Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD19535KTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+244.30 грн
5+183.64 грн
10+162.04 грн
25+136.28 грн
100+129.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.24 грн
10+184.28 грн
100+129.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A 595-CSD19535KTTT
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+323.77 грн
10+211.18 грн
100+143.59 грн
500+127.71 грн
1000+109.07 грн
2500+103.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+232.68 грн
100+204.89 грн
150+195.11 грн
250+172.80 грн
350+166.69 грн
500+160.76 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTTexas InstrumentsMOSFETs 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 595-CSD19535KTT
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.50 грн
10+192.12 грн
50+167.06 грн
100+151.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+259.31 грн
100+238.52 грн
150+228.88 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+216.40 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.80 грн
10+283.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+216.40 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+307.84 грн
3+262.59 грн
10+213.56 грн
50+185.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 150A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.58 грн
50+181.07 грн
100+165.10 грн
500+128.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 150, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: TO220-3 Очікується: 520 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+266.74 грн
10+208.57 грн
25+201.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19536KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCS
Код товару: 171204
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsMOSFETs 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.18 грн
10+192.12 грн
100+151.18 грн
500+136.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCS .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19536KCS . - Leistungs-MOSFET, NexFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 200A TO263 Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+465.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+447.11 грн
44+329.56 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT
Код товару: 115066
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19536KTTT
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.85 грн
10+250.08 грн
100+156.02 грн
500+140.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 8890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.54 грн
10+248.82 грн
100+178.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+213.95 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+323.47 грн
53+269.14 грн
100+206.31 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.47 грн
10+270.65 грн
25+269.14 грн
100+206.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 8890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+153.94 грн
1000+138.59 грн
1500+133.67 грн
2500+123.70 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsMOSFETs 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19536KTT
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.40 грн
10+269.92 грн
50+234.72 грн
100+207.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+278.86 грн
100+246.33 грн
150+235.02 грн
250+208.62 грн
350+201.56 грн
500+194.69 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+370.91 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 200 А, Ptot, Вт = 375, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 12000 @ 50, Qg, нКл = 153 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+445.65 грн
3+382.24 грн
10+322.41 грн
25+285.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.01 грн
10+337.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19536KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTT
Код товару: 150841
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T
на замовлення 14685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.47 грн
10+81.77 грн
100+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.04 грн
10+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0121ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.66 грн
10+100.03 грн
100+51.64 грн
500+44.73 грн
1000+40.52 грн
2500+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 83W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.66 грн
10+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.52 грн
10+108.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.29 грн
10+105.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 82715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.36 грн
10+32.46 грн
100+20.93 грн
500+14.97 грн
1000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.78 грн
6000+11.28 грн
9000+10.76 грн
15000+9.54 грн
21000+9.22 грн
30000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2Texas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q2T
на замовлення 11378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.78 грн
10+34.61 грн
100+19.40 грн
500+14.77 грн
1000+13.32 грн
3000+11.39 грн
6000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2G4Texas InstrumentsMOSFETs 100-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2RTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET si
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+53.91 грн
100+30.86 грн
500+24.44 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2RTexas InstrumentsN-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2RTexas InstrumentsN-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2RTexas InstrumentsDescription: 100-V, N CHANNEL NEXFET POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+68.06 грн
100+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+43.94 грн
500+35.71 грн
750+33.29 грн
1250+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsMOSFETs 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2
на замовлення 28064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.92 грн
10+86.53 грн
100+43.91 грн
500+37.83 грн
1000+34.17 грн
2500+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19538Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13.1 A, 0.049 ohm, WSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 13.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 23
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 23
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 20.2W; WSON6; 2x2mm
Kind of channel: enhancement
Case: WSON6
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.3nC
Dimensions: 2x2mm
On-state resistance: 49mΩ
Drain current: 14.4A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 20.2W
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.74 грн
11+39.55 грн
25+38.06 грн
100+34.73 грн
250+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 72mOhm; 15A; 23W; -55°C ~ 150°C; CSD19538Q3AT CSD19538Q3A TCSD19538q3a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 12258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+40.83 грн
100+26.59 грн
500+19.20 грн
1000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3A
Код товару: 165390
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.97 грн
5000+15.02 грн
7500+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19538Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.049 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 23
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 23
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 23W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.3nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.14 грн
10+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 15A VSONP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]