Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7628-100A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7628-100A,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK7628-100A/C,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7628-30 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK7628-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7628-55A/C1,118 | NXP Semiconductors | BUK7628-55A/C1,118 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK7628-55A/C1118 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK7628100A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK762855 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK762855A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK762R0-40C,118 | Nexperia | MOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3pin(2+Tab) | на замовлення 4700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R0-40C,118 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA BUK762 - N-CHANNEL MOSF | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK762R0-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 293W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R0-40E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 22400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK762R0-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 293W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R0-40E,118 | Nexperia | MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R4-60E,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R4-60E,118 | Nexperia | MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R4-60E,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W Polarisation: unipolar Gate charge: 158nC On-state resistance: 5.2mΩ Drain current: 120A Power dissipation: 349W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1036A Application: automotive industry Drain-source voltage: 60V Case: D2PAK; SOT404 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R6-40E,118 | Nexperia | MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R6-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7130 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R6-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7130 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R6-40E/GFJ | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R6-40E118 | Rochester Electronics, LLC | Description: NOW NEXPERIA BUK762R6-40E 100A, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R6-60E | Nexperia | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R6-60E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK762R6-60E,118 | Nexperia | MOSFETs SOT404 N-CH 60V 120A | на замовлення 729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK762R6-60E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R6-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 324W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10170 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK762R6-60E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK762R6-60E,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 958A; 324W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.14µC On-state resistance: 5.6mΩ Drain current: 120A Power dissipation: 324W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 958A Application: automotive industry Drain-source voltage: 60V Case: D2PAK; SOT404 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R6-60E,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK762R6-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1970 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 324W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1970µohm | на замовлення 4043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK762R6-60E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK762R6-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 324W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10170 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK762R7-30B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6212 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK762R7-30B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 241A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK762R7-30B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6212 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R7-30B,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 30V 241A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK762R7-30B,118 | Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R730B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK762R9-40E,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK762R9-40E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Verlustleistung: 234 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024 Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 31 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R9-40E,118 | Nexperia | MOSFET BUK762R9-40E/SOT404/D2PAK | на замовлення 5423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R9-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762R9-40E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK762R9-40E,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK762R9-40E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 234 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 234 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK762R9-40E/DMANJ | Nexperia | BUK762R9-40E/DMANJ | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK762R9-40E118 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BUK762R9-40E 100A, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7631-100E,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7631-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7631-100E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 34A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK7631-100E,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7631-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK7631-100E,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 100V 34A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK7631-100E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: NEXPERIA BUK7631 - TRANSISTOR >3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK7631-100E,118 | Nexperia | MOSFET BUK7631-100E/D2PAK/REEL 13" Q1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7631-100E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 34A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7635-100A | PHILIPS | TO-263 | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7635-100A | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7635-100A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 149W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7635-100A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | на замовлення 1345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK7635-100A,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 100V 41A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK7635-100A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: BUK7635-100 - N-CHANNEL TRENCHMO Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 149W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK7635-100A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 149W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7635-100A,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 100V 41A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK7635-55 | на замовлення 1475 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK7635-55A Код товару: 166930
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BUK7635-55A | PHILIPS | TO-263 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7635-55A | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7635-55A,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK7635-55A,118 | Nexperia | MOSFETs TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7635-55A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK7635-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 85W (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | на замовлення 19230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK7635-55A,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK7635-55A,118 | NXP | Description: NXP - BUK7635-55A,118 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK7635-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7635-55A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 7931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK7635-55A118 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BUK7635-55A 35A, 55 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7635100A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK763555 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK763555A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK763R1-40B | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BUK763R1-40B - POWE Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK763R1-40B,118 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA BUK763R1-40B - 75A, 40V Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6808 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | на замовлення 12400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK763R1-40B,118 Код товару: 163138
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BUK763R1-40B,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK763R1-40B,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK763R1-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK763R1-40B,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK763R1-40B,118 | Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | на замовлення 4551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK763R1-60E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK763R1-60E,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 834A; 293W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Pulsed drain current: 834A Power dissipation: 293W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 114nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK763R1-60E,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK763R1-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2340 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 293W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2340µohm | на замовлення 14813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK763R1-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 293W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK763R1-60E,118 | Nexperia | MOSFETs BUK763R1-60E/SOT404/D2PAK | на замовлення 1787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK763R1-60E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK763R1-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 293W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK763R1-60E,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK763R1-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2340 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 293W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2340µohm | на замовлення 14813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK763R140B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK763R4-30,118 | Nexperia | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 198A 3pin(2+Tab) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK763R4-30,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A(Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Packaging: Bulk | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUK763R4-30,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A(Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK763R4-30,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A(Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK763R4-30B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

