Продукція > SCS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCS304AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS304AJTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 4A 37W TO-263AB (LPTL) | на замовлення 1555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS304AMC | ROHM | Description: ROHM - SCS304AMC - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 11nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS304AMC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS304AMC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS304AMC | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 4A 26W TO-220FM | на замовлення 668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS304AMC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS304AMC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS304AMC7G | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL SIC SKY | на замовлення 973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS304AMC7G | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FM Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-220FM Current - Average Rectified (Io): 4A Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS304AMC7G | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS304AMC7G | ROHM | Description: ROHM - SCS304AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 11nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS304AMC7G | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS304APC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS304APC9 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 3rd Gen SiC SBD 4A 6nC TO-220ACP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS304APC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS304APC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SILICON CARBIDE 650V 4A Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS305KGC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 5A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS305KGHRC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 5A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS306AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306AGC16 | ROHM | Description: ROHM - SCS306AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 6 A, 19 nC, TO-220ACGE tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACGE Kapazitive Gesamtladung: 19nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306AGC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT SBD 650V 6A SIC | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306AHGC9 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V;6A;46W SiC SBD TO-220ACP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS306AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306AHGC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS306AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306AHGC9 | ROHM | Description: ROHM - SCS306AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 19 nC, TO-220ACP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 19nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306AJTLL | ROHM | Description: ROHM - SCS306AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 19 nC, TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 19 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-263AB Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS306AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A LPTL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V | на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306AJTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 6A 50W TO-263AB (LPTL) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306AMC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V | на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306AMC | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 6A 30W TO-220FM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS306AMC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306AMC7G | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306AMC7G | ROHM | Description: ROHM - SCS306AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 19 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 19nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306AMC7G | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT SBD 650V 6A SIC | на замовлення 920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306APC9 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306APC9 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 3rd Gen SiC Schottky Br. Diode 650V 6A | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306APC9 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS306APC9 | ROHM | Description: ROHM - SCS306APC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 19 nC, TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 19 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220ACP Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS306APC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SC SCHKY 650V 6A TO220ACP | на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS308AGC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT SBD 650V 8A SIC | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AGC16 | ROHM | Description: ROHM - SCS308AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 8 A, 21 nC, TO-220ACGE tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACGE Kapazitive Gesamtladung: 21nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 1183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AHGC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS308AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ir: 160uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.71V Max. forward impulse current: 250A Leakage current: 0.16mA Kind of package: tube Max. load current: 36A Power dissipation: 57W | на замовлення 747 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AHGC9 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V;8A;57W SiC SBD TO-220ACP | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AHGC9 | ROHM | Description: ROHM - SCS308AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 21 nC, TO-220ACP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 21nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODES SILICON CARBIDE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS308AJTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 8A 62W TO-263AB (LPTL) | на замовлення 847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS308AJTLL | ROHM | Description: ROHM - SCS308AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 21 nC, TO-263AB tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 21nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS308AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODES SILICON CARBIDE | на замовлення 981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AMC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AMC | Rohm Semiconductor | Description: DIODES SILICON CARBIDE | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AMC | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 8A 33W TO-220FM | на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AMC7G | ROHM | Description: ROHM - SCS308AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 21 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 21nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AMC7G | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AMC7G | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT SBD 650V 8A SIC | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308AMC7G | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308APC9 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 3rd Gen SiC Schottky Br. Diode 650V 8A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS308APC9 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS308APC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SC SCHKY 650V 8A TO220ACP | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS308APC9 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS310AGC16 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACP Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-220ACFP Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS310AGC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 18A RDL SIC SKY | на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS310AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS310AHGC9 | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 650V;10A;71W SiC SBD TO-220ACP | на замовлення 837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS310AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS310AHGC9 Код товару: 160445
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі Корпус: TO-220ACP-2 Зворотня напруга Vrrm, V: 650 V Прямий струм (per leg) If, A: 10 A Падіння напруги Vf, V: 1,5 V Монтаж: THT Імпульсний струм Ifsm, A: 300 A | у наявності: 6 шт
|
| |||||||||||||||
| SCS310AHGC9 | ROHM | Description: ROHM - SCS310AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220ACP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS310AHGC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS310AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPTL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS310AJTLL | ROHM | Description: ROHM - SCS310AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 24 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-263AB Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS310AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS310AJTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 10A 75W TO-263AB (LPTL) | на замовлення 633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS310AMC | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; 34W Power dissipation: 34W Case: TO220FP-2 Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Leakage current: 0.2mA Load current: 10A Max. forward voltage: 1.71V Max. load current: 30A Max. off-state voltage: 650V Max. forward impulse current: 0.3kA Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS310AMC | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V;10A;34W SiC SBD TO-220FM | на замовлення 331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS310AMC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS310AMC7G | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-220FM Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS310AMC7G | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT SBD 650V 10A SIC | на замовлення 372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS310APC9 | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 3rd Gen SiC Schottky Br. Diode 650V 10A | на замовлення 806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS310APC9 | ROHM | Description: ROHM - SCS310APC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220ACP tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS310APC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SC SCHKY 650V 10A TO220ACP | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS312AGC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS312AGC16 | ROHM | Description: ROHM - SCS312AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220ACGE tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACGE Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS312AGC16 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS312AHGC9 | ROHM | Description: ROHM - SCS312AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220ACP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 28nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS312AHGC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS312AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

