Продукція > IPD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD3012-760SInventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 30W
Packaging: Box
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Voltage - Output: 12V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Cord Length: 48" (1.22m)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, cTUVus
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 2.5A
Input Connector: IEC 320-C6
Region Utilized: North America
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 30 W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1660.12 грн
5+1574.63 грн
10+1549.95 грн
25+1385.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD3015-760Inventus PowerPlug-In Adapter Single-OUT 15V 2A 30W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD3015-760Inventus PowerDesktop AC Adapters 30W 15V 2A Class I / Level VI
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD3015-760Inventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 15V 30W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD3015-760Inventus PowerPlug-In Adapter Single-OUT 15V 2A 30W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD3018-760Inventus PowerDesktop AC Adapters 30 WATT DESKTOP POWER SUPPLY 18V 1.7A 5.5 x 2.1 barrel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD3018-760Inventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 18V 30W
Packaging: Box
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Voltage - Output: 18V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Cord Length: 48" (1.22m)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, cTUVus
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 1.7A
Input Connector: IEC 320-C6
Region Utilized: North America
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 30 W
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1676.58 грн
5+1484.81 грн
20+1381.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD3018-760SInventus PowerDesktop AC Adapters 30W 18V 1.7A 2.1x5.5 connector
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD3019-760Inventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 19V 30W
Packaging: Box
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Voltage - Output: 19V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Cord Length: 48" (1.22m)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, cTUVus
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 1.6A
Input Connector: IEC 320-C6
Region Utilized: North America
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 30 W
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1873.32 грн
5+1659.17 грн
20+1543.50 грн
40+1397.14 грн
60+1367.92 грн
100+1332.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD3019-760SInventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 19V
Packaging: Box
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Voltage - Output: 19V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Cord Length: 48" (1.22m)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, cTUVus
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 1.6A
Input Connector: IEC 320-C6
Region Utilized: North America
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Part Status: Active
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1855.29 грн
5+1758.80 грн
10+1731.32 грн
25+1547.37 грн
50+1495.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD3024-760Inventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 30W
Packaging: Box
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Voltage - Output: 24V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Cord Length: 48" (1.22m)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, cTUVus
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 1.25A
Input Connector: IEC 320-C6
Region Utilized: North America
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 30 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD3024-760SInventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 30W
Packaging: Box
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Voltage - Output: 24V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Cord Length: 48" (1.22m)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, cTUVus
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 1.25A
Input Connector: IEC 320-C6
Region Utilized: North America
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 30 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L-10Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L-20Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L07ATMA1Rochester Electronics, LLCDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 866 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L10ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L10ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L20ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L20ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N03S2L20ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L20ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L20ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+68.61 грн
100+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L20ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N03S2L20ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L20ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+76.61 грн
210+67.42 грн
239+59.29 грн
250+54.67 грн
500+47.89 грн
1000+43.55 грн
2500+40.41 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L20ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L20ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L-09Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L-14Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 8023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+43.02 грн
349+40.54 грн
357+39.72 грн
500+37.17 грн
1000+33.46 грн
2500+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.99 грн
7500+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.08 грн
25+35.53 грн
100+33.72 грн
250+30.74 грн
500+29.04 грн
1000+28.57 грн
3000+28.10 грн
6000+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N03S4L09ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
393+36.08 грн
399+35.53 грн
405+34.97 грн
411+33.20 грн
500+30.25 грн
1000+28.57 грн
3000+28.10 грн
6000+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 393 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.40 грн
50+38.13 грн
100+31.75 грн
500+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N03S4L09ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1
Код товару: 202239
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1172+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 1172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.34 грн
5000+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.31 грн
20000+27.70 грн
30000+25.78 грн
40000+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.00 грн
7500+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 287500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0112 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.26 грн
5000+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1172+30.18 грн
10000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 1172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+71.55 грн
225+62.94 грн
256+55.27 грн
268+51.03 грн
500+44.62 грн
1000+40.61 грн
2500+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+47.32 грн
50+34.98 грн
100+29.07 грн
500+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0112 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2-15Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2-15Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.42 грн
13+62.53 грн
25+62.31 грн
100+56.92 грн
250+52.17 грн
500+49.95 грн
1000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.25 грн
10+100.08 грн
50+75.77 грн
100+63.75 грн
500+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+67.78 грн
213+66.47 грн
221+64.12 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.31 грн
240+59.03 грн
250+56.34 грн
500+52.03 грн
1000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S223ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S223ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.25 грн
10+81.37 грн
50+61.18 грн
100+51.30 грн
500+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S223ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S223ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S223ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+93.82 грн
163+87.22 грн
193+73.43 грн
204+66.95 грн
500+61.77 грн
1000+53.65 грн
2000+50.51 грн
2500+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S223ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S223ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S223ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 14213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-13Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-13Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-13
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-23INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 30A; 100W; PG-TO252-3-11
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Application: automotive industry
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
41+113.80 грн
50+74.64 грн
100+69.61 грн
300+66.25 грн
500+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-23Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 30A DPAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-23Infineon TechnologiesDescription: IPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.96 грн
7500+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 3662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+100.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.33 грн
10+81.97 грн
100+73.26 грн
250+68.49 грн
500+58.59 грн
1000+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.29 грн
159+89.34 грн
172+82.38 грн
200+77.18 грн
500+71.25 грн
1000+64.96 грн
2000+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+102.35 грн
50+77.58 грн
100+65.31 грн
500+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+89.33 грн
173+81.97 грн
194+73.26 грн
250+68.49 грн
500+58.59 грн
1000+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.84 грн
105+135.49 грн
250+130.06 грн
500+120.89 грн
1000+108.28 грн
2500+100.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 30A DPAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+84.91 грн
50+63.99 грн
100+53.70 грн
500+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 100W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 15.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.