Продукція > SI1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI1869DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package: SC-70-6
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.2A
Voltage - Load: 1.8V ~ 20V
Rds On (Typ): 132mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-E3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.303Ohm 6-Pin SC-70
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-363
на замовлення 144917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI1869DH-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.132 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.132ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.132ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.39 грн
500+19.70 грн
1000+16.19 грн
5000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-E3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.303Ohm 6-Pin SC-70
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.36 грн
23+33.39 грн
25+33.06 грн
100+25.20 грн
250+22.42 грн
500+17.21 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.303Ohm 6-Pin SC-70
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.51 грн
20+37.86 грн
25+37.48 грн
100+27.92 грн
250+25.59 грн
500+21.76 грн
1000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 132mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 20V
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.42 грн
13+24.55 грн
25+21.94 грн
100+17.89 грн
250+16.60 грн
500+15.82 грн
1000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-363
на замовлення 72013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.303Ohm 6-Pin SC-70
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+37.48 грн
489+28.96 грн
494+28.66 грн
558+24.48 грн
1000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Voltage - Load: 1.8V ~ 20V
Rds On (Typ): 132mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-70-6
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.303Ohm 6-Pin SC-70
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.303Ohm 6-Pin SC-70
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI18752
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI19002CSUSITSSOP
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DLSILICONIX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1VISHAY
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3VISHAYSOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.85 грн
10+33.80 грн
100+23.52 грн
500+17.24 грн
1000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.86 грн
6000+12.67 грн
9000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI19
на замовлення 26992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SC70-6
на замовлення 8534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1901DL-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902VISHAY
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI19021CTUSILICON
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si19021CTU-7
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI19023CTU
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta), 420mW (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 N CHAN 20V
на замовлення 41019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1902CDL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.1A, SC-70
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.20 грн
29+28.53 грн
50+23.38 грн
100+16.94 грн
250+13.71 грн
500+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1A SC70-6
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta), 420mW (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.07 грн
13+23.65 грн
100+13.72 грн
500+11.02 грн
1000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.08 грн
6000+8.86 грн
9000+8.43 грн
15000+7.46 грн
21000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.93 грн
500+9.40 грн
1000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 30340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 21508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.17 грн
12+26.27 грн
100+16.80 грн
500+11.93 грн
1000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 0.235Ω
Gate charge: 2nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.47 грн
19+22.72 грн
21+20.48 грн
100+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.95 грн
40+20.49 грн
100+13.10 грн
500+10.97 грн
1000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DLVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DLVISHAY
на замовлення 21200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1VISHAY
на замовлення 36200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1902DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 0.66A, SC-70
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 660mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.32ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.57 грн
25+32.14 грн
50+28.13 грн
100+21.64 грн
250+17.91 грн
500+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-BE3VishayN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-BE3VishayMOSFETs SC70 N CHAN 20V
на замовлення 38360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.79 грн
10+33.43 грн
100+21.59 грн
500+15.46 грн
1000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.12 грн
10+34.77 грн
100+22.43 грн
500+16.07 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.66A; Idm: 1A; 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.8nC
On-state resistance: 0.63Ω
Power dissipation: 0.27W
Drain current: 0.66A
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 0.70A
на замовлення 286778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 17750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.74 грн
6000+12.14 грн
9000+11.58 грн
15000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3Vishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V .66A .27W
на замовлення 76473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
на замовлення 13403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.34 грн
10+34.55 грн
100+22.27 грн
500+15.95 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.64 грн
6000+12.04 грн
9000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.66A; Idm: 1A
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.8nC
On-state resistance: 0.63Ω
Power dissipation: 0.27W
Drain current: 0.66A
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-TI-E3VISHAY09+
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI19030CTUSILICOMQFP 0552+
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1VISHAYSOT363
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-GE3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1904EDC-T1VISHAY03+ SOT
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1904EDH
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1904EDH-T1SI0201+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1904EDH-T1-E3
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905BDH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905BDH-T
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905BDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 542mOhm @ 580mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 357mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905BDH-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905BDH-T1-GE3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905BDH-TI-E3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905CL-T1VISHAY
на замовлення 16679 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905DLVISHAY
на замовлення 55900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905DL-T1Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI1965DH-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905DL-T1VISHAYSOT-363
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 570mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 570mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905DL-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI1965DH-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905DL-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 570mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 570mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905DL-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 0.57A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1906DLSILICONIXSOT-363
на замовлення 561 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1906DL-T1VISHAY0449+
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1906DL-T1-E3
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1906DL-TI
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1907DLSI02+ SOT-323-6
на замовлення 66999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1907DL-T1
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1907DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 530MA SC70
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1907DL-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1912EDHSI02+ SOT-323
на замовлення 138999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1912EDH-T
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]