Продукція > DMT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMTH4M90LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 356A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9308 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M90LPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M90SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M90SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9434 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M90SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M90SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9434 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M95SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M95SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M95SPSQ-13-01Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M95SPSQ-13-01Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 1700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.92 грн
500+83.78 грн
1000+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPS-13DiodesMOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 30 V
на замовлення 5292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.22 грн
10+125.90 грн
100+86.70 грн
500+65.65 грн
1000+62.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 1700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.90 грн
10+143.06 грн
100+108.92 грн
500+83.78 грн
1000+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.00 грн
5000+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPSW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPSW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPSW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPSWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 205A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8289 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPSWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.46 грн
10+140.62 грн
100+98.35 грн
500+81.52 грн
1000+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPSWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 205A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8289 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.28 грн
10+130.96 грн
100+90.68 грн
500+71.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPSWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.13W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.35 грн
500+81.52 грн
1000+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 100A
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
на замовлення 4018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.20 грн
10+114.05 грн
100+78.01 грн
500+58.76 грн
1000+54.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 5550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+107.76 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SCTDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SCTB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.71 грн
1600+77.38 грн
2400+73.52 грн
5600+66.40 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SCTB-13Diodes IncorporatedMOSFETs Enh Mode FET 41V to 60V TO263
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SCTB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
On-state resistance: 3.4mΩ
Power dissipation: 4.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SCTB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.30 грн
10+135.41 грн
100+107.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SCTBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+152.01 грн
100+110.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SCTBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.90 грн
1600+90.40 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SCTBQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V 175c N-Ch FET 3.4mOhm 10Vgs 100A
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SCTBQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
On-state resistance: 3.4mΩ
Power dissipation: 4.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.44 грн
500+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 43287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 493825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+82.65 грн
100+55.59 грн
500+41.29 грн
1000+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.90 грн
10+126.80 грн
100+78.44 грн
500+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 150A; 3.9W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 3.9W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 95.4nC
Pulsed drain current: 150A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 492500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.62 грн
5000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3QDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 3.8mΩ
Power dissipation: 3.9W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+135.47 грн
10+83.03 грн
25+70.45 грн
100+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.63 грн
500+62.35 грн
1000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 235350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+78.12 грн
100+54.84 грн
500+43.55 грн
1000+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.59 грн
10+130.06 грн
100+80.63 грн
500+62.35 грн
1000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252
Qualification: AEC-Q101
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 235000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.18 грн
5000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3Q-13DiodesMOSFET N-CH 60V 100A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.44 грн
5000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 21A 2.1W
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.55 грн
5000+65.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V 175c N-Ch FET 3.1mOhm 10Vgs 100A
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.76 грн
10+125.14 грн
100+99.62 грн
500+79.10 грн
1000+67.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LCTDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 19.7A/100A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.38W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.47 грн
6000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 19.7A/100A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.38W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.38W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.38W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6005LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.42 грн
12+68.28 грн
100+48.61 грн
500+34.57 грн
1000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 3161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6005LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.61 грн
500+34.57 грн
1000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
на замовлення 40055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+70.72 грн
100+48.67 грн
500+37.62 грн
1000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 141698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+81.44 грн
100+55.24 грн
500+41.03 грн
1000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.39 грн
5000+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+77.82 грн
100+54.61 грн
500+43.37 грн
1000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6005LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.33 грн
10+126.80 грн
100+96.73 грн
500+68.61 грн
1000+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 344968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+86.65 грн
100+60.78 грн
500+48.33 грн
1000+44.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6005LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.73 грн
500+68.61 грн
1000+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 342500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.58 грн
5000+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6006LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6006LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 17.2A/100A PWRDI
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2162 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.88W (Ta), 100W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6006LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 17.2A/100A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.88W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2162 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.04 грн
5000+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6006SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 17.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6006SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12.6A; Idm: 400A; 2.94W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 400A
Drain current: 12.6A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 27.9nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Power dissipation: 2.94W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6006SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 17.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6006SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26  [ Наступна Сторінка >> ]