Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB175N20NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.33 грн
10+189.27 грн
100+132.09 грн
500+108.44 грн
1000+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB175N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 38A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 100 V
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.38 грн
10+172.31 грн
100+120.65 грн
500+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.80 грн
10+192.78 грн
25+191.36 грн
100+139.97 грн
250+128.59 грн
500+110.81 грн
1000+102.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+257.80 грн
74+192.78 грн
75+191.36 грн
100+139.97 грн
250+128.59 грн
500+110.81 грн
1000+102.63 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1InfineonN-Channel 200 V 9.7A (Ta), 61A (Tc) 3.8W (Ta), 203W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-U01 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB175N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 38A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3-100Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 17A D2PAK-2
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.46 грн
10+138.93 грн
100+89.05 грн
500+76.63 грн
1000+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.99 грн
90+157.84 грн
100+146.99 грн
500+125.48 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.07 грн
2000+66.44 грн
3000+63.94 грн
5000+57.38 грн
7000+57.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.46 грн
10+140.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.27 грн
86+165.45 грн
87+163.45 грн
105+130.55 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 17A D2PAK-2
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.32 грн
10+144.49 грн
100+88.36 грн
500+71.11 грн
1000+65.31 грн
2000+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 107W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.16 грн
500+89.74 грн
1000+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.79 грн
10+137.68 грн
100+95.27 грн
500+72.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.27 грн
10+165.45 грн
25+163.45 грн
100+130.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-01Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+365.65 грн
10+236.58 грн
100+153.26 грн
500+133.93 грн
1000+112.53 грн
2000+111.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-01Infineon TechnologiesDescription: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-H0Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-H0Infineon TechnologiesDescription: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L01ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L01ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+193.72 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L01ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L01ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L01ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+193.72 грн
500+184.28 грн
1000+173.64 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4LH0ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4LH0ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+285.86 грн
500+271.69 грн
1000+256.33 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4LH0ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S3-02INF09+
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S3-02Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S302ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+285.86 грн
500+271.69 грн
1000+256.33 грн
10000+232.37 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S302ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S302ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+285.86 грн
500+271.69 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S302ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+285.86 грн
500+271.69 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S302ATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPB180N04S302ATMA1 - IPB180N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
euEccn: TBC
hazardous: true
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+205.38 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4-00Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.70 грн
10+241.34 грн
100+156.71 грн
500+131.16 грн
1000+120.81 грн
2000+114.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4-01Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 9386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.81 грн
10+174.66 грн
100+106.31 грн
500+86.98 грн
1000+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4-H0Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.66 грн
10+198.47 грн
100+129.09 грн
500+108.38 грн
1000+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4-H0Infineon
на замовлення 353 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+207.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+205.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+290.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+324.58 грн
10+215.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+197.27 грн
500+186.64 грн
1000+177.19 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.32 грн
10+247.77 грн
100+175.79 грн
500+136.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+197.27 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+290.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+140.44 грн
2000+126.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+410.75 грн
10+265.16 грн
100+171.89 грн
500+143.59 грн
1000+133.93 грн
2000+124.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N04S401ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.03 грн
500+94.23 грн
1000+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.75 грн
500+133.48 грн
1000+126.39 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+385.10 грн
54+265.42 грн
100+190.65 грн
500+151.02 грн
1000+129.10 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N04S401ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.75 грн
10+170.74 грн
100+124.03 грн
500+94.23 грн
1000+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.66 грн
10+191.01 грн
100+133.53 грн
500+102.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 176nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+167.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+124.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+129.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+118.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+163.01 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+163.01 грн
500+154.74 грн
1000+145.29 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 10333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.50 грн
500+99.47 грн
1000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.89 грн
10+177.83 грн
100+118.74 грн
500+100.10 грн
1000+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+320.21 грн
63+226.73 грн
64+224.50 грн
73+188.15 грн
100+161.22 грн
250+153.20 грн
500+138.15 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.83 грн
123+115.42 грн
250+110.80 грн
500+102.98 грн
1000+92.25 грн
2500+85.94 грн
5000+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+129.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 10333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.64 грн
10+173.97 грн
100+134.50 грн
500+99.47 грн
1000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.28 грн
10+212.92 грн
100+149.76 грн
500+115.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+163.01 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+163.01 грн
500+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+232.67 грн
5+183.64 грн
10+165.36 грн
25+142.93 грн
50+127.14 грн
100+113.84 грн
250+108.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4L01ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 30/40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4L01ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+235.07 грн
500+222.08 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4L01ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4L01ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+235.07 грн
500+222.08 грн
1000+210.26 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4L01ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -16...20V
Mounting: SMD
Gate charge: 245nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+188.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4L01ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+235.07 грн
500+222.08 грн
1000+210.26 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4L01ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+235.07 грн
500+222.08 грн
1000+210.26 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4LH0ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4LH0ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.46 грн
10+217.53 грн
100+141.52 грн
500+118.05 грн
1000+109.76 грн
2000+102.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4LH0ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+230.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.66 грн
10+244.25 грн
100+173.16 грн
500+134.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+156.27 грн
2000+154.73 грн
3000+153.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 7666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.50 грн
10+260.40 грн
100+168.44 грн
500+141.52 грн
1000+131.16 грн
2000+122.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+402.35 грн
51+279.98 грн
100+200.64 грн
500+184.22 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+138.22 грн
2000+124.92 грн
3000+120.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+193.72 грн
500+184.28 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.29 грн
10+226.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S4-02Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 75/80V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]