Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN3032LFDBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.66 грн
100+21.74 грн
500+15.58 грн
1000+14.02 грн
2000+12.71 грн
5000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30V 20Vgss 1.0W
на замовлення 69531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30V 20Vgss 1.0W
на замовлення 5314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 15645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+39.25 грн
100+25.50 грн
500+18.38 грн
1000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.84 грн
6000+14.04 грн
9000+13.41 грн
15000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 820mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 820mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 820mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 820mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6/SWP(Type B) T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 820mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 820mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 820mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 820mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6/SWP(Type B) T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 481 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 481 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.74 грн
6000+5.84 грн
9000+5.51 грн
15000+4.83 грн
21000+4.62 грн
30000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LDM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LDM-7Diodes IncorporatedMOSFETs NMOS-SINGLE
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LDM-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 2W; SOT26
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.29 грн
12+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V
на замовлення 13649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
10+30.64 грн
100+22.90 грн
500+16.88 грн
1000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 30A; 2W; SO8
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.38 грн
100+29.04 грн
500+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.74 грн
5000+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.88 грн
5000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs NMOS-DUAL
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh FET 20Vdss 20Vgss 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 29893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+41.74 грн
100+27.23 грн
500+19.69 грн
1000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 30A; 2W; SO8
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSNDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.73 грн
23+33.48 грн
25+33.14 грн
100+23.60 грн
250+21.64 грн
500+16.15 грн
1000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSN-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V
на замовлення 97097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
12+27.25 грн
100+17.44 грн
500+12.42 грн
1000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+33.14 грн
578+24.48 грн
584+24.23 грн
751+18.17 грн
1000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.54 грн
6000+9.28 грн
9000+8.84 грн
15000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSNQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSNQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 6A 1.4W 2.1V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSNQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V
на замовлення 8876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
11+29.36 грн
100+20.44 грн
500+14.97 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSNQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 6A 1.4W 2.1V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSNQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSNQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Mosfet
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3035LWN-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN3020-8 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3035LWN-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 5.5A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3035LWN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 770mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 80638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+32.38 грн
100+20.89 грн
500+14.96 грн
1000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3035LWN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3035LWN-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: V-DFN3020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3035LWN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 770mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.78 грн
6000+11.28 грн
9000+10.69 грн
15000+9.55 грн
21000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3035LWN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3035LWN-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: V-DFN3020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3035LWN-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042LDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 30A; 1.4W; SOT23
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.21 грн
20000+7.15 грн
30000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3042L-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 720mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.25 грн
20000+7.18 грн
30000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3042L-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 720mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 12Vgs 570pF
на замовлення 47393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-7DiodesTrans MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3042L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 720mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1065000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
на замовлення 49599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.55 грн
100+12.39 грн
500+8.69 грн
1000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1195+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 1195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-7Diodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 26,5 мОм @ 5,8 A, 10 В, Ugs(th) = 1,4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,72 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 10V 5.8A
на замовлення 62063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2243+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 2243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3042L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 720mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 720mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 0.72W; SOT23
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 0.72W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.09 грн
23+18.53 грн
50+13.08 грн
100+11.32 грн
500+8.39 грн
1000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.23 грн
6000+6.32 грн
9000+5.98 грн
15000+5.27 грн
21000+5.06 грн
30000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-7-MLMOSLEADERDescription: N 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.61 грн
1000+2.46 грн
3000+2.29 грн
6000+2.11 грн
15000+2.04 грн
30000+1.96 грн
75000+1.81 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.6A; Idm: 35A; 2.1W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 13.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 2.1W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.81 грн
100+21.81 грн
500+15.61 грн
1000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.6A; Idm: 35A; 2.1W
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 2.1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3050S
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3050S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3050S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3050S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3051L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3051L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.97 грн
6000+8.75 грн
9000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3051L-7Diodes IncorporatedMOSFETs 1.4W 30V 5.8A
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3051L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 14761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+26.04 грн
100+16.67 грн
500+11.81 грн
1000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3051LDM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]