Продукція > IPP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP60R299CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+108.14 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R330P6Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R330P6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R330P6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 93W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 93W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP60R360CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1International Rectifier HiRel ProductsIPP60R360CFD7XKSA1
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 600V TO220-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 46245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 674mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.29 грн
500+114.56 грн
1000+105.65 грн
10000+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 600V TO220-3-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.29 грн
500+114.56 грн
1000+105.65 грн
10000+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7Infineon
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.66 грн
178+79.72 грн
500+66.91 грн
1000+59.44 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.78 грн
169+83.91 грн
500+68.24 грн
1000+57.42 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Version: ESD
Kind of package: tube
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.74 грн
6+82.19 грн
10+71.29 грн
50+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+176.44 грн
142+99.97 грн
164+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.38 грн
10+96.78 грн
100+83.91 грн
500+65.80 грн
1000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.09 грн
10+105.07 грн
50+79.61 грн
100+67.02 грн
500+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.62 грн
141+100.53 грн
163+87.11 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+87.04 грн
183+77.65 грн
500+65.46 грн
1000+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.83 грн
12+64.24 грн
100+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.62 грн
10+100.53 грн
100+87.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.64 грн
10+89.97 грн
100+80.01 грн
500+64.75 грн
1000+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 10.6A TO220-3 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6INFINEONTO-220 09+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R380C6XKSA1 - IPP60R380 10.6A, 600V, N-CHANEL POWER M
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
10000+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 10.6A TO220-3 CoolMOS C6
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 10.6A TO220-3 CoolMOS E6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+113.53 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP60R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380P6Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380P6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380P6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R380P6XKSA1 - IPP60R380 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380P6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+97.19 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R385CPXKSA1 - IPP60R385 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO220-3
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.385Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 83W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.88 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.15 грн
500+81.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+121.40 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R450E6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R450E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 9.2A TO220-3 CoolMOS E6
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R450E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 9.2A TO220-3 CoolMOS E6
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R450E6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R450E6XKSA1 - IPP60R450 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R450E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 8.1A TO220-3 CoolMOS C6
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 17550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.81 грн
500+86.23 грн
1000+79.52 грн
10000+68.36 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R520C6XKSA1 - IPP60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.81 грн
500+86.23 грн
1000+79.52 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 8.1A TO220-3 CoolMOS C6
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
на замовлення 28550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.81 грн
500+86.23 грн
1000+79.52 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.81 грн
500+86.23 грн
1000+79.52 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+77.84 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520CPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.79 грн
500+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520CPROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R520CP - IPP60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520CPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 8.1A TO220-3 CoolMOS E6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.81 грн
500+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R520E6XKSA1 - IPP60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.81 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6Infineon TechnologiesDescription: 7.3A, 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220-3 CoolMOS C6
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600C6XKSA1 - IPP60R600 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.07 грн
1000+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 22376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.07 грн
1000+71.08 грн
10000+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.07 грн
1000+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.