Продукція > SGT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SGT080R70ILBSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 700V 29A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILBSTMicroelectronicsDescription: GANFET N-CH 700V 29A PWRFLAT HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILBSTMicroelectronicsGaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT080R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILBSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 700V 29A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+245.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILBSTMicroelectronicsDescription: GANFET N-CH 700V 29A PWRFLAT HV
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.50 грн
10+303.88 грн
50+240.31 грн
100+206.34 грн
500+193.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILBSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 700V 29A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+242.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT105R70ILBSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 80 MOHM TYP., 21.7 A, E-M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT105R70ILBSTMicroelectronicsGaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT105R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT105R70ILBSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 700V 21.7A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT105R70ILBSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 80 MOHM TYP., 21.7 A, E-M
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.96 грн
10+256.63 грн
50+201.74 грн
100+172.73 грн
500+156.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SGT105R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 4.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT105R70ILBSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 700V 21.7A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+201.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT109
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT10S10Harris CorporationDescription: TRANSIENT SURGE SUPPRESSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT120R65ALSTMicroelectronicsDescription: 650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 12mA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 5A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT120R65ALSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W
Technology: GaN
Case: PowerFLAT 5x6
Mounting: SMD
Kind of package: tape
On-state resistance: 0.12Ω
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 192W
Gate charge: 3nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: HEMT
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -10...7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT120R65ALSTMicroelectronicsGaN FETs 650 V, 75 mOhm typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT120R65ALSTMicroelectronicsDescription: 650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 5A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 12mA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT120R65ALSTMN-Channel 650 V 15A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT120R65ALSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 650V 15A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT1300SCT
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT140R70ILBSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 106 MOHM TYP., 17 A, E-MO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.85 грн
10+207.94 грн
50+161.98 грн
100+138.10 грн
500+119.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SGT140R70ILBSTMicroelectronicsGaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT140R70ILBSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 106 MOHM TYP., 17 A, E-MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT140R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT140R70ILBSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 700V 17A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+150.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT140R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT1500SCT
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT1500SCTSurgector Thyristors For Telecom Protection, DO-214AA Сидактори (сапресори тиристорного типу)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT1544ZD
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT190R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT190R70ILBSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 700V 11.5A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+120.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT190R70ILBSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 138 MOHM TYP., 11.5 A, E-
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.90 грн
10+174.36 грн
50+134.86 грн
100+114.62 грн
500+94.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT190R70ILBSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 138 MOHM TYP., 11.5 A, E-
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT190R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT190R70ILBSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 700V 11.5A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT190R70ILBSTMicroelectronicsGaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT1D5R10MEASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT1D5R10MEA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 474 A, 1500 µohm, 19 nC, En-FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 474A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 19nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: En-FCLGA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT1D5R10MEASTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 100V 474A 8-Pin En-FCLGA EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT1D5R10MEASTMicroelectronicsDescription: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT1D5R10MEASTMicroelectronicsGaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT1D5R10MEASTMicroelectronicsDescription: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT217E
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT21B13AHarris CorporationDescription: TRANSIENT SURGE SUPPRESSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT22B13AHarris CorporationDescription: THYRISTOR 190V 200A TO-202
Packaging: Bulk
Capacitance: 50pF
Package / Case: TO-202 Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 2
Voltage - Breakover: 290V
Voltage - Off State: 190V
Voltage - On State: 2 V
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 130 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 200 A
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+76.64 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT2300SBTSurgector Thyristors For Telecom Protection, DO-214AA Сидактори (сапресори тиристорного типу)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT2300SBT
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT2300SCTNEWINORI
на замовлення 10700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT23B13
на замовлення 5977 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT23B13AHarris CorporationDescription: THYRISTOR 200V 200A TO-202
Packaging: Bulk
Capacitance: 50pF
Package / Case: TO-202 Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 2
Voltage - Breakover: 315V
Voltage - Off State: 200V
Voltage - On State: 2 V
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 130 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 200 A
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+72.30 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT23B13H
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT23U13Harris CorporationDescription: THYRISTOR 225V 200A TO-202
Current - Peak Pulse (8/20µs): 200 A
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100 A
Current - Hold (Ih): 130 mA
Part Status: Active
Voltage - On State: 2 V
Voltage - Off State: 225V
Voltage - Breakover: 275V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-202 Short Tab
Capacitance: 90pF
Packaging: Bulk
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+109.17 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT240R70ILBSTMicroelectronicsGaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT240R70ILBSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 165 MOHM TYP., 10 A, E-MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT240R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT240R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.24 ohm, 2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT240R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT240R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.24 ohm, 2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT240R70ILBSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 165 MOHM TYP., 10 A, E-MO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.31 грн
10+161.45 грн
50+124.60 грн
100+105.79 грн
500+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT240R70ITKSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT240R70ITK - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.24 ohm, 2 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT240R70ITKSTMicroelectronicsGaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT27B13
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT27B13
Код товару: 44861
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT27B13A
на замовлення 34300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT27B27Harris CorporationDescription: THYRISTOR 235V 400A TO-202
Voltage - Off State: 235V
Voltage - Breakover: 345V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-202 Short Tab
Capacitance: 80pF
Packaging: Bulk
Current - Peak Pulse (8/20µs): 400 A
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 200 A
Current - Hold (Ih): 270 mA
Supplier Device Package: TO-202 Modified
Voltage - On State: 2 V
на замовлення 47047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+232.80 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT27B27BHarris CorporationDescription: THYRISTOR 235V 400A TO-202
Current - Peak Pulse (8/20µs): 400 A
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 200 A
Current - Hold (Ih): 270 mA
Supplier Device Package: TO-202 Modified
Voltage - On State: 2 V
Voltage - Off State: 235V
Voltage - Breakover: 375V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-202 Short Tab
Capacitance: 80pF
Packaging: Bulk
на замовлення 11785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+109.90 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT27S10
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT27S23
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT28B13
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT2900SBT
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT2900SCT
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT3100SBTLittelfuse Inc.Description: THYRISTOR 275V 50A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Capacitance: 30pF
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Voltage - Breakover: 350V
Voltage - Off State: 275V
Voltage - On State: 5 V
Supplier Device Package: DO-214AA
Current - Hold (Ih): 150 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 50 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT3100SCTHAR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT350R70GTKSTMicroelectronicsGaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT350R70GTKSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT350R70GTK - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 6 A, 0.35 ohm, 1.5 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT350R70GTKSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 270 MOHM TYP., 6 A, E-MOD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT350R70GTKSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT350R70GTK - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 6 A, 0.35 ohm, 1.5 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT350R70GTKSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 270 MOHM TYP., 6 A, E-MOD
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.03 грн
10+119.48 грн
100+81.91 грн
500+61.79 грн
1000+57.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT3D5R10MEBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT3D5R10MEB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 201 A, 3500 µohm, 7.6 nC, En-FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: En-FCLGA
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT40N60FD2P7SILANTransistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 380W; 4,0V~6,5V; 100nC; -55°C~150°C; SGT40N60FD2P7 TO-247-3L SILAN TSGT40N60FD2P7 SIL
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+99.44 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT40N60FD2PNSILANTransistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 380W; 4,0V~6,5V; 100nC; -55°C~150°C; SGT40N60FD2PN TO-3P SILAN TSGT40N60FD2PN SIL
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+86.91 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT5100BV231MOTOROLA
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT5100BV231BMOTOROLA04+ BGA
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT5100BV231RMOTBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT5100BV231R2FREESCAL
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT60N60FD1PNSilan600V, 60A, TO-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT65R65ALSTMicroelectronicsDescription: RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT
Voltage - Test: 400 V
Voltage - Rated: 650 V
Power - Output: 5W
Configuration: N-Channel
Current Rating (Amps): 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 286 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 305W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: GaN HEMT
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT65R65ALSTMRF MOSFET Transistors 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT65R65ALSTMicroelectronicsDescription: RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT
Voltage - Test: 400 V
Voltage - Rated: 650 V
Power - Output: 5W
Configuration: N-Channel
Current Rating (Amps): 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 286 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 305W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: GaN HEMT
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT65R65ALSTMicroelectronicsGaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT65R65ALSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 650V 25A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT7650500Celduc Inc.Description: SSR RELAY 3PST-NO 50A 24-520V
Packaging: Box
Package / Case: Module
Output Type: AC
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 4 ~ 30VDC
Circuit: 3PST-NO (3 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Load Current: 50 A
Approval Agency: CE, cURus, EAC, UKCA
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Part Status: Active
Voltage - Load: 24 V ~ 520 V
On-State Resistance (Max): 7.5 MOhms
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16140.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SGT7690500CELDUCCategory: Three Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 125A; Uswitch: 24÷520VAC; 3-phase; IP20; SGT7
Switching method: instantaneous switching
IP rating: IP20
Caution!: Maximal load current with use of suitable heatsink
Type of relay: solid state
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 76.5x100x34.7mm
Control voltage: 4...30V DC
Max. operating current: 125A
Switched voltage: 24...520V AC
Relay variant: 3-phase
Manufacturer series: SGT7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT7690500Celduc Inc.Description: SSR RELAY 3PST-NO 125A 24-520V
Packaging: Box
Package / Case: Module
Output Type: AC
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 4 ~ 30VDC
Circuit: 3PST-NO (3 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Load Current: 125 A
Approval Agency: CE, cURus, EAC, UKCA
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Part Status: Active
Voltage - Load: 24 V ~ 520 V
On-State Resistance (Max): 2 MOhms
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25400.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SGT769390EAltechSolid State Relays - SSRs Three Phase Solid State Relay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT8638500CELDUCCategory: Three Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 35A; Uswitch: 24÷520VAC; 3-phase; IP20; SGT8
Caution!: Maximal load current with use of suitable heatsink
Type of relay: solid state
IP rating: IP20
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 76.5x100x34.7mm
Max. operating current: 35A
Control voltage: 24...255V AC
Switched voltage: 24...520V AC
Relay variant: 3-phase
Manufacturer series: SGT8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT8638500Celduc Inc.Description: SSR RELAY SPST-NO 35A 24-520V
Packaging: Box
Package / Case: Module
Output Type: AC, Zero Cross
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 24 ~ 255VAC/DC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Load Current: 35 A
Approval Agency: CE, cURus, EAC, UKCA
Part Status: Active
Voltage - Load: 24 V ~ 520 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16352.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SGT8650810CELDUCCategory: Three Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 50A; Uswitch: 24÷520VAC; 3-phase; IP20; SGT8
Manufacturer series: SGT8
IP rating: IP20
Caution!: Maximal load current with use of suitable heatsink
Switching method: zero voltage switching
Type of relay: solid state
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 76.5x100x34.7mm
Control voltage: 4...30V DC
Switched voltage: 24...520V AC
Max. operating current: 50A
Relay variant: 3-phase
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+17311.79 грн
5+12859.85 грн
10+12057.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SGT8658500Celduc Inc.Description: SSR RELAY 3PST-NO 50A 24-520V
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Approval Agency: CE, cURus, EAC, UKCA
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
On-State Resistance (Max): 7.5 MOhms
Voltage - Load: 24 V ~ 520 V
Part Status: Active
Load Current: 50 A
Circuit: 3PST-NO (3 Form A)
Voltage - Input: 24 ~ 255VAC/DC
Mounting Type: Chassis Mount
Output Type: AC, Zero Cross
Package / Case: Module
Packaging: Box
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16065.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SGT8658502Celduc Inc.Description: ZC THREE PHASE SSR CONTACTORS 3X
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15653.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.