НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AIMC-Q0402-47NH-TABRACONRF Inductors - SMD IND 47nH 0.2A 1100m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-4N3B-TABRACONRF Inductors - SMD IND 4.3nH 0.7A 20m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-4N3C-TABRACONRF Inductors - SMD IND 4.3nH 0.7A 20m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-4N3S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 4.3nH 0.7A 20m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-4N7B-TAbracon LLCDescription: IND 4.7NH 0.7A 20MOHM
Tolerance: ±0.1nH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Size / Dimension: 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 20mOhm Max
Q @ Freq: 8 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 6GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0402 (1005 Metric)
Height - Seated (Max): 0.024" (0.60mm)
Inductance: 4.7 nH
Current Rating (Amps): 700 mA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.99 грн
77+3.89 грн
100+3.18 грн
1000+2.48 грн
5000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-4N7B-TAbracon LLCDescription: IND 4.7NH 0.7A 20MOHM
Tolerance: ±0.1nH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Size / Dimension: 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 20mOhm Max
Q @ Freq: 8 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 6GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0402 (1005 Metric)
Height - Seated (Max): 0.024" (0.60mm)
Inductance: 4.7 nH
Current Rating (Amps): 700 mA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.23 грн
20000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-4N7C-TABRACONRF Inductors - SMD IND 4.7nH 0.7A 20m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-4N7S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 4.7nH 0.7A 20m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-56NG-TABRACONRF Inductors - SMD IND 56nH 0.2A 1100m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-56NH-TABRACONRF Inductors - SMD IND 56nH 0.2A 1100m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-56NJ-TABRACONRF Inductors - SMD IND 56nH 0.2A 1100m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-5N1B-TABRACONRF Inductors - SMD IND 5.1nH 0.6A 230m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-5N1C-TABRACONRF Inductors - SMD IND 5.1nH 0.6A 230m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-5N1S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 5.1nH 0.6A 230m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-5N6B-TABRACONRF Inductors - SMD IND 5.6nH 0.6A 230m?
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-68NH-TABRACONRF Inductors - SMD IND 68nH 0.2A 1200m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-6N2B-TABRACONRF Inductors - SMD IND 6.2nH 0.6A 250m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-6N8G-TABRACONRF Inductors - SMD IND 6.8nH 0.6A 250m?
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-7N5J-TABRACONRF Inductors - SMD IND 7.5nH 0.5A 280m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-82NJ-TABRACONRF Inductors - SMD IND 82nH 0.2A 1300m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-8N2G-TAbracon LLCDescription: IND 8.2NH 0.5A 280MOHM
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Size / Dimension: 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 280mOhm Max
Q @ Freq: 8 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 3.7GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0402 (1005 Metric)
Height - Seated (Max): 0.024" (0.60mm)
Inductance: 8.2 nH
Current Rating (Amps): 500 mA
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
45+6.66 грн
50+6.04 грн
54+5.25 грн
100+4.88 грн
250+4.41 грн
500+4.02 грн
1000+3.72 грн
2500+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-8N2G-TABRACONRF Inductors - SMD IND 8.2nH 0.5A 280m?
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-8N2G-TAbracon LLCDescription: IND 8.2NH 0.5A 280MOHM
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Size / Dimension: 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 280mOhm Max
Q @ Freq: 8 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 3.7GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0402 (1005 Metric)
Height - Seated (Max): 0.024" (0.60mm)
Inductance: 8.2 nH
Current Rating (Amps): 500 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-8N2H-TABRACONRF Inductors - SMD IND 8.2nH 0.5A 280m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-8N2J-TABRACONRF Inductors - SMD IND 8.2nH 0.5A 280m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0402-R10J-TABRACONRF Inductors - SMD IND 100nH 0.2A 1600m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-10NJ-TABRACONRF Inductors - SMD IND 10nH 0.6A 300m?
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-15NJ-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 15NH 600MA 400 MOHM
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 400mOhm Max
Q @ Freq: 12 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 2.3GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 15 nH
Current Rating (Amps): 600 mA
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.77 грн
49+6.21 грн
100+5.12 грн
1000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-15NJ-TABRACONRF Inductors - SMD IND 15nH 0.6A 400m?
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-15NJ-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 15NH 600MA 400 MOHM
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 400mOhm Max
Q @ Freq: 12 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 2.3GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 15 nH
Current Rating (Amps): 600 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-18NJ-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 18NH 600MA 450 MOHM
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 450mOhm Max
Q @ Freq: 12 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 2GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 18 nH
Current Rating (Amps): 600 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-18NJ-TABRACONRF Inductors - SMD IND 18nH 0.6A 450m?
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-18NJ-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 18NH 600MA 450 MOHM
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 450mOhm Max
Q @ Freq: 12 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 2GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 18 nH
Current Rating (Amps): 600 mA
на замовлення 3738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
40+7.48 грн
100+6.13 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-1N0S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 1nH 1A 50m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-1N5S-TAbracon LLCDescription: IND 1.5NH 1A 100MOHM
Tolerance: ±0.3nH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 100mOhm Max
Q @ Freq: 8 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 10GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 1.5 nH
Current Rating (Amps): 1 A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-1N5S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 1.5nH 1A 100m?
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-1N5S-TAbracon LLCDescription: IND 1.5NH 1A 100MOHM
Tolerance: ±0.3nH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 100mOhm Max
Q @ Freq: 8 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 10GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 1.5 nH
Current Rating (Amps): 1 A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
35+8.75 грн
38+7.90 грн
50+6.86 грн
100+6.36 грн
250+5.75 грн
500+5.24 грн
1000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-1N8S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 1.8nH 1A 100m?
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-22NJ-TABRACONRF Inductors - SMD IND 22nH 0.6A 500m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-27NJ-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 27NH 600MA 550 MOHM
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 550mOhm Max
Q @ Freq: 12 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 1.4GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 27 nH
Current Rating (Amps): 600 mA
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
26+11.59 грн
28+10.71 грн
50+9.47 грн
100+8.93 грн
250+8.26 грн
500+7.66 грн
1000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-27NJ-TABRACONRF Inductors - SMD IND 27nH 0.6A 550m?
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-27NJ-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 27NH 600MA 550 MOHM
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 550mOhm Max
Q @ Freq: 12 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 1.4GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 27 nH
Current Rating (Amps): 600 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-2N2S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 2.2nH 1A 100m?
на замовлення 5752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-2N7S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 2.7nH 1A 130m?
на замовлення 7401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-3N3S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 3.3nH 1A 130m?
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-47NJ-TABRACONRF Inductors - SMD IND 47nH 0.5A 700m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-4N7S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 4.7nH 1A 200m?
на замовлення 3817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-4N7S-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 4.7NH 1A 200 MOHM SMD
Tolerance: ±0.3nH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 200mOhm Max
Q @ Freq: 10 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 5GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 4.7 nH
Current Rating (Amps): 1 A
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
40+7.48 грн
100+6.13 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-4N7S-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 4.7NH 1A 200 MOHM SMD
Tolerance: ±0.3nH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 200mOhm Max
Q @ Freq: 10 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 5GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 4.7 nH
Current Rating (Amps): 1 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-56NJ-TABRACONRF Inductors - SMD IND 56nH 0.5A 750m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-5N6S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 5.6nH 0.7A 230m?
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-68NJ-TABRACONRF Inductors - SMD IND 68nH 0.4A 850m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-6N8J-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 6.8NH 700MA 250 MOHM
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 250mOhm Max
Q @ Freq: 10 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 4GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 6.8 nH
Current Rating (Amps): 700 mA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.77 грн
49+6.13 грн
100+5.05 грн
1000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-6N8J-TABRACONRF Inductors - SMD IND 6.8nH 0.7A 250m?
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-6N8J-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 6.8NH 700MA 250 MOHM
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 250mOhm Max
Q @ Freq: 10 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 4GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 6.8 nH
Current Rating (Amps): 700 mA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-82NJ-TAbracon LLCDescription: IND 82NH 0.3A 950MOHM
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 950mOhm Max
Q @ Freq: 12 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 600MHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 82 nH
Current Rating (Amps): 300 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-82NJ-TABRACONRF Inductors - SMD IND 82nH 0.3A 950m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-R12J-TAbracon LLCDescription: IND 120NH 0.3A 1000MOHM
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 1Ohm Max
Q @ Freq: 8 @ 50MHz
Frequency - Self Resonant: 500MHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 120 nH
Current Rating (Amps): 300 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-R12J-TABRACONRF Inductors - SMD IND 120nH 0.3A 1000m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R020M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 43A, 20V
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 13.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2667 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R020M1TXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R020M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 43A, 20V
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 13.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2667 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1456.19 грн
10+1001.77 грн
50+897.04 грн
100+794.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R030M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1064.76 грн
10+721.69 грн
50+609.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R030M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R030M1TXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R040M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+962.25 грн
10+646.46 грн
50+526.81 грн
100+493.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R040M1TXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R040M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R060M1TXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R060M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+721.49 грн
10+478.49 грн
100+367.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R060M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R080M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R080M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+657.03 грн
10+435.26 грн
100+354.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R080M1TXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R120M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R120M1TXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R120M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R160M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.5mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.15 грн
10+275.37 грн
50+217.17 грн
100+186.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R160M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.5mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+165.40 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R160M1TXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDC-10V-1000VAim DynamicsDescription: TRANSDUCER 0-100V:0-10VDC
Packaging: Bulk
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount
Output: 0 ~ 10VDC
Type: DC Voltage Transducer
Accuracy: 0.005%
Operating Temperature: -35°C ~ 100°C
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC
Response Time: 10ms
Input Range: 0 ~ 1000VDC
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22078.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDC-10V-100VAim DynamicsDescription: TRANSDUCER 0-100V:0-10VDC
Packaging: Bulk
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount
Output: 0 ~ 10VDC
Type: DC Voltage Transducer
Accuracy: 0.005%
Operating Temperature: -35°C ~ 100°C
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC
Response Time: 10ms
Input Range: 0 ~ 100VDC
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24963.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDC-420-1000VAim DynamicsDescription: TRANSDUCER 0-1000V:4-20MA
Packaging: Bulk
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount
Output: 4 ~ 20mA
Type: DC Voltage Transducer
Accuracy: 0.005%
Operating Temperature: -35°C ~ 100°C
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC
Response Time: 10ms
Input Range: 0 ~ 1000VDC
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24963.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDC-420-100VAim DynamicsDescription: TRANSDUCER 0-100V:4-20MA
Packaging: Bulk
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount
Output: 4 ~ 20mA
Type: DC Voltage Transducer
Accuracy: 0.005%
Operating Temperature: -35°C ~ 100°C
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC
Response Time: 10ms
Input Range: 0 ~ 100VDC
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24963.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDC-5V-1000VAim DynamicsDescription: TRANSDUCER 0-1000V:0-5VDC
Packaging: Bulk
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount
Output: 0 ~ 5VDC
Type: DC Voltage Transducer
Accuracy: 0.005%
Operating Temperature: -35°C ~ 100°C
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC
Response Time: 10ms
Input Range: 0 ~ 1000VDC
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24963.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDC-5V-100VAim DynamicsDescription: TRANSDUCER 0-100V:0-5VDC
Packaging: Bulk
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount
Output: 0 ~ 5VDC
Type: DC Voltage Transducer
Accuracy: 0.005%
Operating Temperature: -35°C ~ 100°C
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC
Response Time: 10ms
Input Range: 0 ~ 100VDC
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24963.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R004M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMDQ75R007M2HXTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 126A, 20V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 27.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5687 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMDQ75R007M2HXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 126A, 20V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 27.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5687 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_SICMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 90.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6135 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_SICMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 90.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6135 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2758.60 грн
10+1974.38 грн
100+1766.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1602.97 грн
10+1111.03 грн
100+1012.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+859.15 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.