Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC0704LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.0077 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.48 грн
19+44.54 грн
100+36.25 грн
500+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0704LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/47A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0704LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
911+38.83 грн
1000+35.81 грн
10000+31.92 грн
Мінімальне замовлення: 911 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0704LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.0077 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.48 грн
19+44.54 грн
100+36.25 грн
500+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0704LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0704LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/47A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+59.18 грн
100+45.39 грн
500+33.68 грн
1000+26.94 грн
2000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5Infineon TechnologiesBSC070N10LS5
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+224.53 грн
66+215.98 грн
100+208.64 грн
250+195.09 грн
500+175.72 грн
1000+164.57 грн
2500+160.94 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 11801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.73 грн
50+90.23 грн
250+78.44 грн
1000+61.59 грн
3000+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+96.31 грн
25+90.91 грн
100+78.30 грн
250+74.10 грн
500+71.13 грн
1000+67.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 11801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.23 грн
250+78.44 грн
1000+61.59 грн
3000+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+140.83 грн
107+132.86 грн
117+121.91 грн
250+111.21 грн
500+98.81 грн
1000+91.10 грн
5000+83.17 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3InfineonN-Channel 100V 90A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 11374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 14mOhm; 90A; 114W; -55°C ~ 150°C; BSC070N10NS3 G TBSC070n10ns3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+93.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GInfineon technologies
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.90 грн
195+72.59 грн
500+61.38 грн
1000+56.44 грн
2500+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.97 грн
500+64.01 грн
1000+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.78 грн
10+94.78 грн
100+72.50 грн
500+59.12 грн
1000+52.19 грн
2500+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 46289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+91.07 грн
500+81.97 грн
1000+75.58 грн
10000+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.77 грн
10+127.62 грн
100+86.97 грн
500+64.01 грн
1000+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 700000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+72.08 грн
350000+65.86 грн
525000+61.29 грн
700000+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.03 грн
133+106.55 грн
175+81.28 грн
200+76.56 грн
1000+70.80 грн
2000+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 6570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+88.23 грн
100+59.79 грн
500+44.68 грн
1000+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.04 грн
80+177.02 грн
100+171.01 грн
250+159.91 грн
500+144.03 грн
1000+134.89 грн
2500+131.91 грн
5000+129.28 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5Infineon
на замовлення 595000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.50 грн
127+112.24 грн
250+107.75 грн
500+100.14 грн
1000+89.70 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 9501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+95.03 грн
100+64.34 грн
500+48.06 грн
1000+44.09 грн
2000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1InfineonN-Channel 100 V 80A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.77 грн
116+122.53 грн
160+88.43 грн
250+84.42 грн
500+61.48 грн
1000+54.13 грн
3000+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.08 грн
50+110.55 грн
250+78.28 грн
1000+54.87 грн
3000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.91 грн
10+123.77 грн
25+122.53 грн
100+85.28 грн
250+78.17 грн
500+59.02 грн
1000+54.13 грн
3000+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.34 грн
118+120.62 грн
160+88.42 грн
500+68.69 грн
1000+58.61 грн
2000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 450000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+123.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.55 грн
250+78.28 грн
1000+54.87 грн
3000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5InfineonMOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8(5x6) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+230.64 грн
64+221.85 грн
100+214.33 грн
250+200.40 грн
500+180.51 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 8620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC070N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 82 A, 6000 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.16 грн
10+156.88 грн
100+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC070N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 82 A, 6000 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCATMA2Infineon Technologies IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/40A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N025SG
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N03LD GInfineonQFN
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N03LD GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N03LDGInfineon technologies
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N03LDGATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC072N03LDGATMA1 - BSC072N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
646+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 646 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N03LDGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N03LDGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N03LDGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.15 грн
153+92.97 грн
200+85.71 грн
500+60.10 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC072N04LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.79 грн
250+63.32 грн
1000+51.17 грн
3000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3990pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.57 грн
10000+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 19089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC072N04LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 6500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.62 грн
50+72.02 грн
250+53.08 грн
1000+45.06 грн
3000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3990pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
на замовлення 11514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+77.67 грн
100+52.07 грн
500+38.55 грн
1000+35.24 грн
2000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+211.45 грн
98+145.46 грн
136+104.61 грн
500+88.39 грн
1000+70.60 грн
2000+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 74 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2100 @ 40, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 7,20 мОм @ 37 A, 10 B , Ugs(th) = 3,8 B @ 36 мкА, Р, Вт = 2,5 (Ta), 69 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-7 Од
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 16382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.80 грн
250+84.54 грн
1000+64.61 грн
3000+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
на замовлення 48235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.71 грн
10+110.73 грн
100+75.64 грн
500+56.88 грн
1000+52.34 грн
2000+52.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 74A TDSON-8
на замовлення 17883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 15417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.44 грн
50+113.80 грн
250+84.54 грн
1000+64.61 грн
3000+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.13 грн
10000+45.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N3SINFINEON
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.27 грн
10+239.79 грн
100+199.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 136µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.99 грн
10+229.53 грн
100+163.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+170.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1InfineonN-Channel 150V 114A TSON-8-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+214.51 грн
500+202.72 грн
1000+192.12 грн
10000+173.89 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]