Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+289.94 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
на замовлення 5446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.46 грн
10+418.73 грн
50+336.62 грн
100+298.52 грн
500+260.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 14649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.18 грн
10+295.12 грн
50+233.11 грн
100+200.04 грн
500+186.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+600.49 грн
34+419.46 грн
50+337.20 грн
100+299.03 грн
500+261.18 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+240.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
на замовлення 5446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.40 грн
10+288.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+195.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+237.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+255.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+464.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+862.78 грн
10+622.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+862.78 грн
23+622.71 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2
на замовлення 3837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3 GInfineon
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3 G
Код товару: 160753
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+166.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+120.46 грн
3000+106.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+414.23 грн
10+254.59 грн
100+187.18 грн
500+152.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+163.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+408.57 грн
57+251.11 грн
100+184.63 грн
500+150.89 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.01 грн
10+139.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.47 грн
10+213.08 грн
50+166.13 грн
100+141.71 грн
500+122.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
10000+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB10N03INFINEONTO-263
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB10N03Linfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB10N03L E3045AINFINEONTO-263
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB10N03LBInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB10N03LBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB10N03LBinfineonto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB10N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB10N03LBGInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N06L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 94µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 78A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N06LGinfineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 61A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB110N20N3LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+920.51 грн
22+644.71 грн
50+608.17 грн
100+486.44 грн
200+449.35 грн
500+385.92 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+676.34 грн
10+473.03 грн
100+365.12 грн
500+330.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+337.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB110N20N3LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+677.50 грн
30+473.84 грн
100+365.75 грн
500+330.96 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMInfineonMOSFET P-CH 60V 100A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMInfineon TechnologiesInfineon TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+194.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB110P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+408.38 грн
50+285.24 грн
54+264.84 грн
100+200.60 грн
500+155.48 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Channel
на замовлення 7054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+407.68 грн
10+284.75 грн
50+264.39 грн
100+200.26 грн
500+155.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+479.70 грн
42+344.16 грн
55+261.65 грн
100+245.49 грн
200+212.57 грн
500+198.01 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB110P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 30 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.37 грн
10+242.66 грн
50+190.15 грн
100+162.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB114N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 30A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB114N03L GINFTO-263
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB114N03L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDInfineon technologies
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 84A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+327.91 грн
10+272.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+333.55 грн
500+315.87 грн
1000+298.19 грн
10000+270.49 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 84A D2PAK-2
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 273420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+333.55 грн
500+315.87 грн
1000+298.19 грн
10000+270.49 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1InfineonMOSFET N-CH 200V 84A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+629.25 грн
10+442.41 грн
25+439.89 грн
50+393.33 грн
100+297.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+629.25 грн
32+442.41 грн
33+439.89 грн
50+393.33 грн
100+297.27 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB11N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB11N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]