Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLH5034TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5036TR2
Код товару: 48698
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,6 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5360/90
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+92.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5036TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5036TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5036TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.4mOhms 44nC
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH6224Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH6224TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH6224TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH6224TRPBFIRLH6224TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH6224TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+51.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH6224TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 28A/105A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH6224TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+97.57 грн
160+88.83 грн
197+72.29 грн
210+65.15 грн
500+60.22 грн
1000+51.34 грн
4000+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH6224TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 80A 3.0mOhm 2.5V drive capable
на замовлення 8752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH6224TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 28A/105A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.52 грн
10+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH7134TR2PBFInfineon / IRMOSFET 40V 50A 3.3mOhm 39nC Qg Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH7134TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH7134TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 26A/85A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH7134TRPBFInternational RectifierMOSF N CH 40V 26A PQFN 5X6E Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH7134TRPBFInfineon / IRMOSFET 40V 50A 3.3mOhm 39nC Qg Logic Level
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TR2PBF
Код товару: 79678
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Примітка: Управління логічним рівнем
товару немає в наявності
1+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+16.80 грн
857+16.55 грн
871+16.29 грн
885+15.45 грн
899+14.08 грн
1000+13.29 грн
3000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 844 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 17157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
764+46.39 грн
1000+42.77 грн
10000+38.14 грн
Мінімальне замовлення: 764 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 40 А, Rds = 2,5 мОм, Р, Вт = 37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 1500 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 615 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
4000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 615 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
764+46.39 грн
1000+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 764 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
474+29.96 грн
503+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
764+46.39 грн
1000+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 764 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.03 грн
45+16.80 грн
46+15.96 грн
100+14.55 грн
250+13.74 грн
500+13.52 грн
1000+13.29 грн
3000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
на замовлення 7096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.29 грн
10+62.60 грн
100+41.50 грн
500+30.45 грн
1000+27.71 грн
2000+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBFInfineonMOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRInternational RectifierN-MOSFET 30V 21A 2.7W IRLHM630TR TIRLHM630
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+98.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TR2PBF
Код товару: 74347
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 20V 40A 2.5V 3.5mOhm Drv cpbl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRLHM630TRPBF
на замовлення 936740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+54.56 грн
1000+50.32 грн
10000+44.87 грн
100000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+54.56 грн
1000+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHM630TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+77.46 грн
250+74.36 грн
500+71.68 грн
1000+66.86 грн
2500+60.08 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.94 грн
10+69.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 175500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+54.56 грн
1000+50.32 грн
10000+44.87 грн
100000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 41nC
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.25 грн
10+89.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 P-CH HEXFET 31mOhms 12nC
на замовлення 52979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHS2242TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.031 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBFIRLHS2242TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 103 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 14368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBFInfineonPQFN-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V
на замовлення 5142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
12+26.10 грн
100+16.71 грн
500+11.90 грн
1000+10.68 грн
2000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBF
Код товару: 113594
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.44 грн
8000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 7,2, Ciss, пФ @ Uds, В = 877 @ 10, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 31 мОм @ 8,5 А, 4,5 В, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА, Р, Вт = 2.1, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: 6-PowerVDFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.59 грн
8000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TR2
Код товару: 99532
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN2*2
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1110/14
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
2+12.00 грн
10+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 20V 8.5A 11.7mOhm 2.5V cpbl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+39.21 грн
523+27.15 грн
658+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V
на замовлення 114269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+46.07 грн
50+33.95 грн
100+28.19 грн
500+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.02 грн
8000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; 1.98W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
Power dissipation: 1.98W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 9.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.10 грн
8000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.03 грн
45+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.19 грн
12000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 9.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBFInternational RectifierMOSFET, N-CH, 20V, 22A, PQFN-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TR2
Код товару: 99533
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN2*2
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 310/3,1
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+12.00 грн
10+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.02 грн
10+35.37 грн
100+22.85 грн
500+16.39 грн
1000+14.76 грн
2000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
на замовлення 7805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.74 грн
15+53.85 грн
25+51.93 грн
100+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 12A; 4.5W; PQFN2X2
Mounting: SMD
Power dissipation: 4.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel
Case: PQFN2X2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHS6276TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6342TR2
Код товару: 99534
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN2*2
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1019/11
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
4+6.00 грн
10+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6342TR2PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6342TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 15.5mOhms 11nC
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V
на замовлення 124000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.7A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.