Продукція > IPP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+77.95 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520CPROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R520CP - IPP60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520CPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.79 грн
500+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520CPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 8.1A TO220-3 CoolMOS E6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R520E6XKSA1 - IPP60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.81 грн
500+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.81 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6Infineon TechnologiesDescription: 7.3A, 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6Infineon technologies
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220-3 CoolMOS C6
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.07 грн
1000+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.07 грн
1000+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 22376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.07 грн
1000+71.08 грн
10000+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.07 грн
1000+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600C6XKSA1 - IPP60R600 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600CPROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600CP - IPP60R600 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600CPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.81 грн
500+86.23 грн
1000+79.52 грн
10000+68.36 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600CPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220-3 CoolMOS E6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600E6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600E6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600E6XKSA1 - IPP60R600 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 470 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPP60R600 - COOLMOS N-CHANNEL PO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 529 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_PRC/PRFRM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 83000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+84.09 грн
500+75.68 грн
1000+69.78 грн
10000+60.00 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 19154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+84.09 грн
500+75.68 грн
1000+69.78 грн
10000+60.00 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
на замовлення 111633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600P6XKSA1 - IPP60R600 - 600V, 0.6OHM, N-CHANEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+84.09 грн
500+75.68 грн
1000+69.78 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P7Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+64.27 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP60R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R750E6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
547+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 547 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R750E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 5.7A TO220-3 CoolMOS E6
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R750E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
467+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 467 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R750E6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R750E6XKSA1 - IPP60R750 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R750E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R950C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 4.4A TO220-3 CoolMOS C6
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R950C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R950C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 71000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+56.06 грн
1000+51.70 грн
10000+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R950C6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R950C6XKSA1 - IPP60R950 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R950C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 74450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R950C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+56.06 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R950C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+56.06 грн
1000+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R041CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R041CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+685.49 грн
27+540.28 грн
50+534.20 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R041CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+441.98 грн
100+419.59 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R041CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+653.70 грн
50+345.86 грн
100+318.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R041CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R041CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R041CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+976.99 грн
25+839.52 грн
50+621.16 грн
100+527.32 грн
250+489.82 грн
500+470.46 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1
Код товару: 101820
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+863.76 грн
50+469.60 грн
100+434.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+746.78 грн
50+711.83 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+984.29 грн
10+976.87 грн
25+839.43 грн
50+621.09 грн
100+527.26 грн
250+489.76 грн
500+470.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 44500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+532.99 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R050CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+480.88 грн
100+457.31 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R050CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R050CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R050CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R060CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+218.09 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R060CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R060CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R060CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: 650V FET COOLMOS TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.94 грн
50+269.56 грн
100+253.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R060CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R060CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+595.91 грн
28+522.37 грн
50+380.93 грн
100+366.42 грн
500+337.59 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R060CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R065C7Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R065C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R065C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+625.14 грн
28+515.77 грн
50+435.11 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R070CFD7XKSA1Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R074C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 57.7A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R074C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 480.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.4mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R074C6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R074C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57.7 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 57.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 480.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 480.8
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R074C6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 57.7A TO220-3
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R075CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R075CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]