Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFPE40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.33 грн
10+299.40 грн
25+283.05 грн
100+235.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPE40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.4 A, 2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFPE50; IRFPE50 TIRFPE50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+148.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50
Код товару: 4823
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 7,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3100/200
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+77.00 грн
10+69.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFPE50; IRFPE50 JSMICRO TIRFPE50 JSM
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+97.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 6288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+569.83 грн
10+361.16 грн
100+297.71 грн
500+262.93 грн
1000+201.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+274.40 грн
10+191.31 грн
25+182.00 грн
50+174.38 грн
100+165.92 грн
250+156.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBF
Код товару: 47698
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFN-CH 800V 7.8A TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+422.19 грн
100+289.50 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPE50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585.46 грн
25+335.16 грн
50+305.60 грн
100+263.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 800V 7.8A N-CH MOSFET
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 6288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+567.60 грн
40+359.75 грн
100+296.54 грн
500+261.90 грн
1000+201.07 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF30Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPF30PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF30IRTO-247
на замовлення 12625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF30PBF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40
Код товару: 43468
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Id, А: 4,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1600/120
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40-026
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+265.02 грн
10+249.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V
на замовлення 3341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40PBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPF40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.7 A, 2.5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF40PBF (TO-247AC, Vishay)
Код товару: 158468
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 2,9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1600/120
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+72.00 грн
10+64.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50SiliconixTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFPF50 TIRFPF50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+196.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50-026
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBF
Код товару: 41960
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 6,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,6 Ом
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - склад
1+165.00 грн
10+148.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 14376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.14 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585.46 грн
25+335.16 грн
50+305.60 грн
100+263.46 грн
500+222.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+511.42 грн
31+463.87 грн
75+398.10 грн
100+373.40 грн
125+308.41 грн
200+279.95 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+439.54 грн
50+413.29 грн
100+371.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+445.88 грн
50+419.43 грн
100+377.53 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 14376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPF50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.7 A, 1.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 900 V 6.7A 1.6 Ohm TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+439.54 грн
50+413.29 грн
100+371.90 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.2A
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Gate charge: 200nC
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+387.44 грн
5+318.29 грн
10+297.97 грн
25+271.73 грн
75+240.41 грн
100+232.79 грн
125+226.87 грн
200+215.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.88 грн
50+419.43 грн
100+377.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30(MFET,N-CH,125W,1000V,3.1A,TO-247AC) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPG30PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+252.44 грн
57+249.91 грн
100+211.31 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.44 грн
25+238.28 грн
50+215.97 грн
100+185.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+173.21 грн
10+137.98 грн
25+132.06 грн
100+125.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+253.17 грн
25+250.64 грн
100+211.92 грн
500+168.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 1KV 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.88 грн
100+202.85 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+252.17 грн
57+249.66 грн
100+211.09 грн
500+168.29 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+148.84 грн
111+127.80 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+199.94 грн
78+181.53 грн
100+169.50 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40SiliconixN-MOSFET 43A 1000V(1kV) 150W 3.5Ω IRFPG40 IRFPG40 TIRFPG40
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+608.05 грн
43+335.03 грн
100+281.04 грн
500+244.13 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+610.44 грн
10+336.35 грн
100+282.15 грн
500+245.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+361.83 грн
60+235.66 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 1KV 4.3A N-CH MOSFET
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.28 грн
25+268.14 грн
50+243.54 грн
100+209.12 грн
500+175.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+587.11 грн
43+335.35 грн
100+270.32 грн
500+234.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+224.50 грн
64+221.66 грн
76+186.04 грн
100+171.89 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPG40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 4.3 A, 3.5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+438.07 грн
39+371.12 грн
50+337.06 грн
100+254.27 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+402.03 грн
10+231.10 грн
25+194.70 грн
50+176.92 грн
100+166.76 грн
125+164.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG42Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+178.48 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50N-кан. HEXFEX TO-247 , U=1000В, I=6,1A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+516.63 грн
50+499.68 грн
100+323.62 грн
500+267.61 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBFVishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 6,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25, Qg, нКл = 190 @ 10 В, Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 190, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
500+206.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+556.77 грн
38+372.56 грн
100+312.44 грн
500+264.72 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.19 грн
25+394.83 грн
50+361.03 грн
100+312.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]