Продукція > SI1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI1869DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 132mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 20V
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
13+24.83 грн
25+22.19 грн
100+18.10 грн
250+16.79 грн
500+16.00 грн
1000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI18752
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI19002CSUSITSSOP
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DLSILICONIX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1VISHAY
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 28730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
10+34.19 грн
100+23.79 грн
500+17.43 грн
1000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.02 грн
6000+12.81 грн
9000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI19
на замовлення 26992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SC70-6
на замовлення 8534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1901DL-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902VISHAY
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI19021CTUSILICON
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si19021CTU-7
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI19023CTU
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 420mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+23.93 грн
100+13.88 грн
500+11.15 грн
1000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1902CDL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.1A, SC-70
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 420mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 N CHAN 20V
на замовлення 41019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 0.235Ω
Gate charge: 2nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.80 грн
19+22.98 грн
21+20.71 грн
100+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 55821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
11+28.38 грн
50+20.65 грн
100+17.03 грн
500+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 30340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.89 грн
9000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DLVISHAY
на замовлення 21200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DLVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1VISHAY
на замовлення 36200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-BE3VishayN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1902DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 0.66A, SC-70
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 660mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.32ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.81 грн
100+21.84 грн
500+15.64 грн
1000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-BE3VishayMOSFETs SC70 N CHAN 20V
на замовлення 38360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3Vishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 17750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.90 грн
6000+12.28 грн
9000+11.71 грн
15000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 0.70A
на замовлення 286778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.66A; Idm: 1A; 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.27W
Gate charge: 0.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.66A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.63Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 17942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+35.17 грн
100+22.69 грн
500+16.25 грн
1000+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 13403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.95 грн
100+22.53 грн
500+16.13 грн
1000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.66A; Idm: 1A
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.27W
Gate charge: 0.8nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 0.66A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.63Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.79 грн
6000+12.18 грн
9000+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V .66A .27W
на замовлення 76473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-TI-E3VISHAY09+
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI19030CTUSILICOMQFP 0552+
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1VISHAYSOT363
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-GE3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1904EDC-T1VISHAY03+ SOT
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1904EDH
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1904EDH-T1SI0201+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1904EDH-T1-E3
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905BDH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905BDH-T
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905BDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 357mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 542mOhm @ 580mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905BDH-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905BDH-T1-GE3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905BDH-TI-E3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905CL-T1VISHAY
на замовлення 16679 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905DLVISHAY
на замовлення 55900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905DL-T1VISHAYSOT-363
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905DL-T1Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI1965DH-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905DL-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI1965DH-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905DL-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 0.57A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 570mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 570mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905DL-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1906DLSILICONIXSOT-363
на замовлення 561 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1906DL-T1VISHAY0449+
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1906DL-T1-E3
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1906DL-TI
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1907DLSI02+ SOT-323-6
на замовлення 66999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1907DL-T1
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1907DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 530MA SC70
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1907DL-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1912EDHSI02+ SOT-323
на замовлення 138999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1912EDH-T
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1912EDH-T1VISHAYSOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1912EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1912EDH-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 6608 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1912EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1912EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1912EDH-T1-GE3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1913DH-T1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1913DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1913DH-T1-E3VISHAY
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1913DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1913DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1913EDHSI02+ SOT-323-6
на замовлення 886617 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1913EDH-T1VISHAY2003 TO23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.