Продукція > DMG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 915000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.26 грн
6000+3.74 грн
9000+2.84 грн
15000+2.71 грн
21000+2.48 грн
30000+2.38 грн
75000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
на замовлення 50533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+10.94 грн
100+6.82 грн
500+4.71 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: -540mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 915000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3319+4.26 грн
6000+3.74 грн
9000+2.84 грн
15000+2.71 грн
21000+2.48 грн
30000+2.38 грн
75000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.19 грн
88+9.27 грн
110+7.45 грн
500+5.37 грн
1500+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7DiodesMOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Транзистори
на замовлення 610 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
132+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.72 грн
6000+3.22 грн
9000+3.03 грн
15000+2.65 грн
21000+2.53 грн
30000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.09 грн
6000+3.59 грн
9000+2.72 грн
15000+2.61 грн
21000+2.38 грн
30000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet
на замовлення 30779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3489+4.05 грн
6000+3.55 грн
9000+2.69 грн
15000+2.58 грн
21000+2.37 грн
30000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 4890000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.97 грн
1000+4.05 грн
5000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 592235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.38 грн
100+5.28 грн
500+4.74 грн
1000+4.16 грн
2000+4.05 грн
5000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.43 грн
59+13.90 грн
135+6.04 грн
500+4.97 грн
1000+4.05 грн
5000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 580000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.22 грн
20000+3.07 грн
30000+2.92 грн
50000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -540mA; Idm: -3A; 310mW
Mounting: SMD
Gate charge: 622.4pC
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -3A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain current: -540mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.01 грн
1500+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: -540mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
FET Type: P-Channel
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
24+12.60 грн
100+6.05 грн
500+5.29 грн
1000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.87 грн
57+14.47 грн
118+6.94 грн
500+6.01 грн
1500+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.19 грн
24+17.70 грн
50+12.08 грн
100+10.23 грн
500+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
9000+3.22 грн
24000+3.19 грн
45000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.26 грн
28+27.60 грн
100+9.86 грн
250+8.44 грн
500+7.93 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1384+10.22 грн
1496+9.46 грн
1530+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 1384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.32 грн
100+9.63 грн
500+6.72 грн
1000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3547+3.99 грн
63000+3.65 грн
126000+3.39 грн
189000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3547 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.08 грн
500+6.87 грн
1500+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
на замовлення 84321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.03 грн
9000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.79 грн
50+17.48 грн
100+8.29 грн
500+7.28 грн
1500+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 330mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 414000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.30 грн
9000+6.05 грн
15000+5.95 грн
30000+5.60 грн
60000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.36 грн
100+8.03 грн
500+6.71 грн
1000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 414000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.31 грн
6000+6.25 грн
9000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.89 грн
9000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
9000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 530mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.57 грн
50+20.73 грн
100+13.17 грн
500+9.13 грн
1500+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 19975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.53 грн
100+13.01 грн
500+9.15 грн
1000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.25 грн
6000+7.23 грн
9000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
581+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
9000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.37 грн
31+24.37 грн
118+6.18 грн
250+5.67 грн
500+5.39 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.03 грн
9000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3081+4.59 грн
6000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3081 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.42 грн
19+22.14 грн
50+15.35 грн
100+13.08 грн
500+9.31 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 530mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.17 грн
500+9.13 грн
1500+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.37 грн
15000+6.74 грн
30000+6.27 грн
45000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.64 грн
6000+6.68 грн
9000+6.33 грн
15000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
на замовлення 264081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.12 грн
30000+9.52 грн
50000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-13Diodes IncorporatedMOSFET Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-13-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta), 640mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-Ch
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 530mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 173455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
11+28.08 грн
100+19.48 грн
500+14.28 грн
1000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.48 грн
6000+10.49 грн
9000+9.74 грн
30000+8.93 грн
75000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 0.53W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.03 грн
16+26.84 грн
19+23.06 грн
100+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+31.71 грн
654+21.64 грн
869+16.28 грн
1157+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 471267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
14+23.17 грн
100+14.73 грн
500+10.41 грн
1000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.56 грн
6000+8.99 грн
9000+8.83 грн
15000+8.10 грн
24000+7.43 грн
30000+6.61 грн
75000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.60 грн
29+26.35 грн
100+18.38 грн
250+16.25 грн
500+12.50 грн
1000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHANNEL
на замовлення 5829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.63 грн
9000+11.29 грн
12000+11.20 грн
30000+10.56 грн
45000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 471000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.17 грн
6000+7.16 грн
9000+6.80 грн
15000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.80 грн
6000+9.21 грн
9000+9.05 грн
15000+8.31 грн
24000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7-52Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6224nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 480000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.33 грн
20000+4.71 грн
30000+4.50 грн
50000+4.00 грн
70000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.59 грн
100+11.10 грн
500+7.79 грн
1000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]