Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFU420PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | на замовлення 1815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU420PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 500V 2.4 Amp | на замовлення 9623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU420TU | на замовлення 59220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFU421 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU422 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU430A | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU430A | IRFU430A Транзисторы HEXFET | на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFU430APBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp | на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU430APBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 110W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU430APBF | International Rectifier | N-CH. 500V 5.0A IPAK=TO-251 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU430APBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU430APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU430APBF (транзистор) Код товару: 52948
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-251 Напруга сток-витік Uds, В: 500 В Струм стоку Idd, А: 3,2 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,7 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 490/24 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFU430BTU | ON Semiconductor | IRFU430BTU | на замовлення 5177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU430BTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRFU430BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1336 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU430BTU | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | на замовлення 6609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU430BTU | ON Semiconductor | IRFU430BTU | на замовлення 1432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU4510 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU4510 TIRFU4510 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU4510PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU4510PBF | IRFU4510PBF Транзисторы FETKY | на замовлення 94 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFU4510PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU4510PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 143W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU4510PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 64A 14.5mOhm HEXFET 140W 50nC | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Power dissipation: 143W Technology: HEXFET® | на замовлення 905 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU4510PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU4615 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU4615 | International Rectifier | N-MOSFET 33A 150V 144W IRFU4615 TIRFU4615 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 71 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU4615 | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Id = 33, Ptot, Вт = 144, Udss, В = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 @ 50, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 42 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU4615PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 33A IPAK=TO-251 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 7631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU4615PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFU4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.042 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 10743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU4615PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V | на замовлення 6390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 5410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 2574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU4615PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC | на замовлення 1248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU4620PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU48Z | IR | 05+ | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU48Z Код товару: 99522
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: I-Pak Напруга сток-витік Uds, В: 55 В Струм стоку Idd, А: 42 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 11 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1720/40 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFU48ZPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 55V 62A 11mOhm 40nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU48ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5305 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5305 | International Rectifier | P-MOSFET 31A 55V 110W IRFU5305 TIRFU5305 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -28A 65mOhm 42nC | на замовлення 5758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 6745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK Mounting: THT Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: -28A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -55V Type of transistor: P-MOSFET Case: IPAK | на замовлення 690 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF Код товару: 26942
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 6740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 7916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFU5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 22 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 69W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | на замовлення 2075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | International Rectifier | P-кан. MOSFET 55V, 31A, 0.065Ом, 110Вт, I-PAK TO-251AA/TO-251-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 21874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1301 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU540ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5410 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 13A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF Код товару: 124333
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | International Rectifier | Description: IRFU5410 - 20V-250V P-CHANNEL PO | на замовлення 518124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 11312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 18059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFU5410PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 66W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 3035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 12225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 13A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 102900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38.7nC | на замовлення 4319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 3035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 268395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5505 | International Rectifier | Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 110mOhm; 18A; 57W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFU5505; IRFU5505 TIRFU5505 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5505 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 18A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 525 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5505PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU5505PBF - IRFU5505 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 10983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 698 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5505PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 2851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5505PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT P-Ch -55V -18A 110mOhm 21.3nC | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5505PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5505PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 18A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5505PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5505PBF Код товару: 67411
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFU5505PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 6387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5505PBF | International Rectifier | IPAK=TO-251 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5505PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU6215 | International Rectifier | MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU6215 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 150V 13A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 375 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU6215 | International Rectifier | P-MOSFET 13A 150V 110W P-MOSFET 13A 150V 110W IRFU6215 TIRFU6215 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU6215PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU6215PBF Код товару: 101060
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFU6215PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 150V 13A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU6215PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFU6215PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU6215PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT P-Ch -150V -13A 580mOhm 44nC | на замовлення 2549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7440 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFU7440 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU7440 INFINEON TIRFU7440 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU7440PBF | Infineon Technologies | MOSFET 40V, 90A, 2.5 mOhm 89 nC Qg, I-Pak | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

