Продукція > SCT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCT4036DEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1000.61 грн
10+598.52 грн
100+464.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1024.18 грн
10+613.74 грн
100+477.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 42A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+975.85 грн
30+571.37 грн
120+490.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DLLTRDCROHM SemiconductorSiC MOSFETs TOLL 750V 46A SIC
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1260.72 грн
10+947.06 грн
100+686.27 грн
500+624.26 грн
2000+571.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4036DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 750 V, 0.047 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+899.82 грн
50+784.98 грн
100+677.91 грн
250+664.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4036DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 750 V, 0.047 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1154.24 грн
5+1027.44 грн
10+899.82 грн
50+784.98 грн
100+677.91 грн
250+664.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 38A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+376.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DWAHRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+874.62 грн
10+599.32 грн
100+414.55 грн
1000+389.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 38A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+833.98 грн
10+557.48 грн
100+443.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 38A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+814.38 грн
10+543.90 грн
100+430.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+855.11 грн
10+584.10 грн
100+402.01 грн
1000+377.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 38A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+365.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1779.70 грн
50+1335.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11ROHMDescription: ROHM - SCT4036KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1461.50 грн
5+1289.17 грн
10+1116.04 грн
50+1030.28 грн
100+945.45 грн
250+926.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
на замовлення 4652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1403.81 грн
30+848.28 грн
120+738.12 грн
510+666.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2463.33 грн
8+2003.66 грн
10+1921.16 грн
50+1557.05 грн
100+1304.91 грн
200+1222.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1014.43 грн
10+846.90 грн
450+735.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1779.70 грн
50+1335.24 грн
250+1330.62 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT4036KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1362.33 грн
5+1281.86 грн
10+1200.57 грн
50+1025.75 грн
100+757.34 грн
250+742.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1436.73 грн
10+991.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1353.39 грн
10+1175.41 грн
100+818.65 грн
450+817.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4036KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1460.68 грн
5+1372.89 грн
10+1285.11 грн
50+1110.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Power Dissipation (Max): 176W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 4516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1272.13 грн
10+1077.61 грн
450+825.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1313.56 грн
10+1139.35 грн
100+852.09 грн
450+783.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4036KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1194.07 грн
5+1026.62 грн
10+859.18 грн
50+764.60 грн
100+674.43 грн
250+661.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 43A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1375.59 грн
30+949.24 грн
120+869.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1124.16 грн
10+898.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4036KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+877.87 грн
50+750.26 грн
100+622.87 грн
250+610.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1277.79 грн
10+894.18 грн
100+677.91 грн
500+672.34 грн
1000+640.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KW7TLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4036KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1220.08 грн
5+1049.38 грн
10+877.87 грн
50+750.26 грн
100+622.87 грн
250+610.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KW7TLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1218.05 грн
10+832.15 грн
100+724.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1126.60 грн
10+782.80 грн
100+575.49 грн
1000+545.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1073.83 грн
10+728.44 грн
100+616.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DEC11ROHMDescription: ROHM - SCT4045DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1194.88 грн
5+1029.87 грн
10+864.87 грн
50+702.70 грн
100+634.02 грн
250+618.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+900.63 грн
10+629.77 грн
100+515.58 грн
450+460.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DEC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 500 V
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+947.63 грн
10+637.72 грн
450+427.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 34A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+968.79 грн
10+653.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT4045DEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+588.50 грн
5+555.17 грн
10+521.85 грн
50+412.87 грн
100+380.41 грн
250+379.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+817.72 грн
10+668.23 грн
100+478.65 грн
450+470.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 37A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+825.36 грн
10+624.81 грн
25+582.30 грн
100+502.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4045DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 750 V, 0.059 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 133W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+991.67 грн
5+877.87 грн
10+763.26 грн
50+667.23 грн
100+576.89 грн
250+565.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DLLTRDCROHM SemiconductorSiC MOSFETs TOLL 750V 37A SIC
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1031.50 грн
10+713.10 грн
100+513.49 грн
1000+479.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 37A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4045DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 750 V, 0.059 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+763.26 грн
50+667.23 грн
100+576.89 грн
250+565.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+900.63 грн
10+629.77 грн
100+513.49 грн
450+447.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4045DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+846.98 грн
5+774.64 грн
10+701.49 грн
50+649.11 грн
100+596.40 грн
250+594.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Power Dissipation (Max): 115W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
на замовлення 4859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1019.74 грн
10+865.28 грн
450+678.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4045DRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+768.95 грн
5+748.63 грн
10+727.50 грн
50+547.97 грн
100+446.60 грн
250+437.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1171.80 грн
10+798.18 грн
100+611.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+816.91 грн
10+582.50 грн
100+452.17 грн
450+428.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Power Dissipation (Max): 93W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +21V, -4V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DW7HRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+816.91 грн
10+706.69 грн
100+515.58 грн
500+503.73 грн
1000+503.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4045DW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+768.95 грн
5+721.81 грн
10+674.66 грн
50+584.20 грн
100+499.55 грн
250+484.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+965.66 грн
10+687.84 грн
100+521.52 грн
500+465.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4045DW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+674.66 грн
50+584.20 грн
100+499.55 грн
250+484.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DW7TLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4045DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+644.59 грн
50+550.99 грн
100+423.61 грн
250+415.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DW7TLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+779.90 грн
10+552.35 грн
100+420.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+818.53 грн
10+631.37 грн
100+457.75 грн
500+408.28 грн
1000+346.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4045DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.22 грн
5+734.81 грн
10+644.59 грн
50+550.99 грн
100+423.61 грн
250+415.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+810.46 грн
10+541.33 грн
100+427.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT4045DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+838.04 грн
5+714.49 грн
10+590.13 грн
50+504.20 грн
100+367.87 грн
250+360.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+362.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWAHRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+838.86 грн
10+600.92 грн
100+391.56 грн
500+374.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT4045DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+590.13 грн
50+504.20 грн
100+367.87 грн
250+360.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+803.90 грн
10+578.49 грн
100+376.23 грн
500+356.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+792.44 грн
10+528.58 грн
100+415.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWATLROHMDescription: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+712.05 грн
5+608.82 грн
10+505.59 грн
50+425.70 грн
100+352.54 грн
250+345.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+352.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWATLROHMDescription: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+505.59 грн
50+425.70 грн
100+352.54 грн
250+345.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4050KEC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 32A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 800 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+988.39 грн
30+579.30 грн
120+497.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4050KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 32A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.90 грн
30+594.27 грн
120+510.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4050KEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V, 32A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1017.68 грн
10+749.15 грн
100+562.95 грн
450+532.99 грн
900+452.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4050KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V, 32A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+851.86 грн
10+684.25 грн
100+495.37 грн
450+441.03 грн
900+374.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KEC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+966.44 грн
30+565.18 грн
120+485.09 грн
510+412.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KEC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+771.59 грн
25+735.97 грн
50+706.35 грн
100+657.12 грн
250+589.57 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KEC11ROHMDescription: ROHM - SCT4062KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+886.00 грн
5+734.00 грн
10+581.18 грн
50+496.65 грн
100+413.85 грн
250+405.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+765.70 грн
10+560.06 грн
100+468.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT4062KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+845.36 грн
5+794.15 грн
10+742.13 грн
50+634.02 грн
100+473.08 грн
250+463.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+910.39 грн
10+661.82 грн
100+489.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Power Dissipation (Max): 115W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+868.47 грн
10+734.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+693.36 грн
10+539.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Power Dissipation (Max): 115W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+688.97 грн
10+472.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4062KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+904.70 грн
5+850.24 грн
10+794.96 грн
50+688.36 грн
100+583.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4062KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+845.36 грн
5+794.15 грн
10+742.13 грн
50+634.02 грн
100+473.08 грн
250+463.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+937.21 грн
10+672.23 грн
100+489.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Power Dissipation (Max): 115W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1196.10 грн
10+815.85 грн
100+625.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+988.39 грн
10+667.53 грн
100+553.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7HRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1037.19 грн
10+717.10 грн
100+517.67 грн
1000+489.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+469.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4062KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+926.64 грн
5+870.56 грн
10+813.66 грн
50+694.40 грн
100+584.55 грн
250+572.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4062KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+813.66 грн
50+694.40 грн
100+584.55 грн
250+572.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4062KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+731.56 грн
50+622.70 грн
100+522.54 грн
250+512.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7TLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+840.25 грн
10+562.01 грн
100+448.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7TLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4062KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+899.01 грн
5+815.28 грн
10+731.56 грн
50+622.70 грн
100+522.54 грн
250+512.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]