Продукція > AIM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AIMC-Q0402-47NH-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 47nH 0.2A 1100m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-4N3B-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 4.3nH 0.7A 20m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-4N3C-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 4.3nH 0.7A 20m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-4N3S-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 4.3nH 0.7A 20m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-4N7B-T | Abracon LLC | Description: IND 4.7NH 0.7A 20MOHM Tolerance: ±0.1nH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0402 (1005 Metric) Size / Dimension: 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 20mOhm Max Q @ Freq: 8 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 6GHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0402 (1005 Metric) Height - Seated (Max): 0.024" (0.60mm) Inductance: 4.7 nH Current Rating (Amps): 700 mA | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-4N7B-T | Abracon LLC | Description: IND 4.7NH 0.7A 20MOHM Tolerance: ±0.1nH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0402 (1005 Metric) Size / Dimension: 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 20mOhm Max Q @ Freq: 8 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 6GHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0402 (1005 Metric) Height - Seated (Max): 0.024" (0.60mm) Inductance: 4.7 nH Current Rating (Amps): 700 mA | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-4N7C-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 4.7nH 0.7A 20m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-4N7S-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 4.7nH 0.7A 20m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-56NG-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 56nH 0.2A 1100m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-56NH-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 56nH 0.2A 1100m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-56NJ-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 56nH 0.2A 1100m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-5N1B-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 5.1nH 0.6A 230m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-5N1C-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 5.1nH 0.6A 230m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-5N1S-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 5.1nH 0.6A 230m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-5N6B-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 5.6nH 0.6A 230m? | на замовлення 9980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-68NH-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 68nH 0.2A 1200m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-6N2B-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 6.2nH 0.6A 250m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-6N8G-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 6.8nH 0.6A 250m? | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-7N5J-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 7.5nH 0.5A 280m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-82NJ-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 82nH 0.2A 1300m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-8N2G-T | Abracon LLC | Description: IND 8.2NH 0.5A 280MOHM Tolerance: ±2% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0402 (1005 Metric) Size / Dimension: 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 280mOhm Max Q @ Freq: 8 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 3.7GHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0402 (1005 Metric) Height - Seated (Max): 0.024" (0.60mm) Inductance: 8.2 nH Current Rating (Amps): 500 mA | на замовлення 9950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-8N2G-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 8.2nH 0.5A 280m? | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-8N2G-T | Abracon LLC | Description: IND 8.2NH 0.5A 280MOHM Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0402 (1005 Metric) Size / Dimension: 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 280mOhm Max Q @ Freq: 8 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 3.7GHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0402 (1005 Metric) Height - Seated (Max): 0.024" (0.60mm) Inductance: 8.2 nH Current Rating (Amps): 500 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-8N2H-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 8.2nH 0.5A 280m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-8N2J-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 8.2nH 0.5A 280m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0402-R10J-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 100nH 0.2A 1600m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-10NJ-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 10nH 0.6A 300m? | на замовлення 3670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-15NJ-T | Abracon LLC | Description: FIXED IND 15NH 600MA 400 MOHM Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 400mOhm Max Q @ Freq: 12 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 2.3GHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric) Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm) Inductance: 15 nH Current Rating (Amps): 600 mA | на замовлення 3884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-15NJ-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 15nH 0.6A 400m? | на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-15NJ-T | Abracon LLC | Description: FIXED IND 15NH 600MA 400 MOHM Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 400mOhm Max Q @ Freq: 12 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 2.3GHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric) Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm) Inductance: 15 nH Current Rating (Amps): 600 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-18NJ-T | Abracon LLC | Description: FIXED IND 18NH 600MA 450 MOHM Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 450mOhm Max Q @ Freq: 12 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 2GHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric) Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm) Inductance: 18 nH Current Rating (Amps): 600 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-18NJ-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 18nH 0.6A 450m? | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-18NJ-T | Abracon LLC | Description: FIXED IND 18NH 600MA 450 MOHM Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 450mOhm Max Q @ Freq: 12 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 2GHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric) Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm) Inductance: 18 nH Current Rating (Amps): 600 mA | на замовлення 3738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-1N0S-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 1nH 1A 50m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-1N5S-T | Abracon LLC | Description: IND 1.5NH 1A 100MOHM Tolerance: ±0.3nH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 100mOhm Max Q @ Freq: 8 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 10GHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric) Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm) Inductance: 1.5 nH Current Rating (Amps): 1 A | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-1N5S-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 1.5nH 1A 100m? | на замовлення 2859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-1N5S-T | Abracon LLC | Description: IND 1.5NH 1A 100MOHM Tolerance: ±0.3nH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 100mOhm Max Q @ Freq: 8 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 10GHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric) Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm) Inductance: 1.5 nH Current Rating (Amps): 1 A | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-1N8S-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 1.8nH 1A 100m? | на замовлення 3695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-22NJ-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 22nH 0.6A 500m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-27NJ-T | Abracon LLC | Description: FIXED IND 27NH 600MA 550 MOHM Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 550mOhm Max Q @ Freq: 12 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 1.4GHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric) Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm) Inductance: 27 nH Current Rating (Amps): 600 mA | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-27NJ-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 27nH 0.6A 550m? | на замовлення 931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-27NJ-T | Abracon LLC | Description: FIXED IND 27NH 600MA 550 MOHM Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 550mOhm Max Q @ Freq: 12 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 1.4GHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric) Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm) Inductance: 27 nH Current Rating (Amps): 600 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-2N2S-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 2.2nH 1A 100m? | на замовлення 5752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-2N7S-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 2.7nH 1A 130m? | на замовлення 7401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-3N3S-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 3.3nH 1A 130m? | на замовлення 3865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-47NJ-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 47nH 0.5A 700m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-4N7S-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 4.7nH 1A 200m? | на замовлення 3817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-4N7S-T | Abracon LLC | Description: FIXED IND 4.7NH 1A 200 MOHM SMD Tolerance: ±0.3nH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 200mOhm Max Q @ Freq: 10 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 5GHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric) Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm) Inductance: 4.7 nH Current Rating (Amps): 1 A | на замовлення 3742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-4N7S-T | Abracon LLC | Description: FIXED IND 4.7NH 1A 200 MOHM SMD Tolerance: ±0.3nH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 200mOhm Max Q @ Freq: 10 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 5GHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric) Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm) Inductance: 4.7 nH Current Rating (Amps): 1 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-56NJ-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 56nH 0.5A 750m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-5N6S-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 5.6nH 0.7A 230m? | на замовлення 3985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-68NJ-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 68nH 0.4A 850m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-6N8J-T | Abracon LLC | Description: FIXED IND 6.8NH 700MA 250 MOHM Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 250mOhm Max Q @ Freq: 10 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 4GHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric) Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm) Inductance: 6.8 nH Current Rating (Amps): 700 mA | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-6N8J-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 6.8nH 0.7A 250m? | на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-6N8J-T | Abracon LLC | Description: FIXED IND 6.8NH 700MA 250 MOHM Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 250mOhm Max Q @ Freq: 10 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 4GHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric) Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm) Inductance: 6.8 nH Current Rating (Amps): 700 mA | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-82NJ-T | Abracon LLC | Description: IND 82NH 0.3A 950MOHM Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 950mOhm Max Q @ Freq: 12 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 600MHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric) Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm) Inductance: 82 nH Current Rating (Amps): 300 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-82NJ-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 82nH 0.3A 950m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-R12J-T | Abracon LLC | Description: IND 120NH 0.3A 1000MOHM Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 1Ohm Max Q @ Freq: 8 @ 50MHz Frequency - Self Resonant: 500MHz Ratings: AEC-Q200 Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 100 MHz Supplier Device Package: 0603 (1608 Metric) Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm) Inductance: 120 nH Current Rating (Amps): 300 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMC-Q0603-R12J-T | ABRACON | RF Inductors - SMD IND 120nH 0.3A 1000m? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R020M1TXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 43A, 20V Power Dissipation (Max): 577W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 13.7mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2667 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R020M1TXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC_DISCRETE | на замовлення 3000 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R020M1TXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 43A, 20V Power Dissipation (Max): 577W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 13.7mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2667 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R030M1TXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R030M1TXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R030M1TXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC_DISCRETE | на замовлення 2226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R040M1TXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R040M1TXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R040M1TXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R060M1TXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R060M1TXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V Power Dissipation (Max): 259W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R060M1TXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V Power Dissipation (Max): 259W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R080M1TXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R080M1TXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R080M1TXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R120M1TXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V Power Dissipation (Max): 161W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R120M1TXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC_DISCRETE | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R120M1TXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V Power Dissipation (Max): 161W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R160M1TXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 20V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.5mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R160M1TXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 20V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.5mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMCQ120R160M1TXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC_DISCRETE | на замовлення 2122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMDC-10V-1000V | Aim Dynamics | Description: TRANSDUCER 0-100V:0-10VDC Packaging: Bulk Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount Output: 0 ~ 10VDC Type: DC Voltage Transducer Accuracy: 0.005% Operating Temperature: -35°C ~ 100°C Termination Style: Screw Terminal Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC Response Time: 10ms Input Range: 0 ~ 1000VDC Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMDC-10V-100V | Aim Dynamics | Description: TRANSDUCER 0-100V:0-10VDC Packaging: Bulk Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount Output: 0 ~ 10VDC Type: DC Voltage Transducer Accuracy: 0.005% Operating Temperature: -35°C ~ 100°C Termination Style: Screw Terminal Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC Response Time: 10ms Input Range: 0 ~ 100VDC Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMDC-420-1000V | Aim Dynamics | Description: TRANSDUCER 0-1000V:4-20MA Packaging: Bulk Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount Output: 4 ~ 20mA Type: DC Voltage Transducer Accuracy: 0.005% Operating Temperature: -35°C ~ 100°C Termination Style: Screw Terminal Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC Response Time: 10ms Input Range: 0 ~ 1000VDC Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMDC-420-100V | Aim Dynamics | Description: TRANSDUCER 0-100V:4-20MA Packaging: Bulk Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount Output: 4 ~ 20mA Type: DC Voltage Transducer Accuracy: 0.005% Operating Temperature: -35°C ~ 100°C Termination Style: Screw Terminal Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC Response Time: 10ms Input Range: 0 ~ 100VDC Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMDC-5V-1000V | Aim Dynamics | Description: TRANSDUCER 0-1000V:0-5VDC Packaging: Bulk Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount Output: 0 ~ 5VDC Type: DC Voltage Transducer Accuracy: 0.005% Operating Temperature: -35°C ~ 100°C Termination Style: Screw Terminal Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC Response Time: 10ms Input Range: 0 ~ 1000VDC Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMDC-5V-100V | Aim Dynamics | Description: TRANSDUCER 0-100V:0-5VDC Packaging: Bulk Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount Output: 0 ~ 5VDC Type: DC Voltage Transducer Accuracy: 0.005% Operating Temperature: -35°C ~ 100°C Termination Style: Screw Terminal Voltage - Supply: 15 ~ 36VDC Response Time: 10ms Input Range: 0 ~ 100VDC Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMDQ75R004M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMDQ75R007M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMDQ75R007M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: AIMDQ75R007M2HXTMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 126A, 20V Power Dissipation (Max): 789W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 27.7mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5687 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMDQ75R007M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: AIMDQ75R007M2HXTMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 126A, 20V Power Dissipation (Max): 789W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 27.7mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5687 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMDQ75R008M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE_SICMOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 90.3A, 18V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6135 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMDQ75R008M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMDQ75R008M1HXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | на замовлення 635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMDQ75R008M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMDQ75R008M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE_SICMOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 90.3A, 18V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6135 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMDQ75R016M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 384W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMDQ75R016M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41.5A, 18V Power Dissipation (Max): 384W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMDQ75R016M1HXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AIMDQ75R016M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41.5A, 18V Power Dissipation (Max): 384W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AIMDQ75R016M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 384W Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

