Продукція > FDS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS8449_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8449_NL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8521LFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8560FSC09+ MSOP-8
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8588FSC00+ SOP
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 208 pF @ 50 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.87 грн
5000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 208 pF @ 50 V
на замовлення 33396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.30 грн
10+86.05 грн
100+58.04 грн
500+43.20 грн
1000+39.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 24407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.03 грн
10+167.36 грн
25+158.97 грн
100+135.20 грн
250+123.84 грн
500+116.38 грн
1000+113.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.85 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+275.55 грн
50+186.14 грн
100+140.62 грн
500+109.44 грн
1000+98.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.66 грн
10+163.34 грн
100+114.64 грн
500+96.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.2A; Idm: 50A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.2A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140
Код товару: 179302
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.62 грн
500+109.44 грн
1000+98.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+105.60 грн
141+100.89 грн
183+77.41 грн
500+73.01 грн
1000+63.90 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.08 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.48 грн
500+83.03 грн
1000+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.14 грн
10+128.77 грн
100+89.03 грн
500+69.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ONS/FAIMOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.46 грн
10+115.32 грн
25+112.39 грн
50+106.11 грн
100+75.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+100.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.07 грн
5000+83.18 грн
10000+81.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.46 грн
10+143.87 грн
100+106.48 грн
500+83.03 грн
1000+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 23870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.46 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.60 грн
5000+89.64 грн
10000+87.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.12 грн
10+142.41 грн
25+136.99 грн
50+126.04 грн
100+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.08 грн
10+132.85 грн
25+131.53 грн
100+125.56 грн
250+115.17 грн
500+109.43 грн
1000+108.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 20343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V
на замовлення 14802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.63 грн
10+158.50 грн
100+115.24 грн
500+93.07 грн
1000+88.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+123.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+188.77 грн
500+172.93 грн
1000+168.97 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 7.5 A, 0.0173 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.66 грн
10+181.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+96.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+126.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+126.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.15 грн
5000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
909+38.90 грн
1000+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 909 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 75 V
на замовлення 7197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+55.70 грн
100+36.80 грн
500+26.90 грн
1000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 929886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
909+38.90 грн
1000+35.88 грн
10000+31.99 грн
100000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 909 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.52 грн
5000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.15 грн
5000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4.5A; Idm: 20A; 5W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.5A
Gate charge: 10.6nC
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+56.61 грн
1000+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 75 V
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+74.20 грн
100+49.64 грн
500+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.191 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.191ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.81 грн
10+104.04 грн
100+78.60 грн
500+49.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267Ponsemi / FairchildMOSFETs PT5 150V/20V Pch PowerTrench Mosfet
на замовлення 11977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PON Semiconductor
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.191 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.191
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.79 грн
500+61.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 75 V
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+102.35 грн
100+69.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.70 грн
500+95.13 грн
1000+87.73 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.44 грн
10+106.50 грн
100+72.62 грн
500+54.53 грн
1000+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638onsemi / FairchildMOSFETs 40/20V, N Chan PowerTrench
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.60 грн
10+78.07 грн
25+77.69 грн
100+65.83 грн
250+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 18, Ciss, пФ @ Uds, В = 5680 @ 15, Qg, нКл = 86, Rds = 4,3 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.33 грн
10+164.19 грн
100+127.62 грн
500+92.84 грн
1000+80.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+78.07 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.0037 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.68 грн
10+195.90 грн
100+157.69 грн
500+140.39 грн
2500+123.32 грн
5000+117.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 30 V
на замовлення 14533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.96 грн
10+179.64 грн
100+126.82 грн
500+108.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540ONS/FAIMOSFET N CH 60V 18A 8-SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.0037 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.69 грн
500+140.39 грн
2500+123.32 грн
5000+117.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+98.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540onsemi / FairchildMOSFET 60V/20V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540ONN
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.44 грн
500+96.69 грн
1000+89.18 грн
10000+76.67 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8670FAI11+ SC70-5
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]