Продукція > DMT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMTH10H4M5LPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M5LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 107A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4843 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M5LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4843 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 107A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.95 грн
10+122.50 грн
100+84.47 грн
500+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M6SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 50 V
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+100.99 грн
100+80.41 грн
500+63.86 грн
1000+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M6SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H4M6SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3000 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.91 грн
500+57.21 грн
1000+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M6SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M6SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 7602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M6SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H4M6SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3000 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.14 грн
10+120.30 грн
100+82.10 грн
500+56.76 грн
1000+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M6SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 400A; 2.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2.7W
Case: PowerDI5060-8
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M6SPSWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7W; PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 4.7W
Case: PowerDI5060-8
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH12H007SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH12H007SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3142 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH12H007SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.48 грн
500+95.10 грн
1000+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH12H007SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.00 грн
10+119.49 грн
100+106.48 грн
500+95.10 грн
1000+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH15H017LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH15H017LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH15H017LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
10+102.05 грн
100+69.70 грн
500+52.44 грн
1000+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH15H017LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.76 грн
10+115.63 грн
100+79.21 грн
500+59.73 грн
1000+55.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH15H017LPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH15H017LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.28 грн
5000+49.89 грн
7500+48.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH15H017SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH15H017SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2344 pF @ 75 V
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+78.50 грн
100+61.04 грн
500+48.56 грн
1000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH15H017SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2344 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH15H017SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH15H017SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH15H053SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3002LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH3002LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1950 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.64 грн
10+116.24 грн
100+79.74 грн
500+62.72 грн
1000+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3002LK3-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3002LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH3002LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1950 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.74 грн
500+62.72 грн
1000+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3002LK3-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3002LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH3002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1250 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.59 грн
14+58.12 грн
100+40.72 грн
500+31.93 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3002LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+70.19 грн
100+49.23 грн
500+39.00 грн
1000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3002LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH3002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1250 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.72 грн
500+31.93 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.73 грн
5000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS:
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.33 грн
10+56.01 грн
100+43.54 грн
500+34.63 грн
1000+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET 30V 175c N-Ch FET 20Vgss 3.8mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH31M7LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH31M7LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1300 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.99 грн
500+72.91 грн
1000+62.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH31M7LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH31M7LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1300 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.27 грн
10+198.33 грн
100+112.99 грн
500+72.91 грн
1000+62.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 170A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 350A; 3.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 170A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.88 грн
500+50.42 грн
1000+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 170A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.20 грн
10+114.61 грн
100+70.88 грн
500+50.42 грн
1000+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 107371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+68.84 грн
100+48.22 грн
500+38.13 грн
1000+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3M70LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4001SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4001SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 31V~40V POWERDI5060-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4001SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4001STLW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13185 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Bulk
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+120.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4001STLW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4001STLW-13Diodes ZetexDMTH4001STLW-13
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+165.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4001STLWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4001STLWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI101
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13185 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4002SCTB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO263 T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4002SCTB-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4002SCTB-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTB-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 0.00222 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00222ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.35 грн
500+59.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4002SCTB-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTB-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 0.00222 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00222ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.99 грн
10+93.48 грн
100+85.35 грн
500+59.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4002SCTB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO263 T&R 0.8K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4002SCTBQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 0.00222 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00222ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4002SCTBQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO263 T&R 0.8K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4002SCTBQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 0.00222 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00222ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4002SCTBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO263 T&R
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 166.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.54 грн
1600+57.61 грн
2400+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4002SCTBQ-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.63 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-4L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.95 грн
10+93.52 грн
100+72.91 грн
500+56.53 грн
1000+44.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 26A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.61 грн
5000+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 26A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 26A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 26A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+68.38 грн
100+47.59 грн
500+37.78 грн
1000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]