Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R520E6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R520E6XKSA1 - IPP60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 417 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R520E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R520E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R520E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R520E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R520E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3 Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600C6 | Infineon technologies | на замовлення 414 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP60R600C6 | Infineon Technologies | Description: 7.3A, 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL MO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 362 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220-3 CoolMOS C6 | на замовлення 798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 438 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 22376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 9800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600C6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600C6XKSA1 - IPP60R600 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600CP | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600CP - IPP60R600 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 417 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600CP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R600CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R600CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220-3 CoolMOS E6 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600E6 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPP60R600 - COOLMOS N-CHANNEL PO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 529 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600E6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600E6XKSA1 - IPP60R600 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 470 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600P6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600P6 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_PRC/PRFRM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 19154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R600P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V | на замовлення 111633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R600P6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600P6XKSA1 - IPP60R600 - 600V, 0.6OHM, N-CHANEL POWER tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 475 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 9479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R600P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 83000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R600P7 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R600P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 6 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 30 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R750E6 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V | на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R750E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 5.7A TO220-3 CoolMOS E6 | на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R750E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R750E6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R750E6XKSA1 - IPP60R750 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 521 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R750E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R950C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 4.4A TO220-3 CoolMOS C6 | на замовлення 715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R950C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 71000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R950C6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R950C6XKSA1 - IPP60R950 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R950C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | на замовлення 74450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R950C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R950C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R950C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: 650V FET COOLMOS TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V | на замовлення 489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R041CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R045C7 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7 | на замовлення 774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7 | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R045C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP65R045C7XKSA1 Код товару: 101820
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні УКТЗЕД: 8541290010 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 44500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP65R050CFD7AAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP65R050CFD7AAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R050CFD7AAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R050CFD7AAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP65R060CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP65R060CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 171W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: 650V FET COOLMOS TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R065C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R065C7 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R065C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 171W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP65R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R074C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 57.7A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 13.9A, 10V Power Dissipation (Max): 480.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.4mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R074C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP65R074C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57.7 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 57.7 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 480.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 480.8 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 57.7A TO220-3 | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R075CFD7AAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R075CFD7AAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R075CFD7AAKSA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R075CFD7AAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP65R090CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

