Продукція > Si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4421-A0-FT1RSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A0-FT1RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A0-FTRSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A0-FTRSilicon LabsTSSOP 16/I°/Transceiver (EZRadio) SI4421
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A0-FTRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -110dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V
Power - Output: 7dbm
Current - Receiving: 11mA ~ 13mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 15mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Modulation: FSK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A0-FTRSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+649.54 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2016 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FT
Код товару: 209368
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTSilicon LabsTSSOP 16/TRANSCEIVER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK SI4421
кількість в упаковці: 96 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -110dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V
Power - Output: 7dbm
Current - Receiving: 11mA ~ 13mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 15mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Modulation: FSK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+752.03 грн
10+629.00 грн
96+551.69 грн
192+498.14 грн
288+487.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+595.49 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FT1Silicon LabsRF Transceiver TXRX SubG
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2016 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FT1Silicon LabsDescription: IC RF RECEIVER FSK TSSOP
Packaging: Tube
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2016 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FT1RSilicon LabsDescription: IC RF RECEIVER FSK TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FT1RSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTRSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTRSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTRSilicon LabsTSSOP 16/I°/TRANSCEIVER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK SI4421
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTRSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -110dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V
Power - Output: 7dbm
Current - Receiving: 11mA ~ 13mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 15mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Modulation: FSK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421/AI4421
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421A0FTR
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421A1FTSilicon LabsФМ приймопередатчик, Uживл, В = 2.2...3.8, F, МГц = 315...915, Iпер, мА = 20, Iпр, мА = 12, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-16 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 96 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+124.71 грн
145+97.21 грн
147+85.82 грн
250+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.71 грн
10+97.21 грн
25+96.18 грн
50+92.72 грн
100+85.82 грн
250+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 8798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.77 грн
10+146.98 грн
100+101.98 грн
500+77.64 грн
1000+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20 Volt 14 Amp
на замовлення 5783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
на замовлення 13609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.77 грн
10+146.98 грн
100+101.98 грн
500+77.64 грн
1000+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4421DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.007 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 14A 3.0W 8.75mohm @ 4.5V
на замовлення 10369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4421DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.007 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 800
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4422SIEMENS01+ SOP
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423SISOP-8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DYVishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DYVISHAY09+
на замовлення 668 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1VISHAY
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.28 грн
10+129.71 грн
100+93.66 грн
500+72.97 грн
1000+68.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20 Volt 14 Amp 3.0W
на замовлення 5531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 14A 3.0W 7.5mohm @ 4.5V
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
si4424BM
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425SISOP-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425-T1-E3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI44258BDY-T1-E3
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425B
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDYVishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDYSILICON2003 SMD
на замовлення 617 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY ROHSVISHAY0621+ SOP8
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-E3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.08 грн
10+79.68 грн
100+53.53 грн
500+39.74 грн
1000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.17 грн
209+67.32 грн
500+55.48 грн
1000+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3Vishay SiliconixДЛЯ НОВЫХ РАЗРАБ. ИСП. Si4425DDY Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 11A 2.5W
на замовлення 55815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.28 грн
10+91.72 грн
100+67.73 грн
500+53.83 грн
1000+46.24 грн
2500+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3-SVISHAYSOP8
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 11.4A 2.5W 12mohm @ 10V
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.89 грн
10+118.52 грн
100+81.39 грн
500+61.48 грн
1000+56.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDYT1E3VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425D
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-E3
на замовлення 13200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.44 грн
10000+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3
Код товару: 179533
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4425DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.7 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
на замовлення 99577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.42 грн
10+50.85 грн
100+33.97 грн
500+24.84 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+67.44 грн
218+64.63 грн
500+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.92 грн
5000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DYVISHAY09+
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DYUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DYVishay SemiconductorP-канальный ПТ (Vds=-30V, Id=8.5A , Rds=0.023R).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DYUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]