Продукція > SI7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7446BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7446BDP-T1-T3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7446DPVISHAY09+
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7446DP-T1VISHAY
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7446DP-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7447VISHAY04+
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7447ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7447ADP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7447ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7447DP
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7447DP-T1
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7448DP-T1
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7448DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7448DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7448DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7448DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7448DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DPVISHAY09+
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1VISHAY0409+
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI74
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.34 грн
10+168.79 грн
100+118.07 грн
500+91.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.31 грн
107+133.23 грн
108+131.16 грн
110+124.38 грн
250+113.32 грн
500+107.01 грн
1000+105.23 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3
Код товару: 86304
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.34 грн
10+168.79 грн
100+118.07 грн
500+91.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.31 грн
10+133.23 грн
25+131.16 грн
100+124.38 грн
250+113.32 грн
500+107.01 грн
1000+105.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7450DP-T1E3VISHAY10+ 5D18
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DPT1E3VISHAY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7451DP-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7452DPVISHAY05+
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7452DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7452DP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7452DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454SISOP-8
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454CDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454CDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 22A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 14883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 44828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 29572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.01 грн
10+91.19 грн
100+61.78 грн
500+46.14 грн
1000+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 21A, 150DEG C, 29.7W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 29.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.51 грн
6000+37.38 грн
9000+36.07 грн
15000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DPVISHAY09+
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3Vishay SiliconixN-Channel 100V 5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 100V 40MOHMS@4.5V
на замовлення 5909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454FDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454FDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
на замовлення 41610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.49 грн
10+65.67 грн
100+43.71 грн
500+32.18 грн
1000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454FDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454FDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.47 грн
6000+25.48 грн
9000+24.49 грн
15000+21.94 грн
21000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454FDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0246ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454FDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454FDP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454FDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7455DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 80V 28A 83.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7455DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7455DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 80V 28A 83.3W 25mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7455DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
si7456SIBGA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456CDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 27.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+188.58 грн
109+130.12 грн
111+128.23 грн
500+89.92 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456CDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456CDP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 27.5A 35.7W
на замовлення 8276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456CDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 27.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456CDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+80.14 грн
178+79.74 грн
191+74.06 грн
250+70.71 грн
500+61.68 грн
1000+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.25 грн
10+105.96 грн
100+72.31 грн
500+54.34 грн
1000+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 27AK0999
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 35.7W
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]