22.84 грн
250+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6076MNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1140.55 грн
25+1087.89 грн
50+1044.11 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6076MNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 740W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1150.34 грн
17+832.58 грн
50+727.92 грн
100+601.91 грн
200+515.23 грн
500+474.41 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6077VNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 781W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 600V 77A TO-247, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 23A, 15V
Power Dissipation (Max): 781W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+862.20 грн
30+510.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1410.09 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 650V 231A N-CH MOSFET
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1171.69 грн
25+863.98 грн
50+834.41 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZC17Rohm SemiconductorDescription: 600V 29A TO-3PF, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 23A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+637.24 грн
30+362.02 грн
120+306.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+884.31 грн
30+867.52 грн
50+790.98 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+456.36 грн
39+370.56 грн
50+287.58 грн
100+264.58 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZC17ROHMDescription: ROHM - R6077VNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.051 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 113W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6081PHIQFN
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6085
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6086YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+624.54 грн
25+597.70 грн
50+574.93 грн
100+535.59 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6086YNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 86A, TO-247, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 17A, 12V
Power Dissipation (Max): 781W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 100 V
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+821.44 грн
30+485.68 грн
120+438.95 грн
510+395.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6086YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 650V 258A N-CH MOSFET
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6086YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+912.47 грн
22+664.81 грн
50+590.28 грн
100+534.42 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6086YNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1178.13 грн
25+1123.73 грн
50+1078.51 грн
100+1003.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6086YNZC17Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 33A, TO-3PF, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 17A, 12V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1340.32 грн
10+1136.63 грн
100+983.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6086YNZC17ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6086YNZC17ROHMDescription: ROHM - R6086YNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 114W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6086YNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2236.09 грн
9+1743.19 грн
10+1659.03 грн
50+1402.71 грн
100+1191.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R608XMAEPCOS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R609061STCPTXCO2
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R60CF4330AA6AKKEMETFilm Capacitors 3.3 U 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60CF4330DQ6AKKEMETFilm Capacitors 3.3 U 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60CF4560506AKKEMETDescription: KEMET - R60CF4560506AK - Universeller Folienkondensator, Metallisiertes PET, gestapelt, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 5.6 µF
tariffCode: 85322500
Produkthöhe: 12mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 13mm
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PET, gestapelt
Spannung (AC): 30V
Kapazität: 5.6µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: R60 Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
Produktbreite: 6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R60CF4560506AKKEMETFilm Capacitors 50V 5.6 uF 105C 10% 2 Pin LS=10 mm AEC-Q200
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R60CF4560506AKKEMETDescription: CAP FILM 5.6UF 10% 50VDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: Automotive
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
Ratings: AEC-Q200
Dielectric Material: Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked
Voltage Rating - AC: 30V
Voltage Rating - DC: 50V
Height - Seated (Max): 0.476" (12.10mm)
Part Status: Active
Capacitance: 5.6 µF
Size / Dimension: 0.512" L x 0.236" W (13.00mm x 6.00mm)
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.11 грн
10+108.84 грн
50+88.70 грн
100+76.88 грн
500+65.19 грн
1200+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60CF4560DQ6AKKEMETDescription: CAP FILM AUTOMOTIVE
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60DF3470AA3AJKEMETDescription: 0,47 U 63V
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: Automotive
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
Ratings: AEC-Q200
Dielectric Material: Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked
Voltage Rating - AC: 40V
Voltage Rating - DC: 63V
Capacitance: 0.47 µF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60DF3470AA3AJKEMETFilm Capacitors 63V 0.47 uF 105C 5% 2 Pin LS=10 mm AEC-Q200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60DF3470AA3AKKEMETFilm Capacitors 63V 0.47 uF 105C 10% 2 Pin LS=10 mm AEC-Q200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60DF3470AA6AJKEMETDescription: 0,47 U 63V
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: Automotive
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
Ratings: AEC-Q200
Dielectric Material: Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked
Voltage Rating - AC: 40V
Voltage Rating - DC: 63V
Capacitance: 0.47 µF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60DF3470AA6AJKemetCap Film 0.47uF 63V PET 5% (13 X 4 X 9mm) Radial Wound 10mm 105°C Automotive AEC-Q200 Bulk
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60DF3470AA6AJKEMETDescription: 0,47 U 63V
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: Automotive
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
Ratings: AEC-Q200
Dielectric Material: Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked
Voltage Rating - AC: 40V
Voltage Rating - DC: 63V
Capacitance: 0.47 µF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60DF3470AA6AJKEMETFilm Capacitors 0.47 U 63V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60DF3470CK6AKKEMETDescription: 0,47 U 63V
Packaging: Box
Tolerance: ±10%
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: Automotive
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
Ratings: AEC-Q200
Dielectric Material: Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked
Voltage Rating - AC: 40V
Voltage Rating - DC: 63V
Capacitance: 0.47 µF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60DF3470DQ3AJKEMETFilm Capacitors 63V 0.47 uF 105C 5% 2 Pin LS=10 mm AEC-Q200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60DF3470DQ3AKKEMETFilm Capacitors 63V 0.47 uF 105C 10% 2 Pin LS=10 mm AEC-Q200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60DF3470DQ3AKKEMETDescription: 0,47 U 63V
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: Automotive
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
Ratings: AEC-Q200
Dielectric Material: Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked
Voltage Rating - AC: 40V
Voltage Rating - DC: 63V
Capacitance: 0.47 µF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60DF3470DQ6AJKEMETDescription: 0,47 U 63V
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: Automotive
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
Ratings: AEC-Q200
Dielectric Material: Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked
Voltage Rating - AC: 40V
Voltage Rating - DC: 63V
Capacitance: 0.47 µF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60DF3470DQ6AJKEMETFilm Capacitors 0,47 U 63V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60DF3680AA30KKEMETFilm Capacitors 0.68 U 63V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]