Продукція > STW

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STW6N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.82 грн
30+131.84 грн
120+107.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW6N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 0.91 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+201.08 грн
106+134.27 грн
127+112.16 грн
500+102.48 грн
1200+92.21 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.98 грн
30+111.46 грн
120+90.57 грн
510+70.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.71 грн
10+118.68 грн
100+112.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+267.97 грн
10+151.47 грн
100+133.99 грн
250+116.09 грн
600+100.56 грн
1200+95.71 грн
5400+94.03 грн
10200+93.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.16 грн
10+120.99 грн
100+85.70 грн
600+71.07 грн
1200+69.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N10F4STM
на замовлення 92270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N10F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 66A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5508 pF @ 100 V
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+722.68 грн
30+414.48 грн
120+352.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+816.10 грн
10+479.94 грн
100+355.33 грн
1200+353.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 42A
Technology: MDmesh™ DM2
Case: TO247
Power dissipation: 446W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+708.08 грн
5+625.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW70N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+846.17 грн
5+784.40 грн
10+722.62 грн
50+614.39 грн
100+514.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 39A
Case: TO247
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 62A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+675.47 грн
10+455.10 грн
100+323.28 грн
600+268.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 62A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+806.34 грн
10+504.78 грн
100+365.78 грн
600+326.07 грн
1200+300.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4STMMOSFET N-CH 600V 62A TO247-4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+623.18 грн
3+569.44 грн
10+556.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2STTransistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C; STW70N60M2 TSTW70N60M2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+495.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+642.73 грн
30+365.54 грн
120+309.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+725.06 грн
10+420.65 грн
100+303.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2STMMOSFET N-CH 600V 68A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW70N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 450W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1043.69 грн
5+734.81 грн
10+647.02 грн
50+500.42 грн
100+429.18 грн
250+395.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Technology: MDmesh™ || Plus
Case: TO247
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 650V
Version: ESD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+587.05 грн
3+482.22 грн
5+446.16 грн
10+403.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Technology: MDmesh™ M2
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Technology: MDmesh™ DM6
Case: TO247
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW70N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1059.95 грн
5+855.11 грн
10+650.28 грн
50+555.52 грн
100+441.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1163.99 грн
10+795.62 грн
100+596.40 грн
600+553.90 грн
1200+527.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 68A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.039 Ohm typ., 63 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 31.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 117nC
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 40A
Case: TO247
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 446W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW72N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW72N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 66A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5508 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+615.29 грн
30+345.87 грн
120+291.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW72N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 66A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW72N60DM2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW72N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+522.66 грн
5+499.09 грн
10+475.51 грн
50+419.66 грн
100+367.17 грн
250+346.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW72N60DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 56 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW72N60DM6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4444 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW74NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW74NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW74NF30STMicroelectronicsMOSFET N-channel 300 V, 35 mOhm, 60 A STripFET II Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N20STMN-channel 200V - 0.028. - 75A, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N20
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N20STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+689.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+721.81 грн
10+532.02 грн
100+379.71 грн
600+346.27 грн
1200+314.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 240A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+689.92 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+841.29 грн
10+580.09 грн
100+496.76 грн
600+305.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+459.83 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+458.95 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 100 V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+804.19 грн
10+536.65 грн
100+402.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A; 446W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1094.09 грн
10+811.65 грн
120+575.49 грн
510+529.51 грн
1020+470.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW75N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1098.15 грн
5+950.22 грн
10+802.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+318.79 грн
69+207.52 грн
100+175.73 грн
600+158.89 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+158.69 грн
1200+156.24 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20
Код товару: 47368
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+319.28 грн
10+207.83 грн
100+176.00 грн
600+159.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.93 грн
30+206.08 грн
120+170.64 грн
510+135.77 грн
1020+126.88 грн
2010+120.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20STMicroelectronicsMOSFETs Low charge STripFET
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+383.66 грн
10+219.54 грн
100+157.46 грн
600+130.29 грн
1200+118.44 грн
3000+114.96 грн
5400+114.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW75NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+490.15 грн
10+345.46 грн
100+252.79 грн
500+201.53 грн
1000+182.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 47A
Case: TO247
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Technology: STripFET™
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+305.27 грн
5+238.18 грн
10+230.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+156.24 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 60A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF30STMicroelectronicsMOSFET N-channel 300 V, 60A II Power MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF30AGSTMicroelectronicsN-channel Power MOSFET
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+273.72 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF30AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 60A
Case: TO247
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+417.26 грн
3+348.88 грн
10+308.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF30AGSTMicroelectronicsN-channel Power MOSFET
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF30AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 60A TO247
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF30AGSTMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N60M5
Код товару: 47500
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N60M5
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+964.58 грн
30+812.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+842.99 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N65M5STMMOSFET N-Ch 650V 69A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
440+837.88 грн
Мінімальне замовлення: 440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 34.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 100 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1167.88 грн
30+693.82 грн
120+599.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]