Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN3016LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.02W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 14398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.05 грн
11+29.65 грн
100+17.56 грн
500+13.38 грн
1000+11.91 грн
3000+8.78 грн
6000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.008 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.22 грн
500+15.10 грн
1500+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDF-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.02W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
на замовлення 17900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
11+29.74 грн
100+19.13 грн
500+13.66 грн
1000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.05 грн
50+30.08 грн
100+20.97 грн
500+14.79 грн
1500+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.02W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.29 грн
6000+9.96 грн
9000+9.49 грн
15000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDF-7-90Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDF-7-90Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.34 грн
6000+10.37 грн
9000+9.63 грн
30000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
на замовлення 26163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.55 грн
100+23.04 грн
500+16.54 грн
1000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh 30Vds 20Vgs 1415pF 25.1nC
на замовлення 3266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.32 грн
10+35.57 грн
100+20.34 грн
500+15.54 грн
1000+13.93 грн
2500+11.36 грн
5000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.53 грн
5000+12.83 грн
7500+12.23 грн
12500+10.85 грн
17500+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch 30V Enh FET 20Vgss 1.18W 1415pF
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.79 грн
11+29.33 грн
100+17.91 грн
500+14.00 грн
1000+11.36 грн
2500+9.89 грн
10000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 4087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
12+26.12 грн
100+18.14 грн
500+13.29 грн
1000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.18W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
12+25.66 грн
100+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+33.74 грн
100+20.73 грн
500+15.66 грн
1000+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vdss 1.5W
на замовлення 6391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.06 грн
10+32.21 грн
100+19.44 грн
500+13.73 грн
1000+12.61 грн
2500+10.66 грн
5000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.57 грн
5000+10.94 грн
7500+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.82 грн
12+28.04 грн
100+15.61 грн
500+11.64 грн
1000+10.45 грн
3000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
14+21.81 грн
100+11.68 грн
500+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.63 грн
6000+7.22 грн
9000+7.09 грн
15000+6.60 грн
21000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
на замовлення 16005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
12+26.57 грн
100+15.96 грн
500+13.87 грн
1000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.61 грн
6000+8.87 грн
10000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF
на замовлення 6469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.45 грн
12+27.48 грн
100+15.33 грн
500+11.64 грн
1000+10.38 грн
2000+7.87 грн
4000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.64 грн
6000+10.64 грн
9000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.64 грн
6000+10.64 грн
10000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.54 грн
10+33.09 грн
100+18.95 грн
500+14.91 грн
1000+12.75 грн
2000+10.10 грн
4000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.27 грн
5000+11.71 грн
7500+11.17 грн
12500+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.29 грн
14+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A
на замовлення 9182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.17 грн
10+33.73 грн
100+20.00 грн
500+15.26 грн
1000+13.80 грн
2500+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.59 грн
100+21.72 грн
500+15.59 грн
1000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 3615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.29 грн
13+25.48 грн
100+15.05 грн
500+11.36 грн
1000+8.50 грн
2500+7.73 грн
5000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.90 грн
5000+7.78 грн
7500+7.38 грн
12500+6.51 грн
17500+6.26 грн
25000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
на замовлення 74368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+22.95 грн
100+14.62 грн
500+10.33 грн
1000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 60A; 1.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.03 грн
19+23.15 грн
100+13.59 грн
500+9.56 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1304 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.53 грн
10+37.18 грн
100+28.01 грн
500+17.84 грн
1000+13.59 грн
3000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3020UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.016 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.88 грн
500+19.32 грн
1000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1304 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
12+27.40 грн
100+17.56 грн
500+12.51 грн
1000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3020UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.016 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.64 грн
18+46.90 грн
100+27.88 грн
500+19.32 грн
1000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-7-WDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3020UTS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.015 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 850mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.41 грн
30+27.88 грн
100+19.18 грн
500+15.70 грн
1000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1304 pF @ 15 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.25 грн
5000+10.80 грн
7500+10.68 грн
12500+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3020UTS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.015 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 850mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.18 грн
500+15.70 грн
1000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.65 грн
10+38.94 грн
100+21.95 грн
500+16.79 грн
1000+15.19 грн
2500+12.61 грн
5000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1304 pF @ 15 V
на замовлення 18825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
11+28.38 грн
100+19.42 грн
500+15.15 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3021LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3021LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 706 pF @ 15 V
на замовлення 22710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
12+25.96 грн
100+16.62 грн
500+11.81 грн
1000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3021LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3021LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.92 грн
500+10.94 грн
1000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3021LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 706 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.70 грн
6000+8.53 грн
9000+8.12 грн
15000+7.18 грн
21000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3021LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.07 грн
12+28.44 грн
100+13.80 грн
1000+9.41 грн
3000+7.39 грн
9000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3022LDG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3022LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A PWRDI3333
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.96W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.88 грн
6000+23.74 грн
9000+22.64 грн
30000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3022LDG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3022LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.67 грн
10+65.62 грн
100+37.90 грн
500+29.68 грн
1000+26.96 грн
3000+23.55 грн
6000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3022LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023LDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.42 грн
20000+5.70 грн
30000+5.45 грн
50000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.69 грн
10+40.14 грн
100+22.02 грн
500+13.66 грн
1000+10.03 грн
2500+8.92 грн
5000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 44A; 800mW; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Gate charge: 18.4nC
On-state resistance: 68mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.67 грн
6000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A
на замовлення 74643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.72 грн
17+19.71 грн
100+12.61 грн
500+9.41 грн
1000+8.64 грн
3000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 0.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.93 грн
15+28.85 грн
18+24.32 грн
25+18.03 грн
50+14.01 грн
100+11.32 грн
500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.67 грн
6000+8.29 грн
9000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.67 грн
6000+8.29 грн
9000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7DiodesMOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.67 грн
6000+8.29 грн
9000+8.18 грн
15000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.86 грн
6000+8.78 грн
9000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
на замовлення 1503858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.70 грн
100+15.10 грн
500+10.67 грн
1000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.85 грн
6000+8.77 грн
9000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.67 грн
6000+8.29 грн
9000+8.18 грн
15000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - MOSFET, N-KANAL, 30V, 6.2A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.21 грн
50+22.60 грн
100+14.06 грн
500+10.57 грн
1500+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
на замовлення 1503000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.97 грн
6000+7.86 грн
9000+7.47 грн
15000+6.60 грн
21000+6.35 грн
30000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3024LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.4 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9.78A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.78A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.97 грн
100+21.99 грн
500+15.79 грн
1000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3024LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.4 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.51 грн
22+38.45 грн
100+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.80 грн
10+34.45 грн
100+20.83 грн
500+16.23 грн
1000+13.24 грн
2500+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]