Продукція > SI2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2328AUMWDescription: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
35+8.76 грн
40+7.73 грн
100+6.18 грн
250+5.67 грн
500+5.36 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328AUMWDescription: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.30 грн
6000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DSSI03+ SOT-323-6
на замовлення 21999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS (мікросхеми різні)
Код товару: 40959
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
УКТЗЕД: 8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2328DS-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1VISHAY07+;
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.00 грн
6000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT233 100V 1.15A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 8860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+74.72 грн
100+50.08 грн
500+37.07 грн
1000+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2328DS-T1-BE3 - N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 42AJ0569
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 20003 шт:
термін постачання 281-290 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3Vishay SiliconixN-Channel MOSFET, 100V, 1.15A, SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 0.92A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; Idm: 6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.90 грн
10+57.70 грн
50+43.78 грн
100+39.33 грн
500+32.04 грн
1000+28.01 грн
1500+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+39.76 грн
361+39.19 грн
367+38.60 грн
372+36.67 грн
500+33.43 грн
1000+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+80.13 грн
197+71.94 грн
500+58.61 грн
1000+49.52 грн
1500+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3(транзистор)
Код товару: 53967
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si2329DS-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.84 грн
6000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2329DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 6 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 21770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -8V Vds 5V Vgs SOT-23
на замовлення 21462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
на замовлення 76999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+41.06 грн
50+30.24 грн
100+25.10 грн
500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.79 грн
12000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.26 грн
6000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.66 грн
9000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.93 грн
15+28.68 грн
50+23.57 грн
100+21.39 грн
250+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI232C
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2331DS-T1-E3VISHAY
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2331DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2331DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333BORNP-Channel -12V 7.1A(Tc) 1V @ 250uA 35m? @ 5.1A,4.5V 1.25W SOT-23 MOSFETs  SI2333 SOT23 BORN TSI2333 BORN
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333BORNP-Channel -12V 7.1A(Tc) 1V @ 250uA 35m? @ 5.1A,4.5V 1.25W SOT-23 MOSFETs  SI2333 SOT23 BORN TSI2333 BORN
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TPMicro Commercial Components Corp.Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 6A; 28mOhm; 0,35W; -55°C~150°C; SI2333-TP TSI2333
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 1.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.18 грн
6000+5.39 грн
9000+5.10 грн
15000+4.49 грн
21000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TP
Код товару: 195120
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -6A; Idm: -20A; 1.1W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Drain current: -6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
на замовлення 511 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.52 грн
26+16.54 грн
100+10.06 грн
500+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2333-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 1.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 21290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
18+16.83 грн
100+10.63 грн
500+7.44 грн
1000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2333-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDSUMWDescription: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.79 грн
100+9.29 грн
500+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDSUMWDescription: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.89 грн
100+30.12 грн
500+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 12V 5.1A
на замовлення 119789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+44.98 грн
500+34.90 грн
1000+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V
на замовлення 36897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+53.59 грн
319+44.35 грн
500+39.21 грн
1000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 8453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+49.89 грн
50+36.94 грн
100+30.73 грн
500+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -5.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 35mΩ
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.06 грн
10+50.40 грн
25+40.84 грн
50+34.55 грн
100+29.35 грн
250+24.32 грн
500+21.47 грн
1000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2333CDS-T1-E3 - MOSFET, P CHANNEL, -12V, -7.1A, TO-236-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
directShipCharge: 25
на замовлення 6266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+40.09 грн
357+39.69 грн
431+32.85 грн
435+31.36 грн
502+25.20 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V
на замовлення 9548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 35mΩ
на замовлення 596 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.16 грн
10+42.27 грн
100+27.51 грн
250+23.65 грн
500+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+77.22 грн
282+50.29 грн
328+43.17 грн
500+37.55 грн
1000+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3
Код товару: 183755
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.59 грн
19+40.09 грн
25+39.69 грн
100+31.68 грн
250+29.04 грн
500+24.19 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+50.04 грн
100+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 19767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+29.06 грн
100+18.67 грн
500+13.32 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.34 грн
6000+10.00 грн
9000+9.53 грн
15000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 12V 5A
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Gate charge: 35nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.67 грн
12+36.06 грн
14+31.28 грн
100+19.04 грн
500+14.01 грн
1000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3MSKSEMIP-Channel 12V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 41157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3VishayTransistor P-MOSFET; 12V; 8V; 150mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1; SI2333DDS-T1-GE3 Vishay TSI2333dds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+31.55 грн
50+23.05 грн
100+19.05 грн
500+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DSTECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 28mOhm; 6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; SI2333DS-T1-GE3; SI2333DS-T1-GE3-VB; SI2333DS-T1-E3; SI2333DS-T1-E3-VB; SI2333DS-T1-BE3; SI2333DS SOT23-3(T/R) TECH PUBLIC TSI2333ds TEC
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.