Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN013-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 48300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+37.23 грн
1032+34.34 грн
10000+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 32A
на замовлення 8087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.78 грн
10+34.53 грн
100+22.78 грн
500+17.88 грн
1000+15.12 грн
1500+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.85 грн
12+35.07 грн
25+31.83 грн
100+23.02 грн
250+20.77 грн
500+19.20 грн
1000+18.36 грн
1500+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.78 грн
10+44.27 грн
50+32.50 грн
100+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.23 грн
10+81.35 грн
100+64.19 грн
500+56.61 грн
1000+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
на замовлення 5858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.09 грн
10+100.06 грн
50+75.46 грн
100+63.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.78 грн
10+91.30 грн
100+53.57 грн
500+42.52 грн
1000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.64 грн
10+60.66 грн
25+50.69 грн
100+45.70 грн
250+42.38 грн
500+39.89 грн
1000+36.56 грн
1500+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.19 грн
500+56.61 грн
1000+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.76 грн
500+87.50 грн
1000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HLXNexperiaPSMN013-60HLX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+165.38 грн
500+148.84 грн
1000+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HLXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.24 грн
10+117.50 грн
100+71.11 грн
500+57.16 грн
1500+38.18 грн
3000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.29 грн
10+149.00 грн
100+112.76 грн
500+87.50 грн
1000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.03 грн
10+126.99 грн
50+96.59 грн
100+81.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HSXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.91 грн
10+104.79 грн
100+61.72 грн
500+49.64 грн
1000+40.11 грн
1500+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.88 грн
10+201.35 грн
100+124.84 грн
500+90.49 грн
1000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+165.38 грн
500+148.84 грн
1000+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.84 грн
500+90.49 грн
1000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0108 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.11 грн
10+85.37 грн
100+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
на замовлення 6765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+55.19 грн
100+36.44 грн
500+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0108 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.48 грн
11+38.22 грн
25+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+82.29 грн
500+74.05 грн
1000+68.30 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.41 грн
3000+22.50 грн
4500+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 53A
на замовлення 35083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+65.81 грн
50+42.46 грн
100+37.62 грн
1500+25.13 грн
3000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.28 грн
10+67.16 грн
100+44.80 грн
500+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-80YS,115NexperiaMOSFETs PSMN013-80YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.47 грн
10+80.18 грн
100+45.36 грн
500+34.93 грн
1000+31.55 грн
1500+28.72 грн
3000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.94 грн
178+79.83 грн
229+62.02 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 7094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+76.45 грн
100+44.39 грн
500+35.07 грн
1500+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-40HLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.86 грн
10+99.87 грн
100+66.61 грн
500+51.60 грн
1000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+53.87 грн
1000+50.60 грн
1500+45.79 грн
3000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-40HLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.61 грн
500+51.60 грн
1000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+106.59 грн
500+95.93 грн
1000+88.46 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.01 грн
10+89.37 грн
50+67.13 грн
100+56.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
418+23.00 грн
500+22.74 грн
1000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 20 V
на замовлення 14133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.12 грн
10+41.43 грн
100+27.07 грн
500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+35.54 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 20 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.59 грн
3000+16.39 грн
4500+15.62 грн
7500+13.85 грн
10500+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaMOSFETs PSMN014-40YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 41866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.56 грн
10+47.71 грн
100+27.20 грн
500+21.06 грн
1000+18.02 грн
1500+16.43 грн
3000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.02 грн
3000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.17 грн
13+65.32 грн
50+54.12 грн
200+39.86 грн
500+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.50 грн
10+133.70 грн
100+77.00 грн
500+56.46 грн
1000+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1578pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.45 грн
10+88.32 грн
50+66.28 грн
100+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60HSXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 60V 30A
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.53 грн
10+85.74 грн
100+49.01 грн
500+38.94 грн
1000+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin LFPAK-D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1578pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.00 грн
500+56.46 грн
1000+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60LS,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YL115Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.42 грн
3000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 62A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
374+94.91 грн
500+85.42 грн
1000+78.77 грн
Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLXNXPMOSFET N-CH 80V LFPAK56 Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+162.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.06 грн
11+80.46 грн
50+70.79 грн
200+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 80V 62A
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.56 грн
10+66.69 грн
100+51.71 грн
1000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 62A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
374+94.91 грн
500+85.42 грн
1000+78.77 грн
Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 4336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.07 грн
10+62.90 грн
100+41.81 грн
500+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.79 грн
200+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 62A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100B
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100B,118NexperiaMOSFETs PSMN015-100B/SOT404/D2PAK
на замовлення 5183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.52 грн
10+113.53 грн
100+70.41 грн
800+56.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.23 грн
250+85.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+74.62 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.80 грн
10+125.64 грн
50+107.92 грн
100+83.01 грн
250+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+73.14 грн
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]