Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFR9220TRPBFInternational RectifierMOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp, TO-252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+62.28 грн
4000+58.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.54 грн
8000+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayMOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp, TO-252-3 Транзистори
на замовлення 300 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF
Код товару: 166997
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.03 грн
12+68.26 грн
25+67.58 грн
100+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9220TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 1.5 Ом @ 2.2 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.43 грн
10+124.56 грн
100+86.14 грн
500+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+150.15 грн
131+107.87 грн
137+103.39 грн
250+86.37 грн
500+68.56 грн
1000+55.77 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 3121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.43 грн
10+124.56 грн
100+86.14 грн
500+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
на замовлення 12198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+62.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.43 грн
10+124.56 грн
100+86.14 грн
500+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310
Код товару: 31820
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Id, А: 1,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 270/13
Монтаж: SMD
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+22.00 грн
10+19.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310SiliconixP-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310SiliconixP-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.72 грн
75+66.81 грн
150+60.19 грн
525+47.65 грн
1050+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 4721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+100.99 грн
162+87.30 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 15903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.36 грн
14+57.14 грн
100+56.97 грн
500+54.89 грн
1000+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+62.04 грн
229+61.75 грн
500+61.67 грн
1000+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.91 грн
13+62.04 грн
100+61.75 грн
500+59.47 грн
1000+51.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFIRFR9310PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 945 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.36 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TR
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.72 грн
10+93.91 грн
100+63.92 грн
500+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 13684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 18404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.72 грн
10+93.91 грн
100+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+66.58 грн
217+65.05 грн
235+60.21 грн
250+57.48 грн
500+50.50 грн
1000+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+66.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+195.17 грн
101+141.11 грн
129+109.49 грн
500+68.55 грн
1000+57.71 грн
2000+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.93 грн
10+104.38 грн
100+71.02 грн
500+53.27 грн
1000+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 15505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.69 грн
12+66.58 грн
25+65.05 грн
100+58.06 грн
250+53.22 грн
500+48.48 грн
1000+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayP-CH 400V 1.8A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9920
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DIR07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20D
Код товару: 31144
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DPBF
Код товару: 132758
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 380mOhms 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLPBFInfineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 200V 9.4A 380mOhm 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRPBFInfineon / IRMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 380mOhms 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.38 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 9.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.38 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 86
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20VishayTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 4,4Ohm; 2A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFRC20 smd TIRFRC20
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20?94-4787?IRTO-252
на замовлення 20550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVishay SiliconixIRFRC20PBF IRFRC20 DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+61.44 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 4571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]