Продукція > STW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STW6102 / BON-102STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Pen; Tip: thin,paintbrush; ESD; polyetylene,polypropylene; 8ml
Version: ESD
Kind of tip: paintbrush; thin
Type of dispensing tool: pen
Body material: polyetylene; polypropylene
Capacity: 8ml
Soldering equipment features: multiple refilling; protective cap
Applications of soldering equipment: flux, alcohole, fluoric lubricant dispensing
Trade name: Bonpen
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+694.43 грн
5+609.10 грн
10+573.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW6120STATICTECCategory: ESD Brushes
Description: Brush; ESD; Ø: 5mm; Overall len: 145mm; polypropylene conductive
Type of antistatic accessories: brush
Version: ESD
Diameter: 5mm
Overall length: 145mm
Features of antistatic elements: prevent from accumulation of electrostatic charges
Material: polypropylene conductive
Colour: black
Surface resistance: 0.1...1MΩ
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Resistance to: most of alcohols; most of solvents
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+459.08 грн
5+403.02 грн
10+378.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW6121STATICTECCategory: ESD Brushes
Description: Brush; ESD; 20mm; Overall len: 155mm; polypropylene conductive
Type of antistatic accessories: brush
Version: ESD
Overall length: 155mm
Features of antistatic elements: prevent from accumulation of electrostatic charges
Material: polypropylene conductive
Colour: black
Surface resistance: 0.1...1MΩ
Brush width: 20mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Resistance to: most of alcohols; most of solvents
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+459.08 грн
5+403.02 грн
10+378.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW6123STATICTECCategory: ESD Brushes
Description: Brush; ESD; 45mm; Overall len: 140mm; polypropylene conductive
Type of antistatic accessories: brush
Version: ESD
Overall length: 140mm
Features of antistatic elements: prevent from accumulation of electrostatic charges
Material: polypropylene conductive
Colour: black
Surface resistance: 0.1...1MΩ
Brush width: 45mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Resistance to: most of alcohols; most of solvents
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+595.99 грн
5+522.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW6124STATICTECCategory: ESD Brushes
Description: Brush; ESD; 60mm; Overall len: 170mm; polypropylene conductive
Type of antistatic accessories: brush
Version: ESD
Overall length: 170mm
Features of antistatic elements: prevent from accumulation of electrostatic charges
Material: polypropylene conductive
Colour: black
Surface resistance: 0.1...1MΩ
Brush width: 60mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Resistance to: most of alcohols; most of solvents
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+797.34 грн
5+699.67 грн
10+658.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW6130STATICTECCategory: ESD Brushes
Description: Brush; ESD; 10mm; Overall len: 170mm; polypropylene conductive
Type of antistatic accessories: brush
Version: ESD
Overall length: 170mm
Features of antistatic elements: prevent from accumulation of electrostatic charges
Material: polypropylene conductive
Colour: black
Surface resistance: 0.1...1MΩ
Working part length: 35mm
Brush width: 10mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Resistance to: most of alcohols; most of solvents
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+499.35 грн
5+437.92 грн
10+412.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW6131STATICTECCategory: ESD Brushes
Description: Brush; ESD; 20mm; Overall len: 220mm; polypropylene conductive
Type of antistatic accessories: brush
Version: ESD
Overall length: 220mm
Features of antistatic elements: prevent from accumulation of electrostatic charges
Material: polypropylene conductive
Colour: black
Surface resistance: 0.1...1MΩ
Working part length: 90mm
Brush width: 20mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Resistance to: most of alcohols; most of solvents
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+692.64 грн
5+607.44 грн
10+571.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW6140STATICTECCategory: ESD Brushes
Description: Brush; ESD; 35mm; Overall len: 95mm; polypropylene conductive
Type of antistatic accessories: brush
Version: ESD
Overall length: 95mm
Features of antistatic elements: prevent from accumulation of electrostatic charges
Material: polypropylene conductive
Colour: black
Surface resistance: 0.1...1MΩ
Working part length: 70mm
Brush width: 35mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Resistance to: most of alcohols; most of solvents
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+797.34 грн
5+699.67 грн
10+658.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW6141STATICTECCategory: ESD Brushes
Description: Brush; ESD; 50mm; Overall len: 120mm; polypropylene conductive
Type of antistatic accessories: brush
Version: ESD
Overall length: 120mm
Features of antistatic elements: prevent from accumulation of electrostatic charges
Material: polypropylene conductive
Colour: black
Surface resistance: 0.1...1MΩ
Working part length: 100mm
Brush width: 50mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Resistance to: most of alcohols; most of solvents
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1225.99 грн
5+1071.95 грн
10+1013.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW6142STATICTECCategory: ESD Brushes
Description: Brush; ESD; 55mm; Overall len: 180mm; polypropylene conductive
Type of antistatic accessories: brush
Version: ESD
Overall length: 180mm
Features of antistatic elements: prevent from accumulation of electrostatic charges
Material: polypropylene conductive
Colour: black
Surface resistance: 0.1...1MΩ
Working part length: 160mm
Brush width: 55mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Resistance to: most of alcohols; most of solvents
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2738.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW62N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+958.37 грн
30+559.95 грн
120+480.48 грн
510+407.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW62N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW62N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW62N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW62N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW62NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 65A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 100 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+848.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW62NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.049 Ohm 55A MDmesh II FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW63N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW63N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW63N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N023M9-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW65N023M9-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 95 A, 0.0199 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0199ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N023M9-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N023M9-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 92A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+978.67 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N023M9-4STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8844 pF @ 400 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1150.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N023M9-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 92A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N045M9-4STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+869.83 грн
30+668.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N045M9-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 54A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N045M9-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW65N045M9-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.039 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N045M9-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.59 грн
10+247.25 грн
100+245.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N65DM2AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 240A
Polarisation: unipolar
Drain current: 38A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N65DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N65DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW65N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 46 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N80K5STMicroelectronicsSTW65N80K5 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.07 Ohm typ., 46 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 100 V
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1105.15 грн
30+652.67 грн
60+603.72 грн
120+527.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 30A; Idm: 184A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 31.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 252A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW68N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N60M6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N60M6-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 63A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 31.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N60M6-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 252A; 390W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N65DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 51 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N65DM6STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3528 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N65DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N65DM6-4AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW68N65DM6-4AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 72 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 480W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N65DM6-4AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N65DM6-4AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+997.20 грн
30+582.07 грн
60+537.02 грн
120+468.42 грн
510+422.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW69N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+980.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+823.10 грн
21+701.65 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+767.81 грн
5+607.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+971.57 грн
30+568.41 грн
60+545.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+980.06 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 36.5A; Idm: 232A; 330W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 232A
Gate charge: 143nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5-4STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 650V 0.037Ohm 58A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+927.30 грн
30+540.39 грн
60+498.43 грн
120+434.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N120K3STMMOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N120K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N120K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 1200V 1.95 Ohm 6A Zener SuperMESH3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N120K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N120K3
Код товару: 177072
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 1200 В
Струм стоку Idd, А: 6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,94 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1050/39
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+99.00 грн
10+90.20 грн
100+82.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+259.53 грн
10+160.36 грн
100+121.15 грн
600+99.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.52 грн
30+130.53 грн
60+117.43 грн
120+99.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 110W
Technology: MDmesh™ K5
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW6N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 0.91 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+256.15 грн
90+158.27 грн
119+119.57 грн
600+97.89 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.32 грн
30+122.40 грн
60+109.95 грн
120+93.35 грн
510+77.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N10F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N10F4STM
на замовлення 92270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 66A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 446W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ DM2
Drain current: 42A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+743.65 грн
5+619.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW70N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Gate charge: 99nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 62A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 62A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4STMMOSFET N-CH 600V 62A TO247-4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Pulsed drain current: 220A
Version: ESD
Kind of package: tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+617.47 грн
3+564.23 грн
10+550.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2STMMOSFET N-CH 600V 68A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.