Продукція > SCT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCT4045DW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+965.66 грн
10+687.84 грн
100+521.52 грн
500+465.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4045DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4045DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT4045DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+365.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWAHRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT4045DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+816.73 грн
10+545.33 грн
50+442.14 грн
100+404.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+846.52 грн
10+564.35 грн
50+457.16 грн
100+416.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWATLROHMDescription: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWATLROHMDescription: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4050KEC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 32A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 800 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+988.39 грн
30+579.30 грн
120+497.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4050KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 32A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.90 грн
30+594.27 грн
120+510.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4050KEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V, 32A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4050KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V, 32A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4050KTWHRTCRRohm SemiconductorDescription: 1200V, 31A, 9-PIN SMD, TRENCH-ST
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+877.87 грн
10+587.68 грн
50+477.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4050KTWHRTCRROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V, 31A, 9-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4050KTWHRTCRRohm SemiconductorDescription: 1200V, 31A, 9-PIN SMD, TRENCH-ST
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4050KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 29A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+377.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4050KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 29A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+837.11 грн
10+559.30 грн
50+453.97 грн
100+417.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KEC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
на замовлення 4126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1032.28 грн
30+603.45 грн
60+556.99 грн
120+486.07 грн
510+440.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KEC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+771.59 грн
25+735.97 грн
50+706.35 грн
100+657.12 грн
250+589.57 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KEC11ROHMDescription: ROHM - SCT4062KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT4062KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+868.47 грн
10+734.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4062KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
на замовлення 4413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1054.23 грн
10+710.63 грн
50+580.60 грн
450+449.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1077.75 грн
10+727.99 грн
50+595.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4062KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KTWHRTCRROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V, 25A, 9-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4062KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+995.44 грн
10+672.44 грн
50+557.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7HRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+473.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4062KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4062KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4062KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7TLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+846.52 грн
10+566.09 грн
50+459.75 грн
100+423.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7TLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWAHRTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+697.65 грн
500+670.85 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT4062KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWAHRTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1261.13 грн
16+909.90 грн
50+806.18 грн
100+658.05 грн
200+584.05 грн
500+496.03 грн
1000+465.73 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWAHRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT4062KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+832.41 грн
10+556.13 грн
50+451.26 грн
100+414.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+629.27 грн
50+577.53 грн
100+525.78 грн
250+504.33 грн
500+465.32 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWATLROHMDescription: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1249.34 грн
16+894.58 грн
50+793.21 грн
100+646.69 грн
200+573.53 грн
500+480.88 грн
1000+450.57 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWATLROHMDescription: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4065DEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4065DEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 25A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+754.03 грн
30+430.10 грн
120+365.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4065DEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4065DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4065DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 750 V, 0.085 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4065DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 26A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.15mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 500 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+822.22 грн
10+548.95 грн
50+445.22 грн
100+407.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4065DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4065DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 750 V, 0.085 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4065DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 26A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.15mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4065DLLTRDCROHM SemiconductorSiC MOSFETs TOLL 750V 26A SIC
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4065DRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 25A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+655.27 грн
30+369.97 грн
120+312.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4065DRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 25A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+670.95 грн
30+379.35 грн
120+320.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4065DTWHRTCRROHM SemiconductorSiC MOSFETs 750V, 24A, 9-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4065DWAHRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs 750V, 45m, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4065DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 22A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 71W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.15mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4065DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 22A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 71W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.15mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+627.84 грн
10+413.02 грн
50+331.09 грн
100+286.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4065DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 22A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 71W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.15mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 500 V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+612.94 грн
10+403.21 грн
50+322.87 грн
100+278.77 грн
500+277.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4065DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 22A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 71W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.15mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 500 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+251.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4065DWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs 750V, 45m, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT407DMC ToolsHand Tools SAFE-T-CABLE TOOL .040" WITH 7" NOSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4090KEC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 19A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 4.44mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1026 pF @ 800 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+759.52 грн
30+433.95 грн
120+368.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4090KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 19A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 4.44mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1026 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+777.54 грн
30+445.05 грн
120+378.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4090KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 19A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+666.24 грн
30+376.59 грн
120+318.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4090KRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 19A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.92 грн
30+386.15 грн
120+326.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4090KTWHRTCRROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V, 18A, 9-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4090KWAHRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4090KWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 71W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 4.44mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1026 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+638.81 грн
10+420.49 грн
50+337.34 грн
100+292.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4090KWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 71W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 4.44mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1026 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4090KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+256.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4090KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+623.92 грн
10+410.53 грн
50+328.95 грн
100+284.11 грн
500+284.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT40N120G2VD8AGSTMicroelectronicsCategory: Unclassified
Description: SCT40N120G2VD8AG
на замовлення 39551 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
105+341.39 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT42TDK-LambdaSwitching Power Supplies 40W 5V 12V 4A
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT42TDK-LambdaDescription: AC/DC CONVERTER 5V +/-12V 40W
Power (Watts): 40W (55W Forced Air)
Features: Adjustable Output, Universal Input
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.00" L x 3.00" W x 1.00" H (127.0mm x 76.2mm x 25.4mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Type: Open Frame
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Approval Agency: CE
Efficiency: 70%
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: 12V
Voltage - Output 3: -12V
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 3
Voltage - Isolation: 4.3 kV
Current - Output 1: 4 A
Current - Output 2: 2 A
Current - Output 3: 500 mA
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT42TDK-LambdaAC/DC Power Supply Triple-OUT 5V/12V/-12V 4A/2A/0.5A 40W 12-Pin
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4666.41 грн
5+4366.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT43TDK-LambdaDescription: AC/DC CONVERTER 5V +/-12V 40W
Power (Watts): 40W (55W Forced Air)
Features: Adjustable Output, Universal Input
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.00" L x 3.00" W x 1.00" H (127.0mm x 76.2mm x 25.4mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Type: Open Frame
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Approval Agency: CE
Efficiency: 70%
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: 12V
Voltage - Output 3: -12V
Number of Outputs: 3
Voltage - Isolation: 4.3 kV
Current - Output 1: 5 A
Current - Output 2: 500 mA
Current - Output 3: 500 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT44TDK-LambdaDescription: AC/DC CONVERTER 5V 12V -5V 40W
Power (Watts): 40W (55W Forced Air)
Features: Adjustable Output, Universal Input
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.00" L x 3.00" W x 1.00" H (127.0mm x 76.2mm x 25.4mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Type: Open Frame
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Approval Agency: CE
Efficiency: 70%
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: 12V
Voltage - Output 3: -5V
Number of Outputs: 3
Voltage - Isolation: 4.3 kV
Current - Output 1: 4 A
Current - Output 2: 2 A
Current - Output 3: 500 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT45TDK-LambdaDescription: AC/DC CONVERTER 5V +/-15V 40W
Power (Watts): 40W (55W Forced Air)
Features: Adjustable Output, Universal Input
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.00" L x 3.00" W x 1.00" H (127.0mm x 76.2mm x 25.4mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Type: Open Frame
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Approval Agency: CE
Efficiency: 70%
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: 15V
Voltage - Output 3: -15V
Number of Outputs: 3
Voltage - Isolation: 4.3 kV
Current - Output 1: 4 A
Current - Output 2: 2 A
Current - Output 3: 500 mA
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT45TDK-LambdaSwitching Power Supplies 40W 5V 15V 0.4A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT46TDK-Lambda Americas Inc.Description: AC/DC CONVERTER 5V 24V -12V 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT47TDK-LambdaDescription: AC/DC CONVERTER 5V 24V 12V 40W
Power (Watts): 40W (55W Forced Air)
Features: Adjustable Output, Universal Input
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.00" L x 3.00" W x 1.00" H (127.0mm x 76.2mm x 25.4mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Type: Open Frame
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Approval Agency: CE
Efficiency: 70%
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: 24V
Voltage - Output 3: 12V
Number of Outputs: 3
Voltage - Isolation: 4.3 kV
Current - Output 1: 4 A
Current - Output 2: 1 A
Current - Output 3: 500 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4764LFU
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT47X-200-S1R8B011JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 1.08mH 20A DCR=3.52mOhms Heat Resistant Thru Hole
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT47X-200-S1R8B011JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 1.08mH 20A DCR=3.52mOhms Heat Resistant Thru Hole
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.