Продукція > SIR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIR880ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880ADP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), 70.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 40 V
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.09 грн
10+86.72 грн
100+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK N CHAN 80V
на замовлення 4420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), 70.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.04 грн
10+168.35 грн
25+135.99 грн
100+123.95 грн
250+111.41 грн
500+103.02 грн
1000+99.08 грн
3000+95.14 грн
6000+91.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 40 V
на замовлення 7508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.01 грн
10+145.90 грн
100+101.62 грн
500+82.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 50 V
на замовлення 7634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.60 грн
10+129.97 грн
100+94.32 грн
500+75.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 60 А, Ptot, Вт = 83, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 50, Qg, нКл = 60 @ 10 В, Rds = 8,7 мОм @ 20 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,8 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 105 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+100.24 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3
Код товару: 117690
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 9766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR882ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 13225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.28 грн
10+153.63 грн
100+113.80 грн
500+89.82 грн
1000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR882BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.5 A, 0.0069 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.12 грн
10+87.79 грн
100+69.50 грн
500+50.95 грн
1000+38.11 грн
5000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882BDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 16.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882BDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 16.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3762 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 67.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+93.22 грн
100+67.12 грн
500+50.19 грн
1000+46.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882BDP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs SO8 100V 67.5A N-CH
на замовлення 27854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR882BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.5 A, 0.0069 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.50 грн
500+50.95 грн
1000+38.11 грн
5000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882BDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 16.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882BDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 16.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 67.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3762 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100 Volts 60 Amps 83 Watts
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
на замовлення 10655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.01 грн
10+145.30 грн
100+100.85 грн
500+76.81 грн
1000+75.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+126.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.62 грн
6000+65.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+147.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR888DP-T1-E3
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR888DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR888DP-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR888DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR890DP
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR890DP-T1-E3
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR890DP-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR890DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR890DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N SO-8
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR892DP
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR892DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR892DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 50A 50W 3.2mohm @ 10V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR892DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR892DP-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR892DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR91-21C
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR91-21C/TR7EVERLIGHTCategory: IR LEDs
Description: IR transmitter; transparent; 20°; 875nm; SMD; 20mA; 3mW/sr
Type of diode: IR transmitter
LED lens: transparent
Viewing angle: 20°
Wavelength of peak sensitivity: 875nm
Mounting: SMD
LED current: 20mA
radiant intensity: 3mW/sr
Case - mm: 2520
Case - inch: 1008
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR916M500S043NextGen ComponentsDescription: 916.5MHz SAW Res. +/-100KHz 4P 5
Frequency: 916.5 MHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency Tolerance: ±100kHz
Height: 0.059" (1.50mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: SAW
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+74.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR916M500S044NextGen ComponentsDescription: 916.5MHz SAW Res. +/-150KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±150kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 916.5 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+74.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR916M500S045NextGen ComponentsDescription: 916.5MHz SAW Res. +/-200KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±200kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 916.5 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+74.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR928-6C-FEverlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Wavelength: 875nm
Package / Case: Radial
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Viewing Angle: 40°
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Orientation: Side View
Type: Infrared (IR)
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR928-6C-F
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR928-6C-FEverlightInfrared Emitters Infrared LED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR9330
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR95-21C/TR10
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.30 грн
500+83.78 грн
1000+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.36 грн
10+134.35 грн
100+93.69 грн
500+71.03 грн
1000+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV
на замовлення 6477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.16 грн
10+145.50 грн
100+107.30 грн
500+83.78 грн
1000+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3.VISHAYDescription: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3. - MOSFET, N-CH, 30V, 100A, 150DEG C, 104W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 830
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.41 грн
500+65.82 грн
1500+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.32 грн
50+117.86 грн
100+89.41 грн
500+65.82 грн
1500+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 8312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
10+102.05 грн
100+69.47 грн
500+52.10 грн
1000+47.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.08 грн
6000+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 45.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V
на замовлення 4822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.55 грн
10+115.86 грн
100+79.43 грн
500+59.90 грн
1000+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA04DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA04DP-T1-GE3VishayMOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA04DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA04DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 9857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA04DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+76.69 грн
100+57.54 грн
500+42.75 грн
1000+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DDP-T1-UE3VishayN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DDP-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+63.70 грн
100+51.08 грн
500+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA06DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.00205 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.54 грн
11+77.06 грн
100+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]