Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLL110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 250 @ 25, Qg, нКл = 6.1 @ 5, Rds = 540 мОм @ 900 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET
на замовлення 59855 шт:
термін постачання 176-185 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF-BE3.VISHAYDescription: VISHAY - IRLL110TRPBF-BE3. - MOSFET, N-CH, 100V, 1.5A, SOT-223
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL1503Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL1503TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL1905TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 1.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Supplier Device Package: SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703IRSOT-223
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703PBFIRLL2703PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 108 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703PBFInternational RectifierMOSFET N-Channel 3,9 A 30V SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703PBF
Код товару: 32443
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 3,9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,045 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 530/9,3
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
2+18.00 грн
10+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 9.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 30V 3.9A 1W 0.045Ω IRLL2703 TIRLL2703
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 5.5A 45mOhm 9.3nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705
Код товару: 1514
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 3,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 870/32
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
на замовлення: 8 шт
  • 8 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+23.50 грн
10+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL2705 smd TIRLL2705
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=55V, Id=5.2A@T=25C, Id=3.0A@T=70C, Rds=0.04 R, P=2.1W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705 PBF
Код товару: 20389
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 3,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 870/32
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
2+11.00 грн
10+9.90 грн
100+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=55V, Id=5.2A@T=25C, Id=3.0A@T=70C, Rds=0.04 R, P=2.1W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 80 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705PBF
Код товару: 22279
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
2+15.00 грн
10+11.60 грн
100+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 32nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 3.8A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRIR09+ QFP48
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL2705 smd TIRLL2705
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.89 грн
2501+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.59 грн
225+63.10 грн
316+44.89 грн
500+34.37 грн
1000+29.05 грн
2500+24.96 грн
5000+22.21 грн
7500+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 25601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFInfineonTrans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Pb free Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF
Код товару: 175747
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl
на замовлення 11646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.59 грн
12+63.10 грн
100+44.89 грн
500+34.37 грн
1000+29.05 грн
2500+24.96 грн
5000+22.21 грн
7500+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 3.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: SOT223
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.70 грн
10+42.05 грн
50+31.08 грн
100+27.59 грн
200+24.60 грн
500+21.52 грн
1000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFInternational RectifierТранзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,8А; 2,1Вт; SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 345000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.04 грн
11+68.99 грн
25+66.39 грн
100+44.20 грн
250+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 25601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Id = 3.8 А, Ptot, Вт = 1, Vdss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Vds, В = 870 @ 25, Qg,нКл = 48 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 3.8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Vgs(th) = 2 @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 80 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+54.97 грн
50+40.77 грн
100+33.95 грн
500+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+40.87 грн
1000+37.09 грн
2500+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 345000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.07 грн
5000+25.71 грн
7500+25.62 грн
12500+24.46 грн
17500+20.06 грн
25000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+66.39 грн
310+45.83 грн
489+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2803TRIRSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303International RectifierN-MOSFET HEXFET 30V 4.6A 1W 0.031Ω IRLL3303 TIRLL3303
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+176.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303
Код товару: 182615
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 4,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,031 Ом
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+60.00 грн
10+55.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303TR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL3303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.031 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303TRPBFInternational RectifierSOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 4.6A 31mOhm 34nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL3303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.031 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303TRPBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор полевой N канальный, Vdss=30V, Id=4.6A, Rds(on)=0.031 Ohm, HEXFET® Power MOSFET, SOT-223... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 80 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL510IR07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL6702IR07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL6802IR07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLM110Aonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLM110AFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLM110ATFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 750mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLM110ATFonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLM110ATF_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/LL/100V/1.5A/0.4OHM@VGS=5V/Substitute of IRFM110TF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLM120AFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLM120ATFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.15A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLM120ATFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1355+26.17 грн
10000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 1355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLM120ATFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.15A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
899+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 899 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLM120ATFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1355+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 1355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLM120ATFONSEMIDescription: ONSEMI - IRLM120ATF - IRLM120ATF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLM210AFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLM210ATFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 770MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 390mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLM210ATF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLM220AFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLM220Aonsemionsemi AF 200V 800MOHM L SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.