Продукція > IDW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW20G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 29nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 20A PGTO247341 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO247-3; 112W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO247-3 Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 87A Leakage current: 4.1µA Power dissipation: 112W Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW20S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 6720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW20S120FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDW20S120FKSA1 - IDW20S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW24G65C5B | Infineon | на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDW24G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 650V 12A PGTO2473 Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW24G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW24G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW24G65C5BXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW24G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30C65D1 | Infineon technologies | на замовлення 162 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDW30C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS | на замовлення 431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30C65D1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30C65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 71 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 120A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 71ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Rapid1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE 650V 30A RAPID1 TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30C65D2 | Infineon technologies | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDW30C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR GP 650V 15A TO247-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 32 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30C65D2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30C65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.2 V, 32 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2.2V Sperrverzögerungszeit: 32ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Rapid2 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30E60 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30E60AFKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30E60AFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3 Current - Average Rectified (Io): 60A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30E60AFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3 Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3 Current - Average Rectified (Io): 60A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30E60FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3 Current - Average Rectified (Io): 60A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching HOME APPLIANCES 14 | на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30E65D1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS Rapid Switching | на замовлення 569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30E65D1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 60A TO247-3-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 60A TO247-3-1 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Current - Average Rectified (Io): 60A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 63915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30E65D1FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30E65D1FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 1.35 V, 66 ns, 240 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 240A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.35V Sperrverzögerungszeit: 66ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IDW30 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 96960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS | на замовлення 459 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30G120C5B | Infineon technologies | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDW30G120C5B | Infineon Technologies | Infineon SIC DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30G120C5B Код товару: 187569
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30G120C5BFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 154nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon | DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 44A PGTO2473 Current - Reverse Leakage @ Vr: 124 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 44A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30G65C5 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 30A PGTO24731 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V | на замовлення 12368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 30A PGTO24731 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G65C5FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDW30G65C5FKSA1 - IDW30G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 12368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 42nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V | на замовлення 1201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW30S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW30S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW32G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW32G65C5BXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDW32G65C5BXKSA1 - IDW32G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW32G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW32G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40E65D1 | Infineon technologies | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDW40E65D1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 80A TO247-3-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40E65D1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS Rapid Switching | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 80A TO247-3-1 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Current - Average Rectified (Io): 80A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 129 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40E65D1FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW40E65D1FKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 1.35 V, 77 ns, 320 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 320A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.35V Sperrverzögerungszeit: 77ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: IDW40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40E65D1FKSA1 | Infineon | Diode Switching 650V 80A TO-247 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40E65D2 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS Rapid Switching | на замовлення 2236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40E65D2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 650V 80A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40E65D2FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW40E65D2FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 1.6 V, 36 ns, 250 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 36ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IDW40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 650V 80A PGTO24731 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 80A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 1657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40E65D2FKSA1 | Infineon | Diodes - General Purpose, Power, Switching INDUSTRY 14 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G120C5B | Infineon Technologies | Infineon SIC DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 166 µA @ 1200 V | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 Код товару: 119036
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW40G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 202nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

