Продукція > FDS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS8449_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8449_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8449_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8449_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.6A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8449_NL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8521LFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8560FSC09+ MSOP-8
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8588FSC00+ SOP
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 208 pF @ 50 V
на замовлення 33396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.02 грн
10+85.26 грн
100+57.50 грн
500+42.80 грн
1000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 24407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 208 pF @ 50 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.53 грн
5000+32.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+133.15 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140
Код товару: 179302
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.2A; Idm: 50A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.2A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.23 грн
10+189.36 грн
50+147.12 грн
100+125.29 грн
500+106.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.46 грн
10+167.74 грн
25+159.33 грн
100+135.50 грн
250+124.12 грн
500+116.64 грн
1000+114.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ONS/FAIMOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.74 грн
10+115.57 грн
25+112.64 грн
50+106.34 грн
100+75.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+100.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.26 грн
5000+83.37 грн
10000+81.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.74 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.25 грн
10+127.59 грн
100+88.21 грн
500+69.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 20250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.81 грн
5000+89.84 грн
10000+87.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.44 грн
10+142.72 грн
25+137.30 грн
50+126.32 грн
100+80.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.38 грн
10+133.15 грн
25+131.83 грн
100+125.84 грн
250+115.42 грн
500+109.67 грн
1000+108.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+105.84 грн
141+101.12 грн
183+77.58 грн
500+73.17 грн
1000+64.04 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.38 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
1000+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 23870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+124.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 7.5 A, 0.0173 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+189.19 грн
500+173.31 грн
1000+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+126.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V
на замовлення 7713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.90 грн
10+187.34 грн
50+145.45 грн
100+123.85 грн
500+104.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+127.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+94.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
909+38.99 грн
1000+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 909 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.01 грн
5000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 929886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
909+38.99 грн
1000+35.96 грн
10000+32.06 грн
100000+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 909 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.22 грн
5000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+58.48 грн
50+43.48 грн
100+36.27 грн
500+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.22 грн
5000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+56.74 грн
1000+52.33 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 75 V
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.38 грн
10+73.52 грн
100+49.19 грн
500+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4.5A; Idm: 20A; 5W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.5A
Gate charge: 10.6nC
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.08 грн
10+105.23 грн
50+79.89 грн
100+67.32 грн
500+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+166.19 грн
117+121.55 грн
160+88.76 грн
500+62.99 грн
1000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.255 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
на замовлення 3681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; Idm: -34A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -34A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PonsemiMOSFETs PT5 150V/20V Pch PowerTrench Mosfet
на замовлення 6578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.55 грн
10+122.54 грн
100+89.49 грн
500+63.51 грн
1000+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.255 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
на замовлення 3681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+127.85 грн
250+79.61 грн
500+78.05 грн
1000+73.76 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638onsemi / FairchildMOSFETs 40/20V, N Chan PowerTrench
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.34 грн
10+90.94 грн
50+68.68 грн
100+57.72 грн
500+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+78.25 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.93 грн
500+95.34 грн
1000+87.92 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 18, Ciss, пФ @ Uds, В = 5680 @ 15, Qg, нКл = 86, Rds = 4,3 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.79 грн
10+78.25 грн
25+77.87 грн
100+65.97 грн
250+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.0037 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540ONS/FAIMOSFET N CH 60V 18A 8-SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.30 грн
10+204.92 грн
50+159.58 грн
100+136.05 грн
500+117.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.