Продукція > TK1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK19A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK19A50W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK19A50W,S5XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK19A50W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.27 грн
50+108.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK19A50W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 97557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
675+52.41 грн
1000+48.32 грн
10000+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK19BU-PC-EM71SUNBEST TECHNOLOGYTK19BU-PC-EM71
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.46 грн
100+149.46 грн
250+143.46 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK19GE-PC-EM71SUNBEST TECHNOLOGYTK19GE-PC-EM71
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+472.46 грн
32+452.16 грн
50+434.93 грн
100+405.17 грн
250+363.77 грн
500+339.73 грн
1000+331.42 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK19H50C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K0A60F,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K0A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 770µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.01 грн
10+73.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K0A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK1K0A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.83 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60FToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.26 грн
10+66.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4XToshibaMOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4XToshibaN-Channel 600V 6A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS TK1K2A60F,S4X(S TTK1k2a60f
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK1K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60FS4X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K7A60F,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K7A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 460µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 300 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K9A60F,S4XToshibaN-Channel 600V 3.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS TK1K9A60F,S4X(S TK1K9A60F,S4X(S TTK1k9a60f
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+69.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K9A60F,S4XToshibaMOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K9A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1P90A,LQ(OToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1P90ALQ(OToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4F04PBToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4F04PB,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.65 грн
10+154.17 грн
100+107.39 грн
500+82.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4F04PB,LXGQToshibaMOSFETs 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4F04PB,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+84.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4F04PBLQ(OToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4S04PB,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 60A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4S04PB,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 60A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.18 грн
10+119.47 грн
100+82.02 грн
500+61.95 грн
1000+57.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4S04PB,LXHQToshibaMOSFETs 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 26469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R5R04PB,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+83.28 грн
2000+77.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R5R04PB,LXGQToshibaMOSFETs 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 18437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R5R04PB,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK+
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.32 грн
10+152.82 грн
100+106.40 грн
500+81.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20