Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD19532Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19532Q5B
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.86 грн
10+244.39 грн
100+146.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+118.13 грн
750+100.38 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533KCSTexas InstrumentsMOSFETs 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+76.40 грн
5000+74.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+90.32 грн
6+78.83 грн
10+70.45 грн
25+62.06 грн
50+57.03 грн
100+52.00 грн
500+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.09 грн
50+80.11 грн
100+72.01 грн
500+54.22 грн
1000+49.92 грн
2000+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533KCS .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533KCS . - Leistungs-MOSFET, NexFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533KCS транзистор
Код товару: 195368
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V
на замовлення 12048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+88.91 грн
100+60.02 грн
500+44.70 грн
1000+40.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9400 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 3863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.85 грн
5000+36.67 грн
7500+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 100V 7.8mOhm N-CH Pw r MOSFET A 595-CSD1 A 595-CSD19533Q5AT
на замовлення 10278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9400 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 3863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.80 грн
5000+57.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5ATTexas InstrumentsMOSFETs 100V 7.8mOhm SON5x6 N-ch NexFET A 595-CSD19533Q5A
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 96W; VSONP8; 5x6mm
Transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+148.12 грн
5+112.38 грн
10+99.80 грн
25+83.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.33 грн
10+101.59 грн
100+73.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5ATTexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 11,1mOhm; 100A; 96W; -55°C ~ 150°C; CSD19533Q5AT CSD19533Q5A TCSD19533q5a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+78.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0137 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 118W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534KCSTexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 100A; 118W; -55°C ~ 175°C; CSD19534KCS TCSD19534kcs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.06 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534KCSTexas InstrumentsMOSFETs 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 118W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.96 грн
5+94.77 грн
10+82.19 грн
25+67.09 грн
50+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
50+62.84 грн
100+56.28 грн
500+41.97 грн
1000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534KCSTexas InstrumentsCSD19534KCS N-Channel 100 V 100A (Ta) 118W (Tc) Through Hole TO-220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 10366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.17 грн
10+65.67 грн
50+49.02 грн
100+40.96 грн
500+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5ATexas InstrumentsMOSFETs N-Channel MOSFET A 5 95-CSD19534Q5AT A 5 A 595-CSD19534Q5AT
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5ATEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5ATTexas InstrumentsMOSFETs 100V NCh NexFET A 59 5-CSD19534Q5A A 595 A 595-CSD19534Q5A
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Dimensions: 5x6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5ATTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0151 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0151ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 5033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.01 грн
10+107.63 грн
100+73.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+66.81 грн
500+58.74 грн
750+55.88 грн
1250+49.43 грн
1750+47.64 грн
2500+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5ATTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0151 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0151ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19535KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KCSTexas InstrumentsMOSFETs 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 300W; TO220-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+293.53 грн
10+165.21 грн
50+157.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.50 грн
10+224.77 грн
50+175.22 грн
100+149.44 грн
500+123.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.93 грн
10+185.98 грн
100+130.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A 595-CSD19535KTTT
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+246.56 грн
5+185.34 грн
10+163.54 грн
25+137.54 грн
100+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+155.86 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+215.92 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.86 грн
10+286.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+258.73 грн
100+237.99 грн
150+228.37 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+234.83 грн
100+206.79 грн
150+196.92 грн
250+174.40 грн
350+168.23 грн
500+162.24 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTTexas InstrumentsMOSFETs 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 595-CSD19535KTT
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+317.01 грн
3+270.05 грн
10+219.73 грн
50+190.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+215.92 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCS
Код товару: 171204
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 150A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsMOSFETs 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Power dissipation: 375W
Gate charge: 118nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+270.88 грн
10+211.34 грн
25+204.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 150, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: TO220-3 Очікується: 520 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.99 грн
10+267.34 грн
50+209.85 грн
100+179.56 грн
500+149.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19536KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCS .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19536KCS . - Leistungs-MOSFET, NexFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+326.53 грн
10+271.56 грн
25+245.81 грн
100+205.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 11224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.10 грн
10+258.29 грн
50+202.96 грн
100+173.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+471.79 грн
10+294.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+159.84 грн
1500+138.80 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 200A TO263 Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+461.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+326.53 грн
53+271.56 грн
58+245.81 грн
100+205.85 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]