Продукція > AIM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AIMCQ120R120M1TXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V Power Dissipation (Max): 161W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMCQ120R120M1TXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC_DISCRETE | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMCQ120R160M1TXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 22-PowerBSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +25V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.5mA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc) FET Type: N-Channel | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMCQ120R160M1TXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Package / Case: 22-PowerBSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +25V, -10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.5mA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMCQ120R160M1TXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC_DISCRETE | на замовлення 1603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDC-10V-1000V | Aim Dynamics | Description: TRANSDUCER 0-100V:0-10VDC Part Status: Active Input Range: 0 ~ 1000VDC Response Time: 10ms Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC Termination Style: Screw Terminal Operating Temperature: -35°C ~ 100°C Accuracy: 0.005% Type: DC Voltage Transducer Output: 0 ~ 10VDC Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount Packaging: Bulk | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDC-10V-100V | Aim Dynamics | Description: TRANSDUCER 0-100V:0-10VDC Part Status: Active Input Range: 0 ~ 100VDC Response Time: 10ms Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC Termination Style: Screw Terminal Operating Temperature: -35°C ~ 100°C Accuracy: 0.005% Type: DC Voltage Transducer Output: 0 ~ 10VDC Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount Packaging: Bulk | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDC-420-1000V | Aim Dynamics | Description: TRANSDUCER 0-1000V:4-20MA Part Status: Active Input Range: 0 ~ 1000VDC Response Time: 10ms Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC Termination Style: Screw Terminal Operating Temperature: -35°C ~ 100°C Accuracy: 0.005% Type: DC Voltage Transducer Output: 4 ~ 20mA Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount Packaging: Bulk | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDC-420-100V | Aim Dynamics | Description: TRANSDUCER 0-100V:4-20MA Part Status: Active Input Range: 0 ~ 100VDC Response Time: 10ms Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC Termination Style: Screw Terminal Operating Temperature: -35°C ~ 100°C Accuracy: 0.005% Type: DC Voltage Transducer Output: 4 ~ 20mA Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount Packaging: Bulk | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDC-5V-1000V | Aim Dynamics | Description: TRANSDUCER 0-1000V:0-5VDC Packaging: Bulk Part Status: Active Input Range: 0 ~ 1000VDC Response Time: 10ms Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC Termination Style: Screw Terminal Operating Temperature: -35°C ~ 100°C Accuracy: 0.005% Type: DC Voltage Transducer Output: 0 ~ 5VDC Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDC-5V-100V | Aim Dynamics | Description: TRANSDUCER 0-100V:0-5VDC Part Status: Active Input Range: 0 ~ 100VDC Response Time: 10ms Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC Termination Style: Screw Terminal Operating Temperature: -35°C ~ 100°C Accuracy: 0.005% Type: DC Voltage Transducer Output: 0 ~ 5VDC Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount Packaging: Bulk | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R004M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R007M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: AIMDQ75R007M2HXTMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 126A, 20V Power Dissipation (Max): 789W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 27.7mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5687 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R007M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R007M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: AIMDQ75R007M2HXTMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 126A, 20V Power Dissipation (Max): 789W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 27.7mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5687 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R008M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE_SICMOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 90.3A, 18V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6135 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R008M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R008M1HXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | на замовлення 635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R008M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE_SICMOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 90.3A, 18V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6135 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R008M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R016M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Vgs (Max): +23V, -5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 18V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA Power Dissipation (Max): 384W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41.5A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 22-PowerBSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V | на замовлення 327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R016M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 384W Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R016M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Vgs (Max): +23V, -5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 18V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA Power Dissipation (Max): 384W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41.5A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 22-PowerBSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R016M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 384W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R016M1HXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R016M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 394W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R016M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55.8A, 20V Power Dissipation (Max): 394W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R016M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 | на замовлення 1401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R016M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55.8A, 20V Power Dissipation (Max): 394W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R020M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R020M1HXUMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS | на замовлення 356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R020M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R025M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 | на замовлення 580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R027M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V Power Dissipation (Max): 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R027M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V Power Dissipation (Max): 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R027M1HXUMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS | на замовлення 277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R033M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: AIMDQ75R033M2HXTMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27A, 20V Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.9mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R033M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: AIMDQ75R033M2HXTMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27A, 20V Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.9mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R033M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 | на замовлення 227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R040M1HXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R040M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R040M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R040M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R040M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK | на замовлення 787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R050M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R060M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 11.1A, 18V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R060M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 11.1A, 18V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R060M1HXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS | на замовлення 1218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R060M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 | на замовлення 758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R090M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: AIMDQ75R090M1HXUMA1 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Vgs (Max): +23V, -5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 22-PowerBSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R090M1HXUMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS | на замовлення 726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R090M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: AIMDQ75R090M1HXUMA1 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Vgs (Max): +23V, -5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 22-PowerBSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R140M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R140M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R140M1HXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS | на замовлення 687 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMDQ75R140M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMDQ75R140M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMEL12 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AIMEL25128N | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AIMH021-050A-420 | Aim Dynamics | Description: 21MM SPLIT-CORE 50A:4-20MA UNI Packaging: Bag Package / Case: Module, Single Pass Through Polarization: Unidirectional Mounting Type: Panel Mount Output: Ratiometric, 4mA ~ 20mA Frequency: DC Accuracy: ±1% Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Voltage - Supply: ±15V Sensor Type: Hall Effect For Measuring: DC Current - Supply (Max): 35mA Current - Sensing: 50A Part Status: Active Number of Channels: 1 | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH021-050A-420B | Aim Dynamics | Description: 21MM SPLIT-CORE 50A:4-20MA BI Packaging: Bag Package / Case: Module, Single Pass Through Polarization: Bidirectional Mounting Type: Panel Mount Output: Ratiometric, 4mA ~ 20mA Frequency: DC Accuracy: ±1% Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Voltage - Supply: ±15V Sensor Type: Hall Effect For Measuring: DC Current - Supply (Max): 35mA Current - Sensing: 50A Part Status: Active Number of Channels: 1 | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH021-050A-5V | Aim Dynamics | Description: 21MM SPLIT-CORE 50A:5V BI Number of Channels: 1 Part Status: Active Current - Sensing: 50A Current - Supply (Max): 35mA For Measuring: AC/DC Sensor Type: Hall Effect Voltage - Supply: ±15V Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Accuracy: ±1% Frequency: DC ~ 10kHz Output: Ratiometric, ±5V Mounting Type: Panel Mount Polarization: Bidirectional Package / Case: Module, Single Pass Through Packaging: Bag | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH021-050A-5VT | Aim Dynamics | Description: 21MM SPLIT-CORE 50A:5V UNI Packaging: Bag Package / Case: Module, Single Pass Through Polarization: Unidirectional Mounting Type: Panel Mount Output: Ratiometric, 0V ~ 5V Frequency: DC Accuracy: ±1% Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Voltage - Supply: 12V Sensor Type: Hall Effect For Measuring: DC Current - Supply (Max): 35mA Current - Sensing: 50A Part Status: Active Number of Channels: 1 | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH021-100A-420 | Aim Dynamics | Description: 21MM SPLIT-CORE 100A:4-20MA UNI Packaging: Bag Package / Case: Module, Single Pass Through Polarization: Unidirectional Mounting Type: Panel Mount Output: Ratiometric, 4mA ~ 20mA Frequency: DC Accuracy: ±1% Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Voltage - Supply: ±15V Sensor Type: Hall Effect For Measuring: DC Current - Supply (Max): 35mA Current - Sensing: 100A Part Status: Active Number of Channels: 1 | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH021-100A-420B | Aim Dynamics | Description: 21MM SPLIT-CORE 100A:4-20MA BI Packaging: Bag Package / Case: Module, Single Pass Through Polarization: Bidirectional Mounting Type: Panel Mount Output: Ratiometric, 4mA ~ 20mA Frequency: DC Accuracy: ±1% Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Voltage - Supply: ±15V Sensor Type: Hall Effect For Measuring: DC Current - Supply (Max): 35mA Current - Sensing: 100A Part Status: Active Number of Channels: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMH021-100A-5V | Aim Dynamics | Description: 21MM SPLIT-CORE 100A:5V BI Packaging: Bag Package / Case: Module, Single Pass Through Polarization: Bidirectional Mounting Type: Panel Mount Output: Ratiometric, ±5V Frequency: DC ~ 10kHz Accuracy: ±1% Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Voltage - Supply: ±15V Sensor Type: Hall Effect For Measuring: AC/DC Current - Supply (Max): 35mA Current - Sensing: 100A Part Status: Active Number of Channels: 1 | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH021-100A-5VT | Aim Dynamics | Description: 21MM SPLIT-CORE 100A:5V UNI Packaging: Bag Package / Case: Module, Single Pass Through Polarization: Unidirectional Mounting Type: Panel Mount Output: Ratiometric, 0V ~ 5V Frequency: DC Accuracy: ±1% Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Voltage - Supply: 12V Sensor Type: Hall Effect For Measuring: DC Current - Supply (Max): 35mA Current - Sensing: 100A Part Status: Active Number of Channels: 1 | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH021-200A-420 | Aim Dynamics | Description: 21MM SPLIT-CORE 200A:4-20MA UNI Packaging: Bag Package / Case: Module, Single Pass Through Polarization: Unidirectional Mounting Type: Panel Mount Output: Ratiometric, 4mA ~ 20mA Frequency: DC Accuracy: ±1% Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Voltage - Supply: ±15V Sensor Type: Hall Effect For Measuring: DC Current - Supply (Max): 35mA Current - Sensing: 200A Part Status: Active Number of Channels: 1 | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH021-200A-420B | Aim Dynamics | Description: 21MM SPLIT-CORE 200A:4-20MA BI Packaging: Bag Package / Case: Module, Single Pass Through Polarization: Bidirectional Mounting Type: Panel Mount Output: Ratiometric, 4mA ~ 20mA Frequency: DC Accuracy: ±1% Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Voltage - Supply: ±15V Sensor Type: Hall Effect For Measuring: DC Current - Supply (Max): 35mA Current - Sensing: 200A Part Status: Active Number of Channels: 1 | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH021-200A-5V | Aim Dynamics | Description: 21MM SPLIT-CORE 200A:5V BI Packaging: Bag Package / Case: Module, Single Pass Through Polarization: Bidirectional Mounting Type: Panel Mount Output: Ratiometric, ±5V Frequency: DC ~ 10kHz Accuracy: ±1% Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Voltage - Supply: ±15V Sensor Type: Hall Effect For Measuring: AC/DC Current - Supply (Max): 35mA Current - Sensing: 200A Part Status: Active Number of Channels: 1 | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH021-200A-5VT | Aim Dynamics | Description: 21MM SPLIT-CORE 200A:5V UNI Packaging: Bag Package / Case: Module, Single Pass Through Polarization: Unidirectional Mounting Type: Panel Mount Output: Ratiometric, 0V ~ 5V Frequency: DC Accuracy: ±1% Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Voltage - Supply: 12V Sensor Type: Hall Effect For Measuring: DC Current - Supply (Max): 35mA Current - Sensing: 200A Part Status: Active Number of Channels: 1 | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH040-1000A-420 | Aim Dynamics | Description: 40MM SPLIT-CORE 1000A:4-20MA UNI Number of Channels: 1 Part Status: Active Current - Sensing: 1000A Current - Supply (Max): 35mA For Measuring: DC Sensor Type: Hall Effect Voltage - Supply: ±15V Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Accuracy: ±1% Frequency: DC Output: Ratiometric, 4mA ~ 20mA Mounting Type: Panel Mount Polarization: Unidirectional Package / Case: Module, Single Pass Through Packaging: Bag | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH040-1000A-420B | Aim Dynamics | Description: 40MM SPLIT-CORE 1000A:4-20MA BI Packaging: Bag Package / Case: Module, Single Pass Through Polarization: Bidirectional Mounting Type: Panel Mount Output: Ratiometric, 4mA ~ 20mA Frequency: DC Accuracy: ±1% Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Voltage - Supply: ±15V Sensor Type: Hall Effect For Measuring: DC Current - Supply (Max): 35mA Current - Sensing: 1000A Part Status: Active Number of Channels: 1 | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH040-1000A-5V | Aim Dynamics | Description: 40MM SPLIT-CORE 1000A:5V BI Packaging: Bag Package / Case: Module, Single Pass Through Polarization: Bidirectional Mounting Type: Panel Mount Output: Ratiometric, ±5V Frequency: DC ~ 10kHz Accuracy: ±1% Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Voltage - Supply: ±15V Sensor Type: Hall Effect For Measuring: AC/DC Current - Supply (Max): 35mA Current - Sensing: 1000A Part Status: Active Number of Channels: 1 | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH040-1000A-5VT | Aim Dynamics | Description: 40MM SPLIT-CORE 1000A:5V UNI Number of Channels: 1 Part Status: Active Current - Sensing: 1000A Current - Supply (Max): 35mA For Measuring: DC Sensor Type: Hall Effect Voltage - Supply: 12V Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Accuracy: ±1% Frequency: DC Output: Ratiometric, 0V ~ 5V Mounting Type: Panel Mount Polarization: Unidirectional Package / Case: Module, Single Pass Through Packaging: Bag | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH040-500A-420 | Aim Dynamics | Description: 40MM SPLIT-CORE 500A:4-20MA UNI Accuracy: ±1% Frequency: DC Output: Ratiometric, 4mA ~ 20mA Mounting Type: Panel Mount Polarization: Unidirectional Package / Case: Module, Single Pass Through Packaging: Bag Number of Channels: 1 Part Status: Active Current - Sensing: 500A Current - Supply (Max): 35mA For Measuring: DC Sensor Type: Hall Effect Voltage - Supply: ±15V Operating Temperature: -10°C ~ 85°C | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH040-500A-420B | Aim Dynamics | Description: 40MM SPLIT-CORE 500A:4-20MA BI Package / Case: Module, Single Pass Through Packaging: Bag Number of Channels: 1 Part Status: Active Current - Sensing: 500A Current - Supply (Max): 35mA For Measuring: DC Sensor Type: Hall Effect Voltage - Supply: ±15V Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Accuracy: ±1% Frequency: DC Output: Ratiometric, 4mA ~ 20mA Mounting Type: Panel Mount Polarization: Bidirectional | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH040-500A-5V | Aim Dynamics | Description: 40MM SPLIT-CORE 500A:5V BI Packaging: Bag Package / Case: Module, Single Pass Through Polarization: Bidirectional Mounting Type: Panel Mount Output: Ratiometric, ±5V Frequency: DC ~ 10kHz Accuracy: ±1% Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Voltage - Supply: ±15V Sensor Type: Hall Effect For Measuring: AC/DC Current - Supply (Max): 35mA Current - Sensing: 500A Part Status: Active Number of Channels: 1 | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH040-500A-5VT | Aim Dynamics | Description: 40MM SPLIT-CORE 500A:5V UNI Number of Channels: 1 Part Status: Active Current - Sensing: 500A Current - Supply (Max): 35mA For Measuring: DC Sensor Type: Hall Effect Voltage - Supply: 12V Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Accuracy: ±1% Frequency: DC Output: Ratiometric, 0V ~ 5V Mounting Type: Panel Mount Polarization: Unidirectional Package / Case: Module, Single Pass Through Packaging: Bag | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH040-600A-420 | Aim Dynamics | Description: CURRENT SENSOR 600A 4-20MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMH040-800A-420 | Aim Dynamics | Description: 40MM SPLIT-CORE 800A:4-20MA UNI Number of Channels: 1 Part Status: Active Current - Sensing: 800A Current - Supply (Max): 35mA For Measuring: DC Sensor Type: Hall Effect Voltage - Supply: ±15V Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Accuracy: ±1% Frequency: DC Output: Ratiometric, 4mA ~ 20mA Mounting Type: Panel Mount Polarization: Unidirectional Package / Case: Module, Single Pass Through Packaging: Bag | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH040-800A-420B | Aim Dynamics | Description: 40MM SPLIT-CORE 800A:4-20MA BI Package / Case: Module, Single Pass Through Packaging: Bag Number of Channels: 1 Part Status: Active Current - Sensing: 800A Current - Supply (Max): 35mA For Measuring: DC Sensor Type: Hall Effect Voltage - Supply: ±15V Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Accuracy: ±1% Frequency: DC Output: Ratiometric, 4mA ~ 20mA Mounting Type: Panel Mount Polarization: Bidirectional | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH040-800A-5V | Aim Dynamics | Description: 40MM SPLIT-CORE 800A:5V BI Packaging: Bag Package / Case: Module, Single Pass Through Polarization: Bidirectional Mounting Type: Panel Mount Output: Ratiometric, ±5V Frequency: DC ~ 10kHz Accuracy: ±1% Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Voltage - Supply: ±15V Sensor Type: Hall Effect For Measuring: AC/DC Current - Supply (Max): 35mA Current - Sensing: 800A Part Status: Active Number of Channels: 1 | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMH040-800A-5VT | Aim Dynamics | Description: 40MM SPLIT-CORE 800A:5V UNI Packaging: Bag Package / Case: Module, Single Pass Through Polarization: Unidirectional Mounting Type: Panel Mount Output: Ratiometric, 0V ~ 5V Frequency: DC Accuracy: ±1% Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Voltage - Supply: 12V Sensor Type: Hall Effect For Measuring: DC Current - Supply (Max): 35mA Current - Sensing: 800A Part Status: Active Number of Channels: 1 | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AIMI0010 | Red Lion | Signal Conditioning 0 (4) to 20mA Passive Loop Powered Isolator | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMI0202 | Red Lion Controls | Description: PASSIVE LOOP POWERED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIMI0202 | Red Lion | Signal Conditioning ANALOG CURRENT MOD, 0202 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIML-0402-1R0JT | Abracon LLC | Description: IND RF 1.0UH 5% 10MJZ 15MA 0402 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIML-0402-1R0K-T | Abracon LLC | Description: FIXED IND 1UH 15MA 900 MOHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: 0402 (1005 Metric) Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 900mOhm Max Q @ Freq: 20 @ 10MHz Frequency - Self Resonant: 40MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 10 MHz Supplier Device Package: 0402 (1005 Metric) Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 15 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIML-0402-1R0K-T | ABRACON | RF Inductors - SMD 1 UH 10% | на замовлення 16997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIML-0402-1R2K-T | Abracon LLC | Description: FIXED IND 1.2UH 15MA 1.2 OHM SMD | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIML-0402-1R2K-T | ABRACON | RF Inductors - SMD 1200nH 15mA 5% Tolerance ferrite shielded 1.2 20a.10MHz 35MHz 0402 | на замовлення 6699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIML-0402-1R2K-T | Abracon LLC | Description: FIXED IND 1.2UH 15MA 1.2 OHM SMD | на замовлення 17880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIML-0402-1R2K-T | Abracon LLC | Description: FIXED IND 1.2UH 15MA 1.2 OHM SMD | на замовлення 17880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIML-0402-1R5K-T | Abracon LLC | Description: FIXED IND 1.5UH 15MA 1.2 OHM SMD | на замовлення 18140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIML-0402-1R5K-T | ABRACON | RF Inductors - SMD 1500nH 15mA 5% Tolerance ferrite shielded 1.2 20a.10MHz 30MHz 0402 | на замовлення 8933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIML-0402-1R5K-T | Abracon LLC | Description: FIXED IND 1.5UH 15MA 1.2 OHM SMD | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIML-0402-1R5K-T | Abracon LLC | Description: FIXED IND 1.5UH 15MA 1.2 OHM SMD | на замовлення 18140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

