Продукція > PJM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJMBZ15A-AU-R1-007A1Panjit SOT-23/TVS/TEA-01T/PJMBZ15A-AU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: ESD,12V, SOT-23,UNI,2CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.25V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: ESD,12V, SOT-23,UNI,2CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.25V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.83 грн
6000+5.14 грн
9000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15A-AU_R1_007A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD,12V,Uni,2CH
на замовлення 8961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15V-AU_R1_000A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes 12V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 110481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
18+17.59 грн
100+8.57 грн
500+6.71 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15V-AU_R2_000A1Panjit 12V ESD Protection UNI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15VD
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15VT/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.37 грн
6000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15V_R1_00001Panjit 12V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15V_R1_00501PanJit SemiconductorCategory: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 15.8V; 6A; 0.15kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 15.8V
Max. forward impulse current: 6A
Peak pulse power dissipation: 0.15kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 80pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15V_R1_10001Panjit 12V ESD Protection UNI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15V_R2_00001Panjit 12V ESD Protection UNI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15V_R2_10001PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes 12V ESD Protection UNI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ18A-AU_R1_007A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD,14.5V,Uni,2CH
на замовлення 8995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ18A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: ESD,14.5V, SOT-23,UNI,2CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.52 грн
6000+5.00 грн
9000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ18A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: ESD,14.5V, SOT-23,UNI,2CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+18.57 грн
100+11.67 грн
500+8.17 грн
1000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ20A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 17VWM 28VC SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ20A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 17VWM 28VC SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ20A-AU_R1_007A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD,17V,Uni,2CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27A-AU_R1_007A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD,22V,Uni,2CH
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+13.89 грн
50+9.99 грн
100+8.17 грн
500+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27A-AU_R1_007A1PanJitCategory: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 25.65÷28.35V; 40W; double,common anode; ESD
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Case: SOT23
Semiconductor structure: common anode; double
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Breakdown voltage: 25.65...28.35V
Peak pulse power dissipation: 40W
Version: ESD
Max. off-state voltage: 22V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
9000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
15+20.83 грн
100+11.79 грн
500+7.33 грн
1000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V-AU_R1_000A1PanjitZener Diodes 22V ESD Protection UNI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V-AU_R2_000A1PanjitZener Diodes /US/TR/13"/HF/12K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27VC
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V_R1_00001PanjitZener Diodes 22V ESD Protection UNI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 996000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V_R1_00501PanJit SemiconductorCategory: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 28.35V; 4A; 0.15kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 28.35V
Max. forward impulse current: 4A
Peak pulse power dissipation: 0.15kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 22V
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Capacitance: 50pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V_R1_10001PanjitZener Diodes US/TR/7"/RoHS/3K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V_R2_00001PanjitZener Diodes /US/TR/13"/HF/12K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V_R2_10001PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes 22V ESD Protection UNI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ33A-AU-R1-007A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS DIODES ESD 26V UNI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ33A-AU_R1_007A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD,26V,Uni,2CH
на замовлення 11985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ33A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 26VWM 46VC SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 31.35V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ33A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; ESD
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 26V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 50nA
Case: SOT23
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ33A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 26VWM 46VC SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 31.35V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ5V6
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ5V6A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 3VWM 8VC SOT23
на замовлення 8775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
22+14.19 грн
50+10.20 грн
100+8.34 грн
500+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ5V6A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 3VWM 8VC SOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ5V6A-AU_R1_007A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD,3V,Uni,2CH
на замовлення 8868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ6V2
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ6V2A-AU_R1_007A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD,3V,Uni,2CH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ6V8
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.46÷7.14V; 24W; double,common anode; ESD; SOT23
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 24W
Breakdown voltage: 6.46...7.14V
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.5µA
Max. off-state voltage: 4.5V
Version: ESD
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD,4.5V,Uni,2CH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD,6V,Uni,2CH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD190N65FR2_L2_00601PanjitMOSFETs 650V/ 180m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD190N65FR2_L2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD190N65FR2_L2_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 168.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1492 pF @ 400 V
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.23 грн
10+144.92 грн
100+100.41 грн
500+76.39 грн
1000+74.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD190N65FR2_L2_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 168.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1492 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD280N60E1-L2PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD280N60E1_L2_00601PanjitMOSFETs 600V/ 280mohms / 13.8A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD280N60E1_L2_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 280M / 13.8A/ EASY TO DRIV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252AA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+85.06 грн
50+64.10 грн
100+53.81 грн
500+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD280N60E1_L2_00601PanJitCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 49.1W
Case: TO252AA
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 41.4A
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD280N60E1_L2_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 280M / 13.8A/ EASY TO DRIV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252AA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC-L2PanjitMOSFETs TO252 600V 11A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001PanJitCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 23A
Gate charge: 18.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+79.55 грн
50+59.84 грн
100+50.17 грн
500+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD390N65EC-L2PanjitMOSFETs TO252 650V 10A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD390N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD390N65EC_L2_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD390N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+68.69 грн
100+46.00 грн
500+34.02 грн
1000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD580N60E1-L2PanjitMOSFETs TO252 600V 8A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD580N60E1_L2_00001PanJitCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD900N60EC-L2PanjitMOSFETs TO252 650V 5A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD900N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+115.10 грн
100+91.65 грн
500+72.77 грн
1000+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD900N60EC_L2_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD900N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD990N65EC-L2PanjitMOSFETs TO252 650V 4.7A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD990N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD990N65EC_L2_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD990N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.28 грн
6000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF060N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 60m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF060N65FR2_T0_00601PanJitCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48.3A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Drain current: 48.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF060N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 343.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4614 pF @ 400 V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.72 грн
10+303.50 грн
50+240.20 грн
100+206.32 грн
500+172.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF080N65FR2_T0_00601PanJitCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29.2A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29.2A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF080N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3507 pF @ 400 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.47 грн
10+252.32 грн
50+198.19 грн
100+169.65 грн
500+141.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF080N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 75m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF099N60EC-T0PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF099N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF099N60EC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF099N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 400 V
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.98 грн
10+190.43 грн
50+147.76 грн
100+125.77 грн
500+103.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF105N60FRC-T0PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF105N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF105N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF105N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 105M / 35A/ SJ MOSFET WITH
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF120N60EC-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 30A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF120N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.98 грн
10+152.92 грн
100+106.88 грн
500+88.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.