Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4978.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.23 грн
10+95.86 грн
25+94.18 грн
100+64.22 грн
250+58.00 грн
500+46.79 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.43 грн
50+36.60 грн
100+30.46 грн
500+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.86 грн
151+94.18 грн
213+66.60 грн
250+62.64 грн
500+48.74 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GInfineon technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6700 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6700 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+106.03 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSSHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD.BSC0702LS
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.59 грн
10000+55.63 грн
15000+52.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSInfineon60V 100A 83W 2.3mO@10V,50A 2.3V@49uA 1PCSNChannel TDSON-8-EP(5x6) MOSFETs ROHS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSInfineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4400 pF @ 30 V, Rds = 2.3mOhm @ 50A, 10V, Ugs(th) = 30 nC @ 4.5 V, Р, Вт = 83W, Тексп, °C = -55°C ~ 150°C,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0702LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 134A PG-TDSON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0702LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 134 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4400 @ 30, Qg, нКл = 30 @ 4,5 B, Rds = 2,7 мОм @ 50 A, 10 B, Ugs(th) = 2,3 B @ 49 мкА, Р, Вт = 83, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 134A PG-TDSON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0703LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/64A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 6753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.78 грн
10+63.49 грн
100+49.51 грн
500+38.38 грн
1000+30.30 грн
2000+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0703LSATMA1Infineon TechnologiesBSC0703LSATMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0703LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/64A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0703LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0703LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0703LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0053 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0704LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0704LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.0077 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0704LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/47A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0704LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/47A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.12 грн
10+58.63 грн
100+44.98 грн
500+33.37 грн
1000+26.69 грн
2000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0704LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.0077 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0704LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
911+38.92 грн
1000+35.89 грн
10000+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 911 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5Infineon TechnologiesBSC070N10LS5
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.85 грн
63+227.83 грн
100+220.10 грн
250+205.80 грн
500+185.37 грн
1000+173.61 грн
2500+169.78 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 18553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.26 грн
10+122.58 грн
50+93.45 грн
100+78.87 грн
500+63.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+100.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+131.13 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3InfineonN-Channel 100V 90A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GInfineon technologies
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 14mOhm; 90A; 114W; -55°C ~ 150°C; BSC070N10NS3 G TBSC070n10ns3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.86 грн
250+157.01 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+66.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.10 грн
10+87.84 грн
100+79.79 грн
500+64.92 грн
1000+56.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+88.59 грн
177+80.47 грн
500+67.90 грн
1000+61.06 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; Idm: 320A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Gate charge: 30nC
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.45 грн
80+177.41 грн
100+171.39 грн
250+160.26 грн
500+144.35 грн
1000+135.19 грн
2500+132.21 грн
5000+129.57 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.89 грн
137+103.76 грн
161+88.20 грн
250+84.20 грн
500+61.57 грн
1000+54.50 грн
3000+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.97 грн
10+123.89 грн
25+103.76 грн
100+85.05 грн
250+77.96 грн
500+59.11 грн
1000+54.50 грн
3000+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1InfineonBSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5 MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8(5x6) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+86.64 грн
500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1025000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+86.64 грн
500+77.97 грн
1000+71.91 грн
10000+61.82 грн
100000+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 7836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 810000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+124.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.00 грн
250+144.41 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8
на замовлення 21193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.83 грн
114+125.43 грн
134+106.56 грн
155+88.66 грн
500+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 7836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 9627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.55 грн
10+94.61 грн
50+71.48 грн
100+60.06 грн
500+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1InfineonBSC070N10NS5ATMA1 N-Channel 100 V 80A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.83 грн
10+125.43 грн
50+106.56 грн
100+88.66 грн
500+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+86.64 грн
500+77.97 грн
1000+71.91 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+231.16 грн
64+222.35 грн
100+214.81 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 8620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.