Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+772.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBF
Код товару: 34257
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBF(N-CH U=600B, I=16A,TO-247AC) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+774.13 грн
33+434.23 грн
100+371.63 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+676.37 грн
25+393.00 грн
100+331.48 грн
500+264.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+771.63 грн
10+432.83 грн
100+370.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 600V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+623.21 грн
10+326.83 грн
100+245.09 грн
500+244.40 грн
1000+236.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+979.47 грн
20+736.08 грн
26+566.10 грн
50+475.09 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBF
Код товару: 113650
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+765.51 грн
26+547.09 грн
100+445.57 грн
500+361.09 грн
1000+324.41 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.87 грн
25+396.15 грн
100+334.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+870.53 грн
20+727.65 грн
25+639.01 грн
50+551.12 грн
100+453.60 грн
125+419.58 грн
250+373.09 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.06 грн
10+411.14 грн
100+294.67 грн
500+263.95 грн
1000+256.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPC60PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+556.41 грн
10+412.22 грн
100+305.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 332 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+514.14 грн
10+398.41 грн
25+349.66 грн
50+312.67 грн
100+278.21 грн
125+268.12 грн
250+237.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+770.22 грн
10+550.45 грн
100+448.31 грн
500+363.32 грн
1000+326.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30
Код товару: 23708
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 800 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+58.00 грн
10+53.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+85.39 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+250.61 грн
63+225.76 грн
100+203.93 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.00 грн
100+62.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+161.73 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.71 грн
10+271.12 грн
100+207.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.61 грн
10+225.76 грн
100+203.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 800V 4.1A N-CH MOSFET
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+432.58 грн
10+292.30 грн
100+196.91 грн
500+173.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+485.92 грн
40+357.02 грн
100+269.42 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBFTO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBF
Код товару: 47298
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 800 V
Idd,A: 5,4 A
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+62.50 грн
10+46.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPE40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.4 A, 2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.79 грн
10+209.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+452.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+356.40 грн
48+301.14 грн
50+284.70 грн
100+236.40 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.92 грн
10+300.74 грн
25+284.31 грн
100+236.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; IRFPE50 TIRFPE50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+151.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50
Код товару: 4823
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 800 V
Idd,A: 7,8 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3100/200
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+77.00 грн
10+69.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+570.75 грн
40+361.82 грн
100+258.77 грн
500+175.71 грн
1000+161.04 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 800V 7.8A N-CH MOSFET
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.26 грн
10+241.71 грн
100+175.97 грн
500+152.22 грн
1000+140.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFN-CH 800V 7.8A TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 3563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+572.21 грн
10+362.74 грн
100+259.43 грн
500+176.15 грн
1000+161.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBF
Код товару: 47698
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+406.76 грн
50+338.78 грн
100+290.80 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPE50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.55 грн
10+186.56 грн
100+185.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+272.46 грн
10+189.96 грн
25+180.71 грн
50+173.15 грн
100+164.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF30Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPF30PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF30IRTO-247
на замовлення 12625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.17 грн
10+300.33 грн
100+192.03 грн
500+170.38 грн
1000+153.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF30PBF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40
Код товару: 43468
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 900 V
Id,A: 4,7 A
Rds(on),Om: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/120
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40-026
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40PBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.42 грн
10+239.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V
на замовлення 5504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.90 грн
10+194.33 грн
100+141.75 грн
500+139.66 грн
1000+129.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPF40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.7 A, 2.5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40PBF (TO-247AC, Vishay)
Код товару: 158468
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
товару немає в наявності
1+72.00 грн
10+64.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50SiliconixTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFPF50 TIRFPF50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+201.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50-026
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPF50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.7 A, 1.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+500.20 грн
10+343.78 грн
100+232.99 грн
500+166.42 грн
1000+142.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 14576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.57 грн
500+157.03 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBF
Код товару: 41960
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 900 V
Idd,A: 6,7 A
Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - склад
1+165.00 грн
10+148.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+514.68 грн
31+465.94 грн
75+400.30 грн
100+375.07 грн
125+309.93 грн
200+281.26 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+434.98 грн
25+430.64 грн
100+383.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.43 грн
25+278.17 грн
100+253.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 1.6Ω
Drain current: 4.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 190W
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+384.70 грн
5+316.03 грн
10+295.86 грн
25+269.81 грн
75+238.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 900 V 6.7A 1.6 Ohm TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 14578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.61 грн
25+157.98 грн
500+157.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+523.82 грн
10+338.07 грн
100+246.49 грн
500+213.67 грн
1000+203.20 грн
2500+202.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+430.64 грн
100+383.01 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+444.13 грн
33+439.77 грн
100+391.33 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPG30PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30(MFET,N-CH,125W,1000V,3.1A,TO-247AC) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+230.82 грн
100+203.69 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]