Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 30 35 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN013-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLCNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC транзистор
Код товару: 195567
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.93 грн
4500+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+13.58 грн
4500+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0135 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN013-30MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 13277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 157A
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
22+19.96 грн
25+18.45 грн
100+17.70 грн
250+16.35 грн
500+15.68 грн
1000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
на замовлення 4506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.55 грн
50+23.04 грн
100+19.03 грн
500+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 32A
на замовлення 8087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.25 грн
12+35.39 грн
25+32.12 грн
100+23.23 грн
250+20.97 грн
500+19.37 грн
1000+18.53 грн
1500+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 48300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+37.15 грн
1032+34.26 грн
10000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+44.68 грн
50+32.80 грн
100+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
на замовлення 5858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.60 грн
10+100.99 грн
50+76.16 грн
100+63.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDXNexperiaMOSFETs PSMN013-40VLD/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 169A
Technology: NextPowerS3
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.38 грн
10+61.22 грн
25+51.16 грн
100+46.13 грн
250+42.77 грн
500+40.26 грн
1000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HLXNexperiaMOSFETs PSMN013-60HL/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HLXNexperiaPSMN013-60HLX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+165.01 грн
500+148.51 грн
1000+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.93 грн
10+128.16 грн
50+97.49 грн
100+82.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+165.01 грн
500+148.51 грн
1000+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HSXNexperiaMOSFETs PSMN013-60HS/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0108 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 95W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 212A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
на замовлення 6765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+55.70 грн
100+36.77 грн
500+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 53A
на замовлення 35083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.65 грн
3000+22.71 грн
4500+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0108 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 95W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
на замовлення 16937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+73.97 грн
50+55.33 грн
100+46.27 грн
500+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-80YS,115NexperiaMOSFETs PSMN013-80YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.88 грн
4500+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.76 грн
178+79.66 грн
229+61.88 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-40HLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+106.35 грн
500+95.71 грн
1000+88.26 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-40HLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.36 грн
10+90.20 грн
50+67.75 грн
100+56.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.50 грн
10+81.51 грн
100+60.82 грн
500+47.56 грн
1500+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.48 грн
3000+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 20 V
на замовлення 9516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+45.36 грн
50+33.48 грн
100+27.82 грн
500+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
418+22.95 грн
500+22.69 грн
1000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.36 грн
4500+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.96 грн
3000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
620+57.04 грн
1000+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 620 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1578pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.76 грн
10+77.74 грн
50+58.39 грн
100+48.92 грн
500+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin LFPAK-D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1578pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60HSXNexperiaMOSFETs PSMN014-60HS/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 10934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60LS,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YL115Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 62A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 62A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
374+94.70 грн
500+85.23 грн
1000+78.59 грн
Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 4281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+64.84 грн
50+48.40 грн
100+40.41 грн
500+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLXNXPMOSFET N-CH 80V LFPAK56 Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
3+260.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 62A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
374+94.70 грн
500+85.23 грн
1000+78.59 грн
Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 30 35 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]