Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 25 30 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BUK7628-55A/C1118NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
704+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7628100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762855
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762855A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R0-40C,118NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK762 - N-CHANNEL MOSF
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+60.50 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R0-40C,118NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3pin(2+Tab)
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R0-40E,118NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R0-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+222.76 грн
1000+210.97 грн
10000+190.94 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R0-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R4-60E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1036A
Power dissipation: 349W
Gate charge: 158nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R4-60E,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R4-60E,118NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R6-40E,118NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R6-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R6-40E/GFJNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R6-40E118Rochester Electronics, LLCDescription: NOW NEXPERIA BUK762R6-40E 100A,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R6-60ENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R6-60E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK762R6-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1970 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 324W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1970µohm
на замовлення 4043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R6-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+133.04 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R6-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10170 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.95 грн
10+182.13 грн
100+147.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R6-60E,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 60V 120A
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R6-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+163.86 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R6-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+133.04 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R6-60E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 958A; 324W
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 958A
Power dissipation: 324W
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R6-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10170 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+108.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R6-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R7-30B,118NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R7-30B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 241A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
500+112.10 грн
1000+103.38 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R7-30B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6212 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+73.49 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R7-30B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 241A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
500+112.10 грн
1000+103.38 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R7-30B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6212 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R730B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R9-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R9-40E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK762R9-40E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 234
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 234
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R9-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.17 грн
100+56.82 грн
500+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R9-40E,118NexperiaMOSFET BUK762R9-40E/SOT404/D2PAK
на замовлення 5423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R9-40E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK762R9-40E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 234
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R9-40E/DMANJNexperiaBUK762R9-40E/DMANJ
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+260.48 грн
500+247.51 грн
1000+233.37 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R9-40E/DMANJNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R9-40E118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK762R9-40E 100A,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7631-100E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 34A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+89.42 грн
500+80.48 грн
1000+74.22 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7631-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 34A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7631-100E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7631-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7631-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 34A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7631-100E,118NexperiaMOSFET BUK7631-100E/D2PAK/REEL 13" Q1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7631-100E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7631-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-100ANexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-100APHILIPSTO-263
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-100A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-100A,118Nexperia USA Inc.Description: BUK7635-100 - N-CHANNEL TRENCHMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-100A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 41A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+137.90 грн
500+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-100A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 41A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+137.90 грн
500+123.76 грн
1000+114.46 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-55
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-55ANexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-55A
Код товару: 166930
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-55APHILIPSTO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-55A,118NXPDescription: NXP - BUK7635-55A,118 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 751 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-55A,118NexperiaMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-55A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 19230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+93.43 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-55A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-55A118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK7635-55A 35A, 55
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763555
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763555A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-40BNexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK763R1-40B - POWE
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+229.83 грн
500+218.05 грн
1000+205.08 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-40B,118NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK763R1-40B - 75A, 40V
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6808 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+101.11 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+229.83 грн
500+218.05 грн
1000+205.08 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-40B,118
Код товару: 163138
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+229.83 грн
500+218.05 грн
1000+205.08 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-40B,118NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
на замовлення 4551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.74 грн
10+216.02 грн
50+167.55 грн
100+142.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK763R1-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2340 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 293W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2340µohm
на замовлення 14813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 834A; 293W
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 834A
Power dissipation: 293W
Gate charge: 114nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+132.31 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118NexperiaMOSFETs BUK763R1-60E/SOT404/D2PAK
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.06 грн
1600+110.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK763R1-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2340 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 293W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2340µohm
на замовлення 14813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R140B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R4-30,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A(Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging: Bulk
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
492+47.81 грн
Мінімальне замовлення: 492 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R4-30,118NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 198A 3pin(2+Tab)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R4-30,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A(Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R4-30,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A(Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R4-30B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R4-30B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 89600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
10000+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK763R6-40C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 203
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118NexperiaMOSFET BUK763R6-40C/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 25 30 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]