Продукція > SCS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCS302APC9 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 3rd Gen SiC SBD 2A 6nC TO-220ACP | на замовлення 362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS302APC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 2A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS302APC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO220-2 | на замовлення 514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS302APC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 2A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 32 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS3040 | Eaton Electrical | 3000A-4000A, GFL080X360SC-2 SENSOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS304AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS304AGC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL SIC SKY | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS304AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS304AGC16 | ROHM | Description: ROHM - SCS304AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220ACGE tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACGE Kapazitive Gesamtladung: 11nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS304AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS304AGC16 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACFP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS304AHGC9 | ROHM | Description: ROHM - SCS304AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 11 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220ACP Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS304AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS304AHGC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS304AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS304AHGC9 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V;4A;34W SiC SBD TO-220ACP | на замовлення 555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS304AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS304AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS304AJTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 4A 37W TO-263AB (LPTL) | на замовлення 1555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS304AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS304AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A LPTL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS304AJTLL | ROHM | Description: ROHM - SCS304AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 11 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-263AB Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS304AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS304AMC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS304AMC | ROHM | Description: ROHM - SCS304AMC - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 11nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS304AMC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS304AMC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS304AMC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS304AMC | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 4A 26W TO-220FM | на замовлення 668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS304AMC7G | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS304AMC7G | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS304AMC7G | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL SIC SKY | на замовлення 973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS304AMC7G | ROHM | Description: ROHM - SCS304AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 11nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS304AMC7G | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS304APC9 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 3rd Gen SiC SBD 4A 6nC TO-220ACP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS304APC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS304APC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SILICON CARBIDE 650V 4A Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS304APC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS305KGC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 5A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS305KGHRC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 5A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS306AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS306AGC16 | ROHM | Description: ROHM - SCS306AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 6 A, 19 nC, TO-220ACGE tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACGE Kapazitive Gesamtladung: 19nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS306AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS306AGC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 6A RDL SIC SKY | на замовлення 984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS306AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS306AHGC9 | ROHM | Description: ROHM - SCS306AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 19 nC, TO-220ACP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 19nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS306AHGC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS306AHGC9 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V;6A;46W SiC SBD TO-220ACP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS306AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS306AJTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 6A 50W TO-263AB (LPTL) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS306AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS306AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A LPTL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V | на замовлення 1991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS306AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS306AJTLL | ROHM | Description: ROHM - SCS306AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 19 nC, TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 19 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-263AB Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS306AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS306AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS306AMC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS306AMC | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 6A 30W TO-220FM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS306AMC | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; Ir: 120uA Max. forward impulse current: 170A Max. forward voltage: 1.71V Power dissipation: 30W Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Max. load current: 22A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Leakage current: 120µA Case: TO220FP-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS306AMC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V | на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS306AMC7G | ROHM | Description: ROHM - SCS306AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 19 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 19nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS306AMC7G | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT SBD 650V 6A SIC | на замовлення 920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS306AMC7G | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220FM | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS306AMC7G | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS306APC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SC SCHKY 650V 6A TO220ACP | на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS306APC9 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS306APC9 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS306APC9 | ROHM | Description: ROHM - SCS306APC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 19 nC, TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 19 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220ACP Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS306APC9 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 3rd Gen SiC Schottky Br. Diode 650V 6A | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS308AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS308AGC16 | ROHM | Description: ROHM - SCS308AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 8 A, 21 nC, TO-220ACGE tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACGE Kapazitive Gesamtladung: 21nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS308AGC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 8A RDL SIC SKY | на замовлення 788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS308AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS308AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS308AGHRC16 | ROHM | Description: ROHM - SCS308AGHRC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 8 A, 21 nC, TO-220ACGE tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACGE Kapazitive Gesamtladung: 21nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS308AHGC9 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V;8A;57W SiC SBD TO-220ACP | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS308AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS308AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ir: 160uA Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.71V Max. load current: 36A Max. forward impulse current: 250A Kind of package: tube Power dissipation: 57W Technology: SiC Leakage current: 0.16mA | на замовлення 747 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS308AHGC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS308AHGC9 | ROHM | Description: ROHM - SCS308AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 21 nC, TO-220ACP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 21nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS308AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 1183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS308AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODES SILICON CARBIDE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS308AJTLL | ROHM | Description: ROHM - SCS308AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 21 nC, TO-263AB tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 21nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS308AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS308AJTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 8A 62W TO-263AB (LPTL) | на замовлення 847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS308AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODES SILICON CARBIDE | на замовлення 981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS308AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS308AMC | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 8A 33W TO-220FM | на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS308AMC | Rohm Semiconductor | Description: DIODES SILICON CARBIDE | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS308AMC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS308AMC7G | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS308AMC7G | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS308AMC7G | ROHM | Description: ROHM - SCS308AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 21 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 21nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS308AMC7G | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT SBD 650V 8A SIC | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS308APC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SC SCHKY 650V 8A TO220ACP | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS308APC9 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS308APC9 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 3rd Gen SiC Schottky Br. Diode 650V 8A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS308APC9 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS310AGC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 18A RDL SIC SKY | на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS310AGC16 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

