Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R299CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R299CP | INFINEON | на замовлення 10700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP60R299CP Код товару: 119116
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R330P6 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R330P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3 Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R360CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | на замовлення 337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R360CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 9795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R360CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 600V TO220-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R360CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R360CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 23500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R360CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R360CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R360CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 600V TO220-3-1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | на замовлення 46245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R360CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R360CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R360P7 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R360P7 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R360P7 | Infineon | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R360P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 41W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm | на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 5748 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V | на замовлення 1296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R360P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 41W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 138 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R380C6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R380C6 | INFINEON | TO-220 09+ | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R380C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 10.6A TO220-3 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 10.6A TO220-3 CoolMOS C6 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 15743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R380C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 83W; PG-TO220-3 Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ C6 Drain current: 10.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube On-state resistance: 0.38Ω | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R380C6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R380C6XKSA1 - IPP60R380 10.6A, 600V, N-CHANEL POWER M tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 251 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R380E6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 10.6A TO220-3 CoolMOS E6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R380E6 | Infineon Technologies | Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R380E6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS E6 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R380P6 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | на замовлення 301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R380P6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R380P6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R380P6XKSA1 - IPP60R380 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 257 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R385CP | INFINEON | SOT-23 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R385CP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3-1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V | на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R385CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R385CPXK | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R385CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.385Ω Drain current: 9A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 83W Drain-source voltage: 600V Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R385CPXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R385CPXKSA1 - IPP60R385 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 221 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R450E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 9.2A TO220-3 CoolMOS E6 | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R450E6 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R450E6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R450E6XKSA1 - IPP60R450 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 148 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R450E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 9.2A TO220-3 CoolMOS E6 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R450E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R520C6 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R520C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 8.1A TO220-3 CoolMOS C6 | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R520C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 17550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R520C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 7489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R520C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V | на замовлення 28550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R520C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 8.1A TO220-3 CoolMOS C6 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R520C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R520C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R520C6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R520C6XKSA1 - IPP60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 417 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R520C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R520CP | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R520CP - IPP60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 364 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R520CP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R520CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R520E6 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 373 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R520E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 8.1A TO220-3 CoolMOS E6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R520E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

