Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD30N12S3L31ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.80 грн
500+42.25 грн
1000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 3563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.39 грн
10+74.39 грн
100+43.15 грн
500+34.03 грн
1000+31.62 грн
2500+27.48 грн
5000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_100+
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Power Dissipation (Max): 57W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(120V 300V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+355.68 грн
42+340.40 грн
50+327.42 грн
100+305.02 грн
250+273.86 грн
500+255.75 грн
1000+249.50 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 34A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 10711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.46 грн
10+182.33 грн
100+127.15 грн
500+97.18 грн
1000+90.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.12 грн
10+156.40 грн
100+97.34 грн
500+85.60 грн
2500+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.16 грн
5000+82.72 грн
7500+80.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.37 грн
10+172.36 грн
100+125.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+256.10 грн
74+191.84 грн
100+166.91 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 200V; 34A; 136W; PG-TO252-3
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 136W
Technology: MOSFET
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+106.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GBTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 34A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 27A DPAK-2 OptiMOS 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1
Код товару: 195321
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.78 грн
5000+31.08 грн
7500+29.85 грн
12500+26.72 грн
17500+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.47 грн
5000+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.36 грн
25+41.08 грн
100+39.34 грн
250+36.17 грн
500+34.48 грн
1000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.00 грн
10+71.69 грн
100+32.10 грн
500+25.82 грн
1000+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+129.25 грн
269+52.71 грн
350+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1InfineonMOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+41.08 грн
348+40.80 грн
350+40.51 грн
500+38.79 грн
1000+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD33CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.59 грн
18+47.04 грн
100+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 108A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.36 грн
15+52.35 грн
100+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 27832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.14 грн
10+78.45 грн
100+52.24 грн
500+38.49 грн
1000+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.96 грн
5000+39.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06L
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06L GInfineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.37 грн
10+53.03 грн
100+30.93 грн
500+24.02 грн
1000+21.81 грн
2500+19.19 грн
5000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+68.36 грн
250+65.62 грн
500+63.25 грн
1000+59.00 грн
2500+53.01 грн
5000+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 35mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 116A
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.70 грн
11+41.30 грн
100+27.09 грн
500+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 29592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.20 грн
10+56.09 грн
100+36.83 грн
500+26.76 грн
1000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.79 грн
22+35.80 грн
25+34.96 грн
100+31.77 грн
250+28.91 грн
500+26.37 грн
1000+25.20 грн
3000+24.03 грн
6000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.82 грн
5000+21.15 грн
7500+20.23 грн
12500+18.03 грн
17500+17.46 грн
25000+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
532+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L-26Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L-26Infineon TechnologiesDescription: IPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.25 грн
5000+62.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.03 грн
125+113.41 грн
500+90.47 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+260.30 грн
10+167.03 грн
100+113.41 грн
500+87.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.75 грн
500+87.07 грн
1000+80.31 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.36 грн
500+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.10 грн
10+96.33 грн
100+65.42 грн
500+48.98 грн
1000+44.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.94 грн
50+99.87 грн
100+71.36 грн
500+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.30 грн
10+105.51 грн
100+71.36 грн
500+52.87 грн
1000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs 100 V, N-Ch, 24 m? max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS-T
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.16 грн
10+108.76 грн
100+69.72 грн
500+58.13 грн
1000+53.36 грн
2500+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.36 грн
500+52.87 грн
1000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N12S3L24ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N12S3L24ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.65 грн
10+101.64 грн
100+69.12 грн
500+51.82 грн
1000+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N12S3L24ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD35N12S3L24ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.06 грн
10+96.65 грн
100+71.44 грн
500+56.24 грн
1000+39.83 грн
5000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N12S3L24ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N12S3L24ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N12S3L24ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 23471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.13 грн
10+107.18 грн
100+63.51 грн
500+50.39 грн
1000+46.39 грн
2500+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N12S3L24ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD35N12S3L24ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.44 грн
500+56.24 грн
1000+39.83 грн
5000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N12S3L24ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(120V 300V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N12S3L24ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD380P06NMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 31486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.21 грн
10+103.21 грн
100+68.27 грн
500+54.68 грн
1000+50.33 грн
2500+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD380P06NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 35A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD380P06NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
на замовлення 14252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.48 грн
10+125.87 грн
100+85.99 грн
500+64.67 грн
1000+59.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD380P06NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD380P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.38 грн
50+75.55 грн
100+70.71 грн
500+64.32 грн
1000+58.61 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD380P06NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 35A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD380P06NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.69 грн
5000+53.81 грн
7500+51.94 грн
12500+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD390P06NMSAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD400N06N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 27A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD400N06NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD400N06NGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 27A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 28µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD400N06NGBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD400N06NGBUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD40DP06NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD40DP06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.93 грн
50+44.62 грн
100+30.69 грн
500+23.41 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD40DP06NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
10+46.97 грн
100+30.73 грн
500+22.27 грн
1000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]