Продукція > PMZ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступність_PRICE_WITHOUT_VAT
PMZ370UNE315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4935+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 4935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 7679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.88 грн
17+18.89 грн
100+10.42 грн
500+7.73 грн
1000+6.08 грн
2500+5.52 грн
5000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 18250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
638+23.72 грн
1000+20.88 грн
2000+15.03 грн
10000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 24340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
18+17.05 грн
100+10.69 грн
500+7.27 грн
1000+6.20 грн
2000+5.79 грн
5000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYL
Код товару: 215727
Додати до обраних Обраний товар
NexperiaТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-883
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 0,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 370 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 52/0,77
Примітка: 30 V, N-channel Trench MOSFET
Монтаж: SMD
у наявності: 25 шт
  • 16 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4935+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 4935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Pulsed drain current: 3.6A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEZNexperia USA Inc.Description: PMZ370UNE/SOT883/XQFN3
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEZNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.35 грн
18+18.58 грн
100+7.80 грн
500+6.42 грн
1000+5.87 грн
2500+5.59 грн
5000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNE/S500315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2041+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 2041 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 30V .9A
на замовлення 24726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.34 грн
18+18.10 грн
100+8.77 грн
500+6.56 грн
1000+4.69 грн
2500+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.27 грн
40+20.30 грн
100+11.11 грн
500+8.08 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5129+6.91 грн
10000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 5129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 15655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1279+4.50 грн
3000+4.43 грн
6000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 1279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
на замовлення 13132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
17+17.72 грн
100+9.72 грн
500+7.13 грн
1000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3062+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 3062 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1541+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 1541 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.11 грн
500+8.08 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ420UNYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ420UNYLNexperiaMOSFET Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNE315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 6666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 370mA; Idm: 2.3A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.37A
Pulsed drain current: 2.3A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
19+15.93 грн
50+11.41 грн
100+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 30V .59A
на замовлення 162690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.52 грн
26+12.62 грн
100+6.63 грн
500+5.73 грн
1000+4.42 грн
2500+4.00 грн
5000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.81 грн
32+25.69 грн
100+13.37 грн
500+8.38 грн
1000+5.19 грн
2500+4.94 грн
5000+4.69 грн
10000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 154000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7668+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 7668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.37 грн
500+8.38 грн
1000+5.19 грн
2500+4.94 грн
5000+4.69 грн
10000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.48 грн
27+28.14 грн
100+14.75 грн
500+9.28 грн
1000+5.48 грн
2000+4.97 грн
5000+4.27 грн
10000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
961+14.75 грн
1474+9.62 грн
2312+6.13 грн
2447+5.59 грн
5000+4.45 грн
10000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 961 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 20V .6A
на замовлення 11847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.58 грн
35+9.29 грн
100+4.76 грн
500+4.42 грн
1000+3.59 грн
5000+3.18 грн
10000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
на замовлення 12118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
30+10.02 грн
100+6.24 грн
500+3.64 грн
1000+3.21 грн
2000+2.84 грн
5000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 20V .6A
на замовлення 80298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.32 грн
32+10.24 грн
100+5.52 грн
500+3.52 грн
1000+2.76 грн
5000+2.35 грн
10000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNexperiaMOSFETs PMZ600UNE/SOT883/XQFN3
на замовлення 11565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.36 грн
29+11.04 грн
100+4.28 грн
1000+3.31 грн
2500+2.97 грн
10000+2.69 грн
20000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.47ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.91 грн
500+7.33 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
на замовлення 22733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
31+9.72 грн
50+6.97 грн
100+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.03 грн
50+16.11 грн
100+9.91 грн
500+7.33 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.77 грн
20000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SNNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN T/RNXP SemiconductorsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN,315NexperiaMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPE,315Rochester Electronics, LLCDescription: 0.5A, 20V, P CHANNEL, MOSFET, X
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7608 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPE315Rochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 899869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 715mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 715mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.48 грн
33+24.73 грн
100+13.21 грн
500+8.23 грн
1000+4.69 грн
5000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNexperiaMOSFETs SOT883 P-CH 20V .5A
на замовлення 114617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
23+13.97 грн
100+6.21 грн
500+5.73 грн
1000+4.21 грн
2500+3.93 грн
5000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.3A
Pulsed drain current: -2A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 715mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.21 грн
500+8.23 грн
1000+4.69 грн
5000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+14.96 грн
100+9.41 грн
500+6.56 грн
1000+5.83 грн
2000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.91 грн
29+26.97 грн
100+15.16 грн
500+9.59 грн
1000+5.88 грн
2000+5.56 грн
5000+4.59 грн
10000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaMOSFETs PMZ950UPE/SOT883/XQFN3
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.71 грн
17+18.82 грн
100+7.25 грн
1000+4.49 грн
2500+4.00 грн
10000+3.24 грн
20000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.3A
Pulsed drain current: -2A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
22+13.76 грн
50+9.87 грн
100+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 18908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
957+14.83 грн
968+14.65 грн
1474+9.62 грн
2226+6.14 грн
3000+5.61 грн
6000+4.78 грн
15000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 957 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 18908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.48 грн
29+26.38 грн
100+14.30 грн
250+13.08 грн
500+8.25 грн
1000+5.46 грн
3000+5.39 грн
6000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
936+15.16 грн
1426+9.94 грн
2153+6.59 грн
2184+6.26 грн
5000+4.78 грн
10000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 936 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperiaP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 410 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43,2, Qg, нКл = 1,2, Rds = 1,4 Ом, Ugs(th) = 650 мВ, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: XFDFN-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10000 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 594195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperiaMOSFETs SOT883 P-CH 30V .41A
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
18+17.78 грн
50+9.94 грн
100+9.80 грн
1000+6.08 грн
2500+4.63 грн
5000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]