Продукція > PJt

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJT7600_R1_00001PanJitPJT7600_R1_00001
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V, 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V , 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V, 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.23 грн
6000+8.52 грн
9000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Gate charge: 1.6/2.2nC
On-state resistance: 400/600mΩ
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.51 грн
23+18.62 грн
100+11.74 грн
500+8.89 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001PanjitMOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.67 грн
13+26.04 грн
100+14.49 грн
500+10.94 грн
1000+9.68 грн
3000+8.15 грн
6000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V, 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V , 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V, 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 13124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
12+25.59 грн
100+15.34 грн
500+13.33 грн
1000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7601-R1-00001PanjitMOSFET SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7601-R2-00001PanjitMOSFET SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7601_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
на замовлення 8421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
13+24.38 грн
100+16.95 грн
500+12.42 грн
1000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7601_R1_00001PanjitMOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.55 грн
12+28.76 грн
100+15.19 грн
500+11.70 грн
1000+10.52 грн
3000+8.22 грн
6000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7601_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.99 грн
6000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7601_R2_00001PanjitMOSFET 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603-R1-00001PanjitMOSFET SOT-363/MOS/SOT/NFET-60TSNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603-R2-00001PanjitMOSFET SOT-363/MOS/SOT/NFET-60TSNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 50/-60V
Mounting: SMD
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: -250/400mA
Gate charge: 0.95/1.1nC
On-state resistance: 2.5/6Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.97 грн
35+11.99 грн
100+6.61 грн
500+5.07 грн
1000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 50V 0.4A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 8978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+17.96 грн
100+8.55 грн
500+7.17 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 50V 0.4A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.70 грн
6000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001PanjitMOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.34 грн
19+17.79 грн
100+7.39 грн
500+6.62 грн
1000+6.20 грн
3000+4.67 грн
6000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R2_00001PanjitMOSFET Complementary Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7605-AU-R1-000A1PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
13+24.68 грн
100+12.45 грн
500+10.36 грн
1000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 12960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.07 грн
12+27.32 грн
100+14.77 грн
1000+7.94 грн
3000+6.76 грн
9000+5.99 грн
24000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.6nC
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
60+7.04 грн
100+6.46 грн
250+6.21 грн
500+5.87 грн
1000+5.37 грн
3000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.98 грн
6000+7.52 грн
9000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R2_00001PanjitMOSFET T00/TR/13"/HF/10K/SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSMN/NF20TS-QI02/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.7A SOT363
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.8A
Drain current: -0.7A
Gate charge: 2.2nC
On-state resistance: 0.6Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.13 грн
26+16.19 грн
58+7.30 грн
100+6.54 грн
250+6.04 грн
500+5.54 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.7A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
13+24.38 грн
100+12.30 грн
500+10.23 грн
1000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001PanjitMOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R2_00001PanjitMOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802-AU_R1_000A1PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802-AU_R2_000A1PanjitMOSFET /T02/TR/13"/HF/10K/SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSMN/NF20TS-QI05/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
13+24.68 грн
100+12.43 грн
500+10.34 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_R1_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_R2_00001PanjitMOSFET T02/TR/13"/HF/10K/SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSMN/NF20TS-QI05/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_S1_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7807_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7807_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7807_R1_00001PanjitMOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7807_R2_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7808_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7808_R1_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.52 грн
13+26.04 грн
100+12.82 грн
1000+6.55 грн
3000+5.64 грн
9000+4.46 грн
24000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7808_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
12+27.40 грн
100+15.51 грн
500+9.64 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7808_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -250mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -250mA
Gate-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7808_R2_00001EMO Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 500MA SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7808_R2_00001PanjitMOSFET /T08/TR/13"/HF/10K/SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSMN/NF20TS-QI07/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812-R1-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812-R2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812_R1_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -250mA; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -250mA
Case: SOT363
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812_R2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7828_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A SOT363
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7828_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+11.02 грн
100+6.84 грн
500+4.71 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7828_R1_00001PanJitTrans MOSFET N-CH 30V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7828_R1_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.06 грн
13+25.00 грн
100+12.33 грн
1000+6.27 грн
3000+5.36 грн
9000+4.25 грн
24000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7828_R2_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7648 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.84 грн
53+7.97 грн
100+7.38 грн
500+7.04 грн
1000+6.63 грн
3000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
11+28.68 грн
100+17.89 грн
500+11.49 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.22 грн
16+20.91 грн
100+11.50 грн
500+8.64 грн
1000+7.73 грн
3000+5.64 грн
6000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R2_00001PanjitMOSFET /T38/TR/13"/HF/10K/SOT-363/MOS/SOT/NFET-50TSMN/NF50TS-QI03/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7839_R1_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.96 грн
16+20.67 грн
100+10.17 грн
1000+5.16 грн
3000+4.46 грн
9000+3.55 грн
24000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7839_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.25A SOT363
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7839_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.25A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
17+17.96 грн
100+9.06 грн
500+6.93 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7839_R2_00001PanjitMOSFET /T39/TR/13"/HF/10K/SOT-363/MOS/SOT/NFET-60TSMP/NF60TS-QI03/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7872B_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
23+13.28 грн
100+8.91 грн
500+6.44 грн
1000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7872B_R1_00001PanjitMOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7872B_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7872B_R2_00001PanjitMOSFET /T2B/TR/13"/HF/10K/SOT-363/MOS/SOT/NFET-60TSMN/NF60TS-QI02/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT9843
на замовлення 36500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJTB6STR13 B6S_R2_00001PANJIT0.5A 600V TO-269AA MBS Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJTBAS21STR7 BAS21S _R1 _00001PANJIT0.2A, 250V, 50ns, SOT-23 (SMD) Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJTBAV103TR7 BAV103T/R7``PANJITMiniMelf 400mW/75ns/250V/Switching Diode/single Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJTBAV99STB6TR7 BAV99STB6 T/R 7``PANJITДіоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJTBAV99STR7 (BAV99S) BAV99S _R1 _00001PANJITSOT-363 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJTES1BTR7 ES1B_R1_00001PANJITUltrafast, 1.0A, 100V, Vf=0.92V@1.0A, Trr=15ns, SMA=DO-214AC (SMD) Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJTGS1MTR7 GS1M_R1_00001PANJITSMA/1A/1000V/Gen.Purp. Rect./SMD/GP Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJTKIT316Hammond1 Twist Latches, Rivets And Screws For Pj Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJTKIT316Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Latch Kit/TwistLatch For PJ Series/Pack2
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJTL-004-0SAMSUNGBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJTL-005-0SAMSUNGBGA
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJTL-007-0
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJTL-012-HBVE
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJTL-015BGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJTMBR20100CTTP MBR20100CT _T0 _10001PANJITДиод SCHOTTKY, 20A, 100V, TO-220 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJTP6SMBJ150CA_R2_00001 P6SMBJ150CAPANJITСупресори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJTSB560TR SB560T/RPANJITSchottky 5A, 60V, Vf=0.67V, DO-201AD Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJTSK35TR7 SK35_R1_00001PANJITSMC/3A/50V/Schottky Rect./SMD Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJTSS14TR7 SS14PANJITSchottky, 1.0A, 40V, Vf=0.55V@1A, SMA=DO-214AC (SMD) Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2