Продукція > IXB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXBH20N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Power dissipation: 250W
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 130A
Transistor: IGBT
Turn-on time: 64ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N360HVIXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 70A TO-247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247HV
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 430 W
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7649.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N360HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N360HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3.6kV; 70A; 430W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3.6kV
Power dissipation: 430W
Gate charge: 110nC
Pulsed collector current: 220A
Transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N360HVIxys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH22N300HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 60A; 290W; TO247HV
Mounting: THT
Transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Power dissipation: 290W
Collector-emitter voltage: 3kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH22N300HVLittelfuseIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH24N170IXYSIGBTs BIMOSFETS 1700V 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH24N170IXYSDescription: IGBT 1700V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.06 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH24N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1864.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH24N170 (транзистор)
Код товару: 43528
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH28N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 30A TO-247AD
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 105 nC
Test Condition: 850V, 14A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/265ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 14A
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH28N170AIXYSIGBTs 30Amps 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH2N250
Код товару: 131686
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH2N250IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 10.6nC
Turn-on time: 310ns
Turn-off time: 252ns
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 32W
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Technology: BiMOSFET™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH2N250IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH2N250IXYSDescription: IGBT 2500V 5A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+928.82 грн
30+541.10 грн
120+463.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 80A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH32N300IXYSIGBTs TO247 3KV 32A IGBT
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH32N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247HV
Gate Charge: 142 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH32N300HVIXYSIGBTs TO247 3KV 80A IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH40N160BIMOSFET 1600V 33A TO-247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH40N160IXYSIGBTs 1600V 33A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH40N160LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 33A 350mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH40N160IXYSDescription: IGBT 1600V 33A 350W TO247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Test Condition: 960V, 20A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 350 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BIMOSFET
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 80A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1992.46 грн
30+1247.43 грн
120+1202.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170BIMOSFET IGBT 1700V, Ic25=75A, Ic90=42A, 300Вт, TO-247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170
Код товару: 40513
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170IXYSIGBTs 1700V 75A
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170AIGBT 1700V 42A 357W TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170AIXYSIGBTs BIMOSET 42A 1700V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 42A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 330 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/200ns
Switching Energy: 3.43mJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 850V, 21A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 265 A
Power - Max: 357 W
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1522.17 грн
30+1052.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N250IXYSDescription: IGBT 2500V 104A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns
Test Condition: 1250V, 42A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3975.51 грн
30+2628.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N250IXYSIGBTs TO247 2500V 42A HI GAIN
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH5N160GIXYSIGBTs 5 Amps 1600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH5N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 5.7A TO-247AD
Power - Max: 68 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Gate Charge: 26 nC
Test Condition: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH5N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 5.7A 68W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH6N170IXYSDescription: IGBT 1700V 12A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1292.51 грн
30+774.01 грн
120+671.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH6N170
Код товару: 83906
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH9N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 9A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH9N160GIXYSIGBT Transistors 9 Amps 1600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH9N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 9A 100W TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH9N160G
Код товару: 60732
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK55N300IXYSIGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK55N300IXYSDescription: IGBT 3000V 130A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-264AA
Gate Charge: 335 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7548.14 грн
25+6020.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK64N250IXYSDescription: IGBT 2500V 75A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Power - Max: 735 W
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6506.45 грн
25+4780.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK64N250IXYSDescription: IGBT 2500V 75A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: TO-264AA
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Power - Max: 735 W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6230.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK64N250IXYSIGBTs BIMOSFET 2500V 75A
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK75N170IXYSDescription: IGBT 1700V 200A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-264AA
Gate Charge: 350 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 580 A
Power - Max: 1040 W
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3565.57 грн
25+2441.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK75N170IXYSIGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK75N170BIMOSFET 75A 1700V TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK75N170LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBK75N170 - TRANSISTOR, IGBT, 1.7KV, 200A, TO-264
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 1.04
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-264
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6
Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BiMOSFET Series
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK75N170AIXYSIGBT Transistors 65Amps 1700V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK75N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 110A 1040W TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL20N300CIXYSDescription: IGBT 3000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL60N360IXYSIGBT Transistors 3600V/92A Rev Conducting IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL60N360IXYSDescription: IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL64N250IXYSIGBT Transistors MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL64N250IXYSDescription: IGBT 2500V 116A ISOPLUSI5
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Gate Charge: 400 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 750 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170AIXYSDescription: IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 312 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170AIxys CorporationTrans IGBT Module N-CH 1700V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5201.04 грн
4+4675.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Power dissipation: 313W
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3056.30 грн
3+2551.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170ALittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170AIXYSIGBTs 42 Amps 1700V 6.0 V Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170BIMOSFET 75A 1700V SOT-227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170IXYSIGBT Modules 145Amps 1700V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170IXYSDescription: IGBT MOD 1700V 145A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.93 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170ABIMOSFET 75A 1700V 60ns SOT-227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170AIXYSIGBT Transistors 75 Amps 1700V 6.00 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170AIXYSDescription: IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170ALittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-06IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBOD1-06 - TVS-Thyristor, 2 Pin(s), FP-Case, Breakover-Diode, 600 V, 1 Schaltkreis(e)
tariffCode: 85411000
Bauform - TVS-Thyristor: FP-Case
rohsCompliant: YES
Thyristortyp: Breakover-Diode
Sperrspannung Vrwm: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -
Schwellenspannung, max.: 600V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsstrom Ippm: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-06IXYSSidacs 1 Amps 600V
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-06IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 600V FP
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-06LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1327.02 грн
10+1178.95 грн
25+1160.36 грн
50+1062.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-07IXYSSidacs 1 Amps 700V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-07IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 700V FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-08IXYSDescription: TVS DEVICE MIXED 800V FP-CASE
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 800V
Supplier Device Package: FP-Case
Number of Circuits: 1
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1087.15 грн
10+922.35 грн
100+797.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-08LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1412.95 грн
10+1224.18 грн
25+1197.28 грн
50+1115.11 грн
100+824.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-08LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1419.55 грн
12+1229.90 грн
25+1202.88 грн
50+1120.31 грн
100+828.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-08LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-08IXYSSidacs 1 Amps 800V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-09IXYSSidacs 1 Amps 900V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-09IXYSDescription: TVS DEVICE MIXED 900V FP-CASE
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 900V
Supplier Device Package: FP-Case
Number of Circuits: 1
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1098.12 грн
10+931.48 грн
100+805.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-10IXYSSidacs 1 Amps 1000V
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-10IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 1000V FP
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-10LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1419.58 грн
12+1228.65 грн
25+1202.70 грн
50+1119.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-10LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-10LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1437.11 грн
10+1267.63 грн
25+1234.19 грн
50+1178.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-12RIXYSSidacs 1 Amps 1200V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-12RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]