Продукція > SiA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SIA413ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.41 грн
10+65.81 грн
100+43.70 грн
500+32.10 грн
1000+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413ADJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.21 грн
21+37.15 грн
25+37.00 грн
100+33.50 грн
250+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 141390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.20 грн
10+59.69 грн
100+39.65 грн
500+29.14 грн
1000+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.72 грн
6000+23.00 грн
9000+22.09 грн
15000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V
на замовлення 24470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.17 грн
10+46.01 грн
100+32.96 грн
500+28.63 грн
1000+26.12 грн
3000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.94 грн
18+44.17 грн
25+44.01 грн
100+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V
на замовлення 37948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.74 грн
10+38.71 грн
100+26.19 грн
500+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V
на замовлення 17033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.78 грн
10+35.18 грн
100+27.35 грн
500+21.76 грн
1000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 12A; Idm: 40A; 19W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 40A
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 8V
Gate-source voltage: ±5V
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 19W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA415DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA415DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA415DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA415DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V
на замовлення 14250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA416DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.083 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.96 грн
17+48.55 грн
100+31.85 грн
500+22.85 грн
1000+19.06 грн
5000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA416DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.28 грн
6000+16.68 грн
9000+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA416DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 38318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.41 грн
14+23.77 грн
100+17.32 грн
3000+16.76 грн
6000+15.36 грн
9000+14.38 грн
24000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA416DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.083 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.85 грн
500+22.85 грн
1000+19.06 грн
5000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA416DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V
на замовлення 9559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.92 грн
10+40.17 грн
100+27.79 грн
500+21.79 грн
1000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA417DJ-T1-E3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA417DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA417DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA417DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12A 19W 18mohm @ 10V
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA419DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA419DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA419DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA421DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA421DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.035 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.27 грн
11+80.24 грн
100+53.20 грн
500+38.73 грн
1000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA421DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.67 грн
6000+27.14 грн
15000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA421DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.87 грн
10+71.79 грн
100+41.41 грн
500+32.47 грн
1000+29.68 грн
3000+25.98 грн
6000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA421DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA421DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.035 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.20 грн
500+38.73 грн
1000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA421DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 53213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.91 грн
10+60.21 грн
100+46.94 грн
500+36.39 грн
1000+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA425EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA425EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA425EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA425EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4263DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4263DJ-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -32A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SC70
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -32A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Gate charge: 52.2nC
On-state resistance: 51.1mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 15.6W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4263DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.022 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.41 грн
19+43.18 грн
100+28.11 грн
500+20.05 грн
1000+16.69 грн
5000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4263DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.13 грн
10+38.88 грн
100+29.03 грн
500+21.40 грн
1000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4263DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 P-CH 20V 7.5A
на замовлення 21715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.33 грн
10+42.56 грн
100+24.09 грн
500+18.50 грн
1000+16.69 грн
3000+14.38 грн
9000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4263DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.022 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.87 грн
500+17.02 грн
1000+14.18 грн
5000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4265EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 0 V
на замовлення 6040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.99 грн
12+27.46 грн
100+20.49 грн
500+15.10 грн
1000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4265EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA4265EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.80 грн
500+14.45 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4265EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 0 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 9A (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4265EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 P-CH 20V 7.8A
на замовлення 20983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.80 грн
14+23.21 грн
100+16.06 грн
500+12.22 грн
1000+10.75 грн
3000+9.15 грн
6000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4265EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA4265EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA426DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 5537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA426DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
на замовлення 8006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA426DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA426DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
на замовлення 8006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V
на замовлення 11475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.92 грн
10+35.02 грн
100+22.61 грн
500+16.22 грн
1000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA427ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.84 грн
500+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.89 грн
6000+12.28 грн
9000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 6308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA427ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.93 грн
50+44.64 грн
100+28.84 грн
500+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -12A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain current: -12A
Drain-source voltage: -8V
Gate-source voltage: ±5V
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 12W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V
на замовлення 13803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.35 грн
10+33.97 грн
100+21.98 грн
500+15.78 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V
на замовлення 138436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.71 грн
10+35.25 грн
100+21.37 грн
500+16.69 грн
1000+13.55 грн
3000+11.17 грн
9000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
6000+11.97 грн
9000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
на замовлення 20785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.13 грн
10+38.35 грн
100+24.89 грн
500+17.91 грн
1000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA429DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.85 грн
500+18.16 грн
1000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
на замовлення 20300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.42 грн
6000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70
на замовлення 20675 шт:
термін постачання 881-890 дні (днів)
7+47.49 грн
10+40.15 грн
100+26.05 грн
500+20.88 грн
1000+17.67 грн
3000+15.92 грн
6000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA429DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0205 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.70 грн
17+48.72 грн
100+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 12A 19.2W 13.5mohm @ 10V
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJ-T1-GE3VISHAYQFN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.78 грн
11+31.88 грн
100+18.50 грн
500+15.01 грн
1000+13.55 грн
3000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA430DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.94 грн
22+37.80 грн
100+24.52 грн
500+17.40 грн
1000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.58 грн
500+18.76 грн
1000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 8797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.63 грн
10+38.13 грн
100+24.81 грн
500+17.91 грн
1000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3VishayMOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 75082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.56 грн
10+40.71 грн
100+23.11 грн
500+17.81 грн
1000+16.06 грн
3000+13.97 грн
6000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.72 грн
16+52.71 грн
100+34.30 грн
500+25.27 грн
1000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.46 грн
6000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA432DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]