Продукція > AIM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AIMC-Q0603-18NJ-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 18NH 600MA 450 MOHM
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 450mOhm Max
Q @ Freq: 12 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 2GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 18 nH
Current Rating (Amps): 600 mA
на замовлення 3738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
40+7.55 грн
100+6.19 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-1N0S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 1nH 1A 50m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-1N5S-TAbracon LLCDescription: IND 1.5NH 1A 100MOHM
Tolerance: ±0.3nH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 100mOhm Max
Q @ Freq: 8 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 10GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 1.5 nH
Current Rating (Amps): 1 A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
35+8.83 грн
38+7.97 грн
50+6.93 грн
100+6.42 грн
250+5.81 грн
500+5.29 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-1N5S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 1.5nH 1A 100m?
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-1N5S-TAbracon LLCDescription: IND 1.5NH 1A 100MOHM
Tolerance: ±0.3nH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 100mOhm Max
Q @ Freq: 8 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 10GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 1.5 nH
Current Rating (Amps): 1 A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-1N8S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 1.8nH 1A 100m?
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-22NJ-TABRACONRF Inductors - SMD IND 22nH 0.6A 500m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-27NJ-TABRACONRF Inductors - SMD IND 27nH 0.6A 550m?
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-27NJ-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 27NH 600MA 550 MOHM
Current Rating (Amps): 600 mA
Inductance: 27 nH
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Material - Core: Ceramic
Ratings: AEC-Q200
Frequency - Self Resonant: 1.4GHz
Q @ Freq: 12 @ 100MHz
DC Resistance (DCR): 550mOhm Max
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Type: Multilayer
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
40+7.55 грн
100+6.20 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-27NJ-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 27NH 600MA 550 MOHM
Current Rating (Amps): 600 mA
Inductance: 27 nH
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Material - Core: Ceramic
Ratings: AEC-Q200
Frequency - Self Resonant: 1.4GHz
Q @ Freq: 12 @ 100MHz
DC Resistance (DCR): 550mOhm Max
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Type: Multilayer
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-2N2S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 2.2nH 1A 100m?
на замовлення 5752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-2N7S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 2.7nH 1A 130m?
на замовлення 7401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-3N3S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 3.3nH 1A 130m?
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-47NJ-TABRACONRF Inductors - SMD IND 47nH 0.5A 700m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-4N7S-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 4.7NH 1A 200 MOHM SMD
Tolerance: ±0.3nH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 200mOhm Max
Q @ Freq: 10 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 5GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 4.7 nH
Current Rating (Amps): 1 A
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
40+7.55 грн
100+6.19 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-4N7S-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 4.7NH 1A 200 MOHM SMD
Tolerance: ±0.3nH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 200mOhm Max
Q @ Freq: 10 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 5GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 4.7 nH
Current Rating (Amps): 1 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-4N7S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 4.7nH 1A 200m?
на замовлення 3817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-56NJ-TABRACONRF Inductors - SMD IND 56nH 0.5A 750m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-5N6S-TABRACONRF Inductors - SMD IND 5.6nH 0.7A 230m?
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-68NJ-TABRACONRF Inductors - SMD IND 68nH 0.4A 850m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-6N8J-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 6.8NH 700MA 250 MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 250mOhm Max
Q @ Freq: 10 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 4GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 6.8 nH
Current Rating (Amps): 700 mA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-6N8J-TABRACONRF Inductors - SMD IND 6.8nH 0.7A 250m?
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-6N8J-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 6.8NH 700MA 250 MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 250mOhm Max
Q @ Freq: 10 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 4GHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 6.8 nH
Current Rating (Amps): 700 mA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.84 грн
49+6.19 грн
100+5.09 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-82NJ-TAbracon LLCDescription: IND 82NH 0.3A 950MOHM
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 950mOhm Max
Q @ Freq: 12 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 600MHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 82 nH
Current Rating (Amps): 300 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-82NJ-TABRACONRF Inductors - SMD IND 82nH 0.3A 950m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-R12J-TABRACONRF Inductors - SMD IND 120nH 0.3A 1000m?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-Q0603-R12J-TAbracon LLCDescription: IND 120NH 0.3A 1000MOHM
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 1Ohm Max
Q @ Freq: 8 @ 50MHz
Frequency - Self Resonant: 500MHz
Ratings: AEC-Q200
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 120 nH
Current Rating (Amps): 300 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R020M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 43A, 20V
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 13.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2667 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1501.01 грн
10+1032.70 грн
50+924.69 грн
100+818.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R020M1TXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R020M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 43A, 20V
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 13.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2667 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+784.52 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R030M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1097.34 грн
10+743.92 грн
50+628.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R030M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+533.18 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R030M1TXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R040M1TXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R040M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+935.87 грн
10+628.66 грн
50+512.30 грн
100+479.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R040M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R060M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R060M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+728.16 грн
10+482.91 грн
100+371.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R060M1TXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R080M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R080M1TXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R080M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+663.11 грн
10+439.28 грн
100+357.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R120M1TXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R120M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R120M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R160M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.29 грн
10+284.55 грн
100+205.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R160M1TXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R160M1TXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDC-10V-1000VAim DynamicsDescription: TRANSDUCER 0-100V:0-10VDC
Part Status: Active
Input Range: 0 ~ 1000VDC
Response Time: 10ms
Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC
Termination Style: Screw Terminal
Operating Temperature: -35°C ~ 100°C
Accuracy: 0.005%
Type: DC Voltage Transducer
Output: 0 ~ 10VDC
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22283.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDC-10V-100VAim DynamicsDescription: TRANSDUCER 0-100V:0-10VDC
Part Status: Active
Input Range: 0 ~ 100VDC
Response Time: 10ms
Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC
Termination Style: Screw Terminal
Operating Temperature: -35°C ~ 100°C
Accuracy: 0.005%
Type: DC Voltage Transducer
Output: 0 ~ 10VDC
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25194.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDC-420-1000VAim DynamicsDescription: TRANSDUCER 0-1000V:4-20MA
Part Status: Active
Input Range: 0 ~ 1000VDC
Response Time: 10ms
Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC
Termination Style: Screw Terminal
Operating Temperature: -35°C ~ 100°C
Accuracy: 0.005%
Type: DC Voltage Transducer
Output: 4 ~ 20mA
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25194.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDC-420-100VAim DynamicsDescription: TRANSDUCER 0-100V:4-20MA
Part Status: Active
Input Range: 0 ~ 100VDC
Response Time: 10ms
Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC
Termination Style: Screw Terminal
Operating Temperature: -35°C ~ 100°C
Accuracy: 0.005%
Type: DC Voltage Transducer
Output: 4 ~ 20mA
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25194.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDC-5V-1000VAim DynamicsDescription: TRANSDUCER 0-1000V:0-5VDC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Input Range: 0 ~ 1000VDC
Response Time: 10ms
Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC
Termination Style: Screw Terminal
Operating Temperature: -35°C ~ 100°C
Accuracy: 0.005%
Type: DC Voltage Transducer
Output: 0 ~ 5VDC
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25194.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDC-5V-100VAim DynamicsDescription: TRANSDUCER 0-100V:0-5VDC
Part Status: Active
Input Range: 0 ~ 100VDC
Response Time: 10ms
Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC
Termination Style: Screw Terminal
Operating Temperature: -35°C ~ 100°C
Accuracy: 0.005%
Type: DC Voltage Transducer
Output: 0 ~ 5VDC
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25194.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R004M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMDQ75R007M2HXTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 126A, 20V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 27.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5687 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMDQ75R007M2HXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 126A, 20V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 27.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5687 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2350.66 грн
10+1665.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_SICMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 90.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6135 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2784.11 грн
10+1992.63 грн
100+1783.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_SICMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 90.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6135 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41.5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1617.79 грн
10+1121.31 грн
100+1022.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41.5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+867.09 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 394W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1482.98 грн
10+1023.34 грн
100+925.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R020M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R020M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R020M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1367.76 грн
10+939.33 грн
50+834.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R027M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R027M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R027M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1150.64 грн
10+782.56 грн
50+668.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMDQ75R033M2HXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+812.03 грн
10+542.09 грн
100+428.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMDQ75R033M2HXTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R040M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+802.63 грн
10+534.24 грн
100+399.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R040M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R060M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R060M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.13 грн
10+351.20 грн
100+271.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R060M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+230.33 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R090M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMDQ75R090M1HXUMA1
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+305.30 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R090M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R090M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMDQ75R090M1HXUMA1
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.94 грн
10+398.90 грн
25+365.04 грн
100+307.64 грн
250+290.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R140M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R140M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R140M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.86 грн
10+305.39 грн
100+220.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]