Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFU9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9020Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU9020PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9020Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 8091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.16 грн
75+64.80 грн
150+58.09 грн
525+47.85 грн
1050+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9020PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9022
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024SiliconixTranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU9024 TIRFU9024
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024AOU413AO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NIRTO251 10+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NInternational RectifierP-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024N
Код товару: 28049
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024N IRFU9024SiliconixTranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU9024 TIRFU9024
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
792+44.59 грн
1000+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 792 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.75 грн
75+77.05 грн
150+69.31 грн
525+54.70 грн
1050+50.22 грн
2025+46.63 грн
5025+41.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU9024NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 39296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+55.52 грн
274+51.55 грн
329+43.01 грн
525+37.94 грн
1050+34.78 грн
2025+30.48 грн
5025+29.03 грн
10050+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.7nC
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.91 грн
10+44.68 грн
25+38.83 грн
75+32.80 грн
150+30.38 грн
375+27.53 грн
525+26.61 грн
1050+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
792+44.59 грн
1000+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 792 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInternational RectifierIPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF
Код товару: 31708
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+19.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 39302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.70 грн
75+51.72 грн
150+43.15 грн
525+38.07 грн
1050+34.89 грн
2025+30.59 грн
5025+29.13 грн
10050+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 18042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.76 грн
282+50.21 грн
333+42.39 грн
525+37.59 грн
1050+34.46 грн
2025+30.37 грн
5025+29.17 грн
10050+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC
на замовлення 9203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Очікується: 5 Од. в
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+68.80 грн
150+58.97 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFIRFU9024PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBF
Код товару: 49504
Додати до обраних Обраний товар
SILIТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 8,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
у наявності: 22 шт
  • 17 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+37.91 грн
388+36.41 грн
500+35.07 грн
1000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.72 грн
20+37.91 грн
100+36.41 грн
500+33.82 грн
1000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.39 грн
75+84.92 грн
150+70.18 грн
525+58.50 грн
1050+53.62 грн
2025+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8,8 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 25, Rds = 280 мОм @ 5,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBF
Код товару: 195135
Додати до обраних Обраний товар
VBSEMIТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 8,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 600 шт
  • 600 шт - очікується 13.08.2026
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.48 грн
75+83.62 грн
150+75.53 грн
525+60.07 грн
1050+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.51 грн
137+103.26 грн
150+97.07 грн
525+82.43 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.85 грн
10+65.77 грн
75+56.40 грн
150+52.97 грн
525+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.00 грн
167+84.63 грн
202+69.95 грн
525+58.30 грн
1050+53.44 грн
2025+50.50 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110Harris CorporationDescription: 3.1A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110IRTO-251
на замовлення 77665 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 1,9 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 3.1 Amp
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.95 грн
75+67.55 грн
150+57.98 грн
525+48.57 грн
1050+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120
Код товару: 1696
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 5,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,60 Ом
товару немає в наявності
10000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120NIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120NPBFInternational RectifierP-CH. 100V 6.6A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.79 грн
102+139.42 грн
125+113.23 грн
150+98.52 грн
375+81.56 грн
1050+68.25 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.22 грн
10+87.03 грн
50+75.31 грн
75+71.96 грн
150+67.78 грн
375+61.09 грн
1050+54.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 5.6 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210IRTO-251
на замовлення 46988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210
Код товару: 77978
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 1,9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,0 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 170/8,9
Примітка: MOSFET
Монтаж: THT
у наявності: 222 шт
  • 192 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+19.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.9A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.38 грн
11+39.25 грн
75+35.31 грн
300+31.21 грн
750+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.49 грн
10+105.59 грн
100+72.08 грн
500+54.16 грн
1000+49.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+64.80 грн
300+57.16 грн
750+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 200V 1.9 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9214Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A I-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9214
на замовлення 45400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9214PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 250V 2.7 Amp
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9214PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.93 грн
75+74.20 грн
150+66.83 грн
525+52.87 грн
1050+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU9220PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220Rochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220NIR07+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.48 грн
10+143.65 грн
100+131.45 грн
250+122.23 грн
500+101.44 грн
1000+84.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVISHAY
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 200V 3.6A P-CH MOSFET
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.48 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9230BFAIRCHILDTO-251
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310
Код товару: 37187
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Id, А: 1,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 270/13
Монтаж: THT
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+18.00 грн
10+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310VishayP-MOSFET 1.8A 400V 50W IRFU9310 TIRFU9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]