Продукція > TK1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK17V65W,LQToshibaMOSFETs DFN8x8-OS PD=156W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17V65W,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18.432MH204+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1805800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 18P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 18
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1805800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1840VISHAY04+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK18813M (TC)Description: ART TAPE KIT
Packaging: Cardboard Box
Part Status: Obsolete
Tape Included: 3903, 4008, 4408, 6900, 850, CM592, SJ5012, SJ6512
Tape Type: Household
Quantity: Rolls (4), Strips (49)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A30D,S5XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A30D,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 300V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A30D,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.01 грн
10+107.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A30DS5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50DToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(Q)TOSHIBA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(QM)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 500V; 18A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Technology: MOSFET
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
700+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+334.73 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(STA4,X,M)Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(STA4,X,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK18A50D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.22 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(STA4XM)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D,S5Q(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D,S5Q(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK18C60VS1VQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18E10K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 18A 100V 71W 0.042 Ohm
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK18E10K3,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18E10K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18E10K3,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18E60VS1VX(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18G60VRQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK19
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1905800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 19P SIDE ENTRY 5MM PCB
Voltage: 250 V
Number of Levels: 1
Current: 15 A
Part Status: Active
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Positions Per Level: 19
Mating Orientation: Horizontal with Board
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Wire Gauge: 12-22 AWG
Mounting Type: Through Hole
Color: Gray
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1905800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK19058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2070 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190A65Z,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190A65Z,S4XToshibaMOSFETs MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK190A65Z,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190A65Z,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK190A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.158 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E60Z1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 14 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.39 грн
10+161.52 грн
50+140.06 грн
100+125.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E65Z,S1XToshibaMOSFETs 650V DTMOS VI TO-220 190mohm
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E65Z,S1XToshiba650V DTMOS VI TO-220 190mohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E65Z,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS VI TO-220 190MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.44 грн
50+142.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E65Z,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK190E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.158 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+89.08 грн
4000+81.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.34 грн
10+172.92 грн
100+121.04 грн
500+93.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.50 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+103.50 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.44 грн
10+182.28 грн
100+128.00 грн
500+100.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK190U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.149 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.149ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.149ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK190U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.149 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.149ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK191-00100Aptiv (formerly Delphi)Aptiv TERM M MMC 025 SN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK195-00100Aptiv (formerly Delphi)Aptiv TERM F MMC 025 SN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK19A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK19A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 19A TO220SIS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 9.5A, 10V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK19A50W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.87 грн
50+109.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK19A50W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK19A50W,S5XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK19A50W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 97557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
675+52.41 грн
1000+48.32 грн
10000+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK19BU-PC-EM71SUNBEST TECHNOLOGYTK19BU-PC-EM71
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.46 грн
100+149.46 грн
250+143.46 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK19GE-PC-EM71SUNBEST TECHNOLOGYTK19GE-PC-EM71
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+472.46 грн
32+452.16 грн
50+434.93 грн
100+405.17 грн
250+363.77 грн
500+339.73 грн
1000+331.42 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK19H50C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K0A60F,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K0A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 770µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+74.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K0A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK1K0A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.83 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K0A60FS4X(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60FToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
10+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4XToshibaMOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4XToshibaN-Channel 600V 6A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS TK1K2A60F,S4X(S TTK1k2a60f
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK1K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60FS4X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K7A60F,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K7A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 460µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 300 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K9A60F,S4XToshibaMOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K9A60F,S4XToshibaN-Channel 600V 3.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS TK1K9A60F,S4X(S TK1K9A60F,S4X(S TTK1k9a60f
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+69.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K9A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1P90A,LQ(OToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1P90ALQ(OToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4F04PBToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4F04PB,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4F04PB,LXGQToshibaMOSFETs 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4F04PB,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.60 грн
10+158.05 грн
50+121.76 грн
100+103.31 грн
500+84.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4F04PBLQ(OToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4S04PB,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 60A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4S04PB,LXHQToshibaMOSFETs 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 25796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4S04PB,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 60A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.39 грн
10+120.84 грн
100+82.96 грн
500+62.66 грн
1000+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R5R04PB,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.25 грн
10+156.69 грн
50+120.67 грн
100+102.35 грн
500+83.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R5R04PB,LXGQToshibaMOSFETs 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 14862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R5R04PB,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20