Продукція > STG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+241.14 грн
10+160.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW20IH125DF - IGBT, 40 A, 2 V, 259 W, 1.25 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Verlustleistung: 259W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.25kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DF
Код товару: 180888
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+326.94 грн
46+313.69 грн
72+196.59 грн
73+187.67 грн
100+146.39 грн
250+106.93 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20N60V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NB60HDSTMСНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NB60HD
на замовлення 7890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NB60HDSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 12 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NB60KDSTMN- Channel, 20A, 600V, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NB60KDSTMicroelectronicsТранзистор IGBT, Pmax, Вт = 170, Uce(on), В = 2,8, Uceb, В = 600, Ic, А = 100, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний,... Транзистори Корпус: ТО-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NB60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 50A 170W TO247
Switching Energy: 675µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/105ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 80.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 170 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 85 nC
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.91 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.31 грн
5+145.09 грн
10+136.70 грн
30+128.31 грн
60+124.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW20NC60V - IGBT, 60 A, 1.8 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+144.22 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.18 грн
30+182.48 грн
120+150.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+143.24 грн
1020+141.80 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VDSTMN-CHANNEL 30A - 600V 200W TO-247 (аналог IRG4PC40UD/50UD) Very Fast PowerMESH™ IGBT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.47 грн
30+146.93 грн
120+120.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VD
Код товару: 33417
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,5 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 60 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 30 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 200 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 31/100
товару немає в наявності
1+130.00 грн
10+120.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VDSTMicroelectronicsТранзистор IGBT, Pmax, Вт = 200, Uceb, В = 600, Uge(th), В = 2,5 @ 15 В, 20 А, Тексп, °С = -55...+150, Eімп. = 220 мкДж (вкл), 330 мкДж (викл),... Транзистори Корпус: ТО-247-3 Очікується: 1160 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VDST60A; 600V; 200W; IGBT   STGW20NC60VD STMicroelectronics TSTGW20nc60vd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+139.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+216.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW20NC60VD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VDSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+292.11 грн
53+268.75 грн
82+173.37 грн
100+165.51 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW20V60DF - IGBT, 40 A, 1.8 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+329.47 грн
110+128.85 грн
111+127.60 грн
112+121.85 грн
250+111.62 грн
600+106.08 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.60 грн
10+128.51 грн
25+127.27 грн
100+121.53 грн
250+111.33 грн
600+105.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.39 грн
30+148.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+285.55 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60DF
Код товару: 116622
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247
Power - Max: 167 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
Gate Charge: 116 nC
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60FSTMicroelectronicsIGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120DF2STMicroelectronicsТранзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic = 50 А, Pmax, Вт = 375, tз, мс = 0,029, Uce(on), В = 2,6, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, Uge(th), В = 15, td(off), нс = 130,... Транзистори Корпус: ТО-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120DF2STMIGBT 1200V 25A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 303 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.45 грн
30+185.50 грн
120+152.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW25H120DF2 - IGBT, 50 A, 2.1 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120F2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 100 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.99 грн
30+262.94 грн
120+220.10 грн
510+177.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 850µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.86 грн
30+242.39 грн
120+201.79 грн
510+161.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+739.35 грн
27+538.58 грн
50+478.47 грн
100+433.56 грн
200+377.83 грн
500+337.99 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25M120DF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW25M120DF3 - IGBT, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 830µJ (on), 2.37mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/147ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW28IH125DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1250V 60A 375W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/128ns
Switching Energy: 720µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 114 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW28IH125DF
Код товару: 177614
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW28IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.59 грн
10+190.28 грн
25+183.63 грн
100+162.17 грн
250+143.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW28IH125DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+285.40 грн
3+238.18 грн
10+210.50 грн
30+189.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW28IH125DFSTMicroelectronicsIGBTs 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW28IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+205.34 грн
76+188.22 грн
78+181.64 грн
100+160.41 грн
250+141.97 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns
Switching Energy: 350µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+280.98 грн
87+163.12 грн
100+148.04 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 260W
Gate charge: 149nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+198.70 грн
10+123.28 грн
20+110.70 грн
30+104.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+195.32 грн
107+133.01 грн
141+100.76 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+195.61 грн
10+133.21 грн
100+100.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+80.17 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
Switching Energy: 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DLFB
Код товару: 113386
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,5 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 60 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 30 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 260 Вт
товару немає в наявності
1+550.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DLFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H65FBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+279.98 грн
5+194.57 грн
10+162.70 грн
30+154.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+131.44 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 151µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.63 грн
30+158.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW30H65FB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+131.44 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+156.64 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.69 грн
30+162.15 грн
120+132.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30M65DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+157.06 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.22 грн
10+259.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30N120KDSTM
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30N120KDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 30 A - 1200 V Rugged IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30N120KD
Код товару: 42292
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 1200 В
Напруга насичення Vce, В: 2,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 60 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 30 А
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 36/140
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
товару немає в наявності
1+108.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30N120KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 60A TO-247-3
Power - Max: 220 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 105 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.4mJ (on), 4.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/251ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30N120KDSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30N360HD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30N60HD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]