Продукція > IPP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 5788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.62 грн
10+75.08 грн
100+52.81 грн
500+44.45 грн
1000+39.16 грн
2500+39.09 грн
5000+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.84 грн
171+82.84 грн
250+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
50+70.21 грн
100+62.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+79.18 грн
192+73.82 грн
500+61.41 грн
1000+53.04 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.95 грн
10+79.44 грн
100+74.06 грн
500+59.41 грн
1000+49.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+116.92 грн
196+72.42 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.25 грн
12+73.56 грн
100+68.20 грн
500+51.55 грн
1000+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+86.50 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.51 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+70.45 грн
10+62.90 грн
50+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6INFINEONTO-220 09+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 10.6A TO220-3 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 17743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
10000+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 10.6A TO220-3 CoolMOS C6
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R380C6XKSA1 - IPP60R380 10.6A, 600V, N-CHANEL POWER M
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 10.6A TO220-3 CoolMOS E6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+78.79 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP60R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.32 грн
10+116.24 грн
100+87.79 грн
500+66.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380P6Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380P6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380P6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380P6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R380P6XKSA1 - IPP60R380 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+97.54 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPINFINEONSOT-23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+97.19 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.88 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R385CPXKSA1 - IPP60R385 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.15 грн
500+81.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+121.40 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R450E6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R450E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 9.2A TO220-3 CoolMOS E6
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R450E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 9.2A TO220-3 CoolMOS E6
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R450E6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R450E6XKSA1 - IPP60R450 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R450E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 8.1A TO220-3 CoolMOS C6
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 8.1A TO220-3 CoolMOS C6
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R520C6XKSA1 - IPP60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+59.91 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.81 грн
500+86.23 грн
1000+79.52 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.81 грн
500+86.23 грн
1000+79.52 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
на замовлення 28550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 17550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.81 грн
500+86.23 грн
1000+79.52 грн
10000+68.36 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.81 грн
500+86.23 грн
1000+79.52 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520CPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.79 грн
500+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+77.95 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520CPROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R520CP - IPP60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+68.60 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520CPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 8.1A TO220-3 CoolMOS E6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.81 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R520E6XKSA1 - IPP60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+59.91 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.81 грн
500+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220-3 CoolMOS C6
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6Infineon TechnologiesDescription: 7.3A, 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6Infineon technologies
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600C6XKSA1 - IPP60R600 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.07 грн
1000+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.07 грн
1000+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.07 грн
1000+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 22376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.07 грн
1000+71.08 грн
10000+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600CPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.81 грн
500+86.23 грн
1000+79.52 грн
10000+68.36 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600CPROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600CP - IPP60R600 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+59.91 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600CPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600E6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220-3 CoolMOS E6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600E6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600E6XKSA1 - IPP60R600 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
470+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 470 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPP60R600 - COOLMOS N-CHANNEL PO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 529 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_PRC/PRFRM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+84.09 грн
500+75.68 грн
1000+69.78 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 83000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+84.09 грн
500+75.68 грн
1000+69.78 грн
10000+60.00 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
на замовлення 111633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]